U Wafer di Siliciu di 12 pollici per a Fabbricazione di Semiconductori offertu da VET Energy hè ingegneratu per risponde à i standard precisi richiesti in l'industria di i semiconduttori. Cum'è unu di i prudutti principali in a nostra linea, VET Energy assicura chì questi wafers sò pruduciuti cù piattezza, purezza è qualità di a superficia esigenti, chì li facenu ideali per l'applicazioni di semiconduttori di punta, cumprese microchip, sensori è dispositivi elettronici avanzati.
Questa wafer hè cumpatibile cù una larga gamma di materiali cum'è Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate è Epi Wafer, chì furnisce una versatilità eccellente per vari prucessi di fabricazione. Inoltre, si combina bè cù tecnulugia avanzata cum'è Gallium Oxide Ga2O3 è AlN Wafer, assicurendu chì pò esse integrata in applicazioni altamente specializate. Per un funziunamentu lisu, u wafer hè ottimizatu per l'usu cù i sistemi di cassette standard di l'industria, assicurendu una manipulazione efficiente in a fabricazione di semiconduttori.
A linea di prudutti di VET Energy ùn hè micca limitata à i wafers di siliciu. Furnemu ancu una larga gamma di materiali di sustrato semiconductor, cumpresu SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate, Epi Wafer, etc., è ancu novi materiali semiconduttori di banda larga cum'è Gallium Oxide Ga2O3 è AlN Wafer. Questi prudutti ponu risponde à i bisogni di l'applicazioni di diversi clienti in l'elettronica di putenza, a radiofrequenza, i sensori è altri campi.
Zone d'applicazione:
•Chips logici:Fabricazione di chips logici d'alta prestazione cum'è CPU è GPU.
•Chip di memoria:Fabricazione di chips di memoria cum'è DRAM è NAND Flash.
•chips analogichi:Fabricazione di chips analogichi cum'è ADC è DAC.
•Sensori:Sensori MEMS, sensori d'imaghjini, etc.
VET Energy furnisce à i clienti soluzioni di wafer persunalizati, è ponu persunalizà wafers cù resistività differente, cuntenutu di ossigenu differente, spessore differente è altre specificazioni secondu i bisogni specifichi di i clienti. Inoltre, furnimu ancu supportu tecnicu prufessiunale è serviziu post-vendita per aiutà i clienti à ottimisà i prucessi di produzzione è à migliurà u rendiment di u produttu.
SPECIFICAZIONI WAFERING
*n-Pm=n-type Pm-Grade, n-Ps=n-tipu Ps-Grade, Sl=Semi-isolante
Articulu | 8-inch | 6-inch | 4-inch | ||
nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
TTV (GBIR) | ≤ 6um | ≤ 6um | |||
Arcu (GF3YFCD) - Valore assolutu | ≤15μm | ≤15μm | ≤25μm | ≤15μm | |
Warp (GF3YFER) | ≤25μm | ≤25μm | ≤40μm | ≤25μm | |
LTV (SBIR) - 10 mm x 10 mm | <2μm | ||||
Wafer Edge | Bisellu |
FINITURA DI SUPERFICIE
*n-Pm=n-type Pm-Grade, n-Ps=n-tipu Ps-Grade, Sl=Semi-isolante
Articulu | 8-inch | 6-inch | 4-inch | ||
nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
Finitura di a superficia | Lucidatura ottica doppia faccia, Si-Face CMP | ||||
Rugosità di a superficia | (10um x 10um) Si-FaceRa≤0.2nm | (5umx5um) Si-Face Ra≤0.2nm | |||
Chips Edge | Nisunu permessu (lunghezza è larghezza ≥ 0,5 mm) | ||||
Indentati | Nisunu permessu | ||||
Scratchs (Si-Face) | Qty.≤5, Cumulative | Qty.≤5, Cumulative | Qty.≤5, Cumulative | ||
Cracks | Nisunu permessu | ||||
Exclusion Edge | 3 mm |