A linea di prudutti di VET Energy ùn hè micca limitata à GaN nantu à wafers SiC. Avemu ancu furnisce una larga gamma di materiali di sustrato semiconductor, cumpresi Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate, Epi Wafer, etc. Inoltre, avemu ancu attivamente sviluppatu novi materiali semiconductor wide bandgap, cum'è Gallium Oxide Ga2O3 è AlN. Wafer, per risponde à a futura dumanda di l'industria di l'elettronica di putenza per i dispositi di più altu rendiment.
VET Energy furnisce servizii di persunalizazione flessibili, è ponu persunalizà strati epitassiali GaN di diversi spessori, diversi tipi di doping, è diverse dimensioni di wafer secondu i bisogni specifichi di i clienti. Inoltre, furnimu ancu un supportu tecnicu prufessiunale è un serviziu post-vendita per aiutà i clienti à sviluppà rapidamente apparecchi elettronichi di putenza d'alta prestazione.
SPECIFICAZIONI WAFERING
*n-Pm=n-type Pm-Grade, n-Ps=n-tipu Ps-Grade, Sl=Semi-isolante
Articulu | 8-inch | 6-inch | 4-inch | ||
nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
TTV (GBIR) | ≤ 6um | ≤ 6um | |||
Arcu (GF3YFCD) - Valore assolutu | ≤15μm | ≤15μm | ≤25μm | ≤15μm | |
Warp (GF3YFER) | ≤25μm | ≤25μm | ≤40μm | ≤25μm | |
LTV (SBIR) - 10 mm x 10 mm | <2μm | ||||
Wafer Edge | Bisellu |
FINITURA DI SUPERFICIE
*n-Pm=n-type Pm-Grade, n-Ps=n-tipu Ps-Grade, Sl=Semi-isolante
Articulu | 8-inch | 6-inch | 4-inch | ||
nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
Finitura di a superficia | Lucidatura ottica doppia faccia, Si-Face CMP | ||||
Rugosità di a superficia | (10um x 10um) Si-FaceRa≤0.2nm | (5umx5um) Si-Face Ra≤0.2nm | |||
Chips Edge | Nisunu permessu (lunghezza è larghezza ≥ 0,5 mm) | ||||
Indentati | Nisunu permessu | ||||
Scratchs (Si-Face) | Qty.≤5, Cumulative | Qty.≤5, Cumulative | Qty.≤5, Cumulative | ||
Cracks | Nisunu permessu | ||||
Exclusion Edge | 3 mm |