CVD-SiCпокритието има характеристиките на еднаква структура, компактен материал, устойчивост на висока температура, устойчивост на окисляване, висока чистота, устойчивост на киселина и алкали и органичен реагент, със стабилни физични и химични свойства.

В сравнение с графитните материали с висока чистота, графитът започва да се окислява при 400C, което ще доведе до загуба на прах поради окисляване, което води до замърсяване на околната среда на периферните устройства и вакуумни камери и увеличаване на примесите в околната среда с висока чистота.

Въпреки това, SiC покритието може да поддържа физическа и химическа стабилност при 1600 градуса. То се използва широко в съвременната индустрия, особено в полупроводниковата индустрия.

Нашата компания предоставя услуги за процес на нанасяне на SiC покритие чрез CVD метод върху повърхността на графит, керамика и други материали, така че специални газове, съдържащи въглерод и силиций, реагират при висока температура, за да се получат високочисти SiC молекули, молекули, отложени върху повърхността на покритите материали, образувайки SIC защитен слой. Формираният SIC е здраво свързан с графитната основа, придавайки на графитната основа специални свойства, като по този начин прави повърхността на графита компактна, без порьозност, устойчивост на висока температура, устойчивост на корозия и устойчивост на окисление.

Основни характеристики:

1. Устойчивост на окисление при висока температура:

устойчивостта на окисление е все още много добра, когато температурата е по-висока от 1600 C.

2. Висока чистота: направено чрез химическо отлагане на пари при високотемпературно хлориране.

3. Устойчивост на ерозия: висока твърдост, компактна повърхност, фини частици.

4. Устойчивост на корозия: киселина, основи, сол и органични реагенти.

Основни спецификации на CVD-SIC покрития: