Wafer di silicone di 6 pollici P Type

Descrizione breve:

VET Energy 6-inch P-type silicium wafer hè un materiale di basa di semiconductor d'alta qualità, largamente utilizatu in a fabricazione di diversi dispositi elettronici. VET Energy usa un prucessu di crescita CZ avanzatu per assicurà chì a wafer hà una qualità di cristalli eccellenti, bassa densità di difetti è alta uniformità.


Detail di u produttu

Tags di u produttu

A linea di prudutti di VET Energy ùn hè micca limitata à i wafers di siliciu. Furnemu ancu una larga gamma di materiali di sustrato semiconductor, cumpresu SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate, Epi Wafer, etc., è ancu novi materiali semiconduttori di banda larga cum'è Gallium Oxide Ga2O3 è AlN Wafer. Questi prudutti ponu risponde à i bisogni di l'applicazioni di diversi clienti in l'elettronica di putenza, a radiofrequenza, i sensori è altri campi.

Campi d'applicazione:
Circuiti integrati:Cum'è u materiale di basa per a fabricazione di circuiti integrati, i wafers di siliciu di tipu P sò largamente usati in diversi circuiti logichi, ricordi, etc.
Dispositivi di putenza:I wafers di siliciu di tipu P ponu esse aduprati per fà i dispositi di putenza, cum'è transistori di putenza è diodi.
Sensori:I wafers di siliciu di tipu P ponu esse usatu per fà diversi tipi di sensori, cum'è sensori di pressione, sensori di temperatura, etc.
Cellule solari:I wafers di siliciu di tipu P sò un cumpunente impurtante di e cellule solari.

VET Energy furnisce à i clienti soluzioni di wafer persunalizati, è ponu persunalizà wafers cù resistività differente, cuntenutu di ossigenu differente, spessore differente è altre specificazioni secondu i bisogni specifichi di i clienti. Inoltre, furnimu ancu un supportu tecnicu prufessiunale è un serviziu post-vendita per aiutà i clienti à risolve diversi prublemi scontri in u prucessu di produzzione.

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SPECIFICAZIONI WAFERING

*n-Pm=n-type Pm-Grade, n-Ps=n-tipu Ps-Grade, Sl=Semi-isolante

Articulu

8-inch

6-inch

4-inch

nP

n-Pm

n-Ps

SI

SI

TTV (GBIR)

≤ 6um

≤ 6um

Arcu (GF3YFCD) - Valore assolutu

≤15μm

≤15μm

≤25μm

≤15μm

Warp (GF3YFER)

≤25μm

≤25μm

≤40μm

≤25μm

LTV (SBIR) - 10 mm x 10 mm

<2μm

Wafer Edge

Bisellu

FINITURA DI SUPERFICIE

*n-Pm=n-type Pm-Grade, n-Ps=n-tipu Ps-Grade, Sl=Semi-isolante

Articulu

8-inch

6-inch

4-inch

nP

n-Pm

n-Ps

SI

SI

Finitura di a superficia

Lucidatura ottica doppia faccia, Si-Face CMP

Rugosità di a superficia

(10um x 10um) Si-FaceRa≤0.2nm
C-Face Ra≤ 0,5 nm

(5umx5um) Si-Face Ra≤0.2nm
C-Face Ra≤0.5nm

Chips Edge

Nisunu permessu (lunghezza è larghezza ≥ 0,5 mm)

Indentati

Nisunu permessu

Scratchs (Si-Face)

Qty.≤5, Cumulative
Length≤0.5 × diametru di wafer

Qty.≤5, Cumulative
Length≤0.5 × diametru di wafer

Qty.≤5, Cumulative
Length≤0.5 × diametru di wafer

Cracks

Nisunu permessu

Exclusion Edge

3 mm

tech_1_2_size
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