URivestitu di Carbure di Siliciu Foglia epitassialePruvate Usatu inAttrezzatura di furnace epitassialefattu in Cina da Vet Energy, chì hè unu di i pruduttori è fornitori in Cina. CumprateRivestitu di Carbure di Siliciu Foglia epitassialeTray Adupratu In CinaAttrezzatura di furnace epitassialeà un prezzu bassu da a nostra fabbrica. Avemu i nostri propri marchi è sustenemu ancu a massa. Sè site interessatu à i nostri prudutti, vi daremu un prezzu d'affare. Benvenuti à cumprà un pruduttu scontu chì hè più novu è di alta qualità da noi.
A nostra cumpagnia furnisce servizii di prucessu di rivestimentu SiC per u metudu CVD nantu à a superficia di grafite, ceramica è altri materiali, perchè i gasi speciali chì cuntenenu carbonu è siliciu reagiscenu à alta temperatura per ottene molécule di SiC di alta purezza, molécule depositate nantu à a superficia di i materiali rivestiti, furmendu strata prutittivu SIC.
Caratteristiche principali:
1. Resistenza à l'ossidazione à alta temperatura:
a resistenza à l'ossidazione hè sempre assai bona quandu a temperatura hè alta cum'è 1600 C.
2. Purità alta: fatta da a deposizione di vapore chimicu sottu a cundizione di chlorination à alta temperatura.
3. Resistenza à l'erosione: alta durezza, superficia compacta, particelle fini.
4. Resistenza à a corrosione: acidu, alkali, sali è reagenti organici.
Specificazioni principali di u Revestimentu CVD-SIC:
Proprietà SiC-CVD | ||
Struttura cristallina | FCC phase β | |
Densità | g/cm³ | 3.21 |
Durezza | Durezza Vickers | 2500 |
Grandezza di granu | μm | 2 ~ 10 |
Purità chimica | % | 99,99995 |
Capacità di calore | J·kg-1·K-1 | 640 |
Temperature di sublimazione | ℃ | 2700 |
Forza Flessurale | MPa (RT à 4 points) | 415 |
Modulu di u ghjovanu | Gpa (curvatura 4pt, 1300 ℃) | 430 |
Dilatazione termica (CTE) | 10-6K-1 | 4.5 |
Conduttività termica | (W/mK) | 300 |
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