La hòstia de silici tipus P de 8 polzades de VET Energy és una hòstia de silici d'alt rendiment dissenyada per a una àmplia gamma d'aplicacions de semiconductors, incloses cèl·lules solars, dispositius MEMS i circuits integrats. Coneguda per la seva excel·lent conductivitat elèctrica i un rendiment constant, aquesta hòstia és l'opció preferida per als fabricants que busquen produir components electrònics fiables i eficients. VET Energy garanteix nivells de dopatge precisos i un acabat superficial d'alta qualitat per a una fabricació òptima del dispositiu.
Aquestes hòsties de silici de tipus P de 8 polzades són totalment compatibles amb diversos materials com el substrat SiC, l'hòstia SOI, el substrat SiN i són adequades per al creixement de les hòsties Epi, garantint la versatilitat per als processos avançats de fabricació de semiconductors. Les hòsties també es poden utilitzar juntament amb altres materials d'alta tecnologia com l'òxid de gal·li Ga2O3 i les hòsties d'AlN, cosa que les fa ideals per a aplicacions electròniques de nova generació. El seu disseny robust també s'adapta perfectament als sistemes basats en cassets, assegurant una gestió eficient i de gran volum de producció.
VET Energy ofereix als clients solucions d'hòsties personalitzades. Podem personalitzar hòsties amb diferent resistivitat, contingut d'oxigen, gruix, etc. segons les necessitats específiques dels clients. A més, també oferim suport tècnic professional i servei postvenda per ajudar els clients a resoldre diversos problemes trobats durant el procés de producció.
ESPECIFICACIONS DE LA HÒBLEA
*n-Pm=n-tipus Pm-Grau, n-Ps=n-tipus Ps-Grau, Sl=Semi-aïllant
Item | 8 polzades | 6 polzades | 4 polzades | ||
nP | n-p.m | n-Ps | SI | SI | |
TTV (GBIR) | ≤6um | ≤6um | |||
Arc (GF3YFCD)-Valor absolut | ≤15μm | ≤15μm | ≤25μm | ≤15μm | |
Deformació (GF3YFER) | ≤25μm | ≤25μm | ≤40μm | ≤25μm | |
LTV (SBIR) - 10 mm x 10 mm | <2 μm | ||||
Vora de l'hòstia | Bisellat |
ACABAT SUPERFICIAL
*n-Pm=n-tipus Pm-Grau, n-Ps=n-tipus Ps-Grau, Sl=Semi-aïllant
Item | 8 polzades | 6 polzades | 4 polzades | ||
nP | n-p.m | n-Ps | SI | SI | |
Acabat superficial | Poliment òptic de doble cara, CMP Si-face | ||||
Rugositat superficial | (10um x 10um) Si-FaceRa≤0,2 nm | (5umx5um) Si-Face Ra≤0.2nm | |||
Xips de vora | Cap permès (longitud i amplada ≥0,5 mm) | ||||
Sagnats | Cap permès | ||||
Esgarrapades (Si-Face) | Quantitat ≤5, acumulat | Quantitat ≤5, acumulat | Quantitat ≤5, acumulat | ||
Esquerdes | Cap permès | ||||
Exclusió de la vora | 3 mm |