Vijesti

Uvod u treću generaciju poluvodiča GaN i srodnu epitaksijalnu tehnologiju
by admin 24-06-25
1. Poluprovodnici treće generacije Poluprovodnička tehnologija prve generacije razvijena je na bazi poluprovodničkih materijala kao što su Si i Ge. To je materijalna osnova za razvoj tranzistora i tehnologije integriranih kola. Poluprovodnički materijali prve generacije postavili su ...
Pročitajte više
Numerička simulacijska studija o utjecaju poroznog grafita na rast kristala silicijum karbida
by admin 24-06-18
Osnovni proces rasta kristala SiC dijeli se na sublimaciju i razgradnju sirovina na visokoj temperaturi, transport supstanci gasne faze pod dejstvom temperaturnog gradijenta i rekristalizacioni rast supstanci gasne faze na začmenom kristalu. Na osnovu ovoga, ...
Pročitajte više
Vrste specijalnog grafita
by admin 24-06-17
Specijalni grafit je grafitni materijal visoke čistoće, visoke gustine i visoke čvrstoće i ima odličnu otpornost na koroziju, visoku temperaturnu stabilnost i veliku električnu provodljivost. Izrađuje se od prirodnog ili umjetnog grafita nakon termičke obrade na visokim temperaturama i obrade pod visokim pritiskom...
Pročitajte više
Analiza opreme za taloženje tankog filma – principi i primjena PECVD/LPCVD/ALD opreme
by admin 24-06-12
Nanošenje tankog filma je oblaganje sloja filma na glavnom materijalu podloge poluvodiča. Ovaj film može biti napravljen od različitih materijala, kao što su izolaciona smeša silicijum dioksid, poluprovodnički polisilicijum, metalni bakar, itd. Oprema koja se koristi za premazivanje naziva se taloženje tankog filma...
Pročitajte više
Važni materijali koji određuju kvalitet rasta monokristalnog silicijuma – toplotno polje
by admin 24-06-12
Proces rasta monokristalnog silicijuma u potpunosti se odvija u termičkom polju. Dobro termalno polje pogoduje poboljšanju kvaliteta kristala i ima veću efikasnost kristalizacije. Dizajn toplotnog polja u velikoj meri određuje promene u temperaturnim gradijentima...
Pročitajte više
Koje su tehničke poteškoće peći za rast kristala silicijum karbida?
by admin 24-06-07
Peć za rast kristala je osnovna oprema za rast kristala silicijum karbida. Slična je tradicionalnoj peći za uzgoj kristala od kristalnog silicija. Struktura peći nije mnogo komplikovana. Uglavnom se sastoji od tela peći, sistema grejanja, mehanizma prenosa zavojnice...
Pročitajte više
Koji su defekti epitaksijalnog sloja silicijum karbida
by admin 24-06-05
Osnovna tehnologija za rast SiC epitaksijalnih materijala je prvo tehnologija kontrole defekta, posebno za tehnologiju kontrole defekta koja je sklona kvaru uređaja ili degradaciji pouzdanosti. Proučavanje mehanizma defekta supstrata koji se proteže u epi...
Pročitajte više
Tehnologija oksidiranog stojećeg zrna i epitaksijalnog rasta-Ⅱ
by admin 24-05-30
3. Epitaksijalni rast tankog filma Podloga pruža fizički sloj potpore ili provodni sloj za Ga2O3 energetske uređaje. Sljedeći važan sloj je sloj kanala ili epitaksijalni sloj koji se koristi za naponsku otpornost i transport nosioca. Da bi se povećao napon proboja i minimizirao provod...
Pročitajte više
Galijev oksid monokristal i tehnologija epitaksijalnog rasta
by admin 24-05-30
Poluprovodnici sa širokim pojasom (WBG) predstavljeni silicijum karbidom (SiC) i galijum nitridom (GaN) dobili su široku pažnju. Ljudi imaju velika očekivanja za izglede za primjenu silicijum karbida u električnim vozilima i električnim mrežama, kao i izglede za primjenu galija...
Pročitajte više