Suscetpor с покритие от SiC е ключов компонент, използван в различни процеси за производство на полупроводници. Ние използваме нашата патентована технология, за да направим SiC покритие suscetpor с изключително висока чистота, добра равномерност на покритието и отличен експлоатационен живот, както и висока химическа устойчивост и термична стабилност.
Характеристики на нашите продукти:
1. Устойчивост на окисление при висока температура до 1700 ℃.
2. Висока чистота и термична еднородност
3. Отлична устойчивост на корозия: киселина, основи, сол и органични реагенти.
4. Висока твърдост, компактна повърхност, фини частици.
5. По-дълъг експлоатационен живот и по-издръжлив
| ССЗ SiC薄膜基本物理性能 Основни физични свойства на CVD SiCпокритие | |
| 性质 / Имот | 典型数值 / Типична стойност |
| 晶体结构 / Кристална структура | FCC β фаза多晶，主要为（111) 取向 |
| 密度 / Плътност | 3,21 g/cm³ |
| 硬度 / Твърдост | 2500 维氏硬度（500g товар） |
| 晶粒大小 / Размер на зърното | 2~10μm |
| 纯度 / Химическа чистота | 99,99995% |
| 热容 / Топлинен капацитет | 640 J·kg-1·К-1 |
| 升华温度 / Температура на сублимация | 2700 ℃ |
| 抗弯强度 / Якост на огъване | 415 MPa RT 4-точков |
| 杨氏模量 / Модулът на Йънг | 430 Gpa 4pt завой, 1300 ℃ |
| 导热系数 / ТермалПроводимост | 300W·m-1·К-1 |
| 热膨胀系数 / Термично разширение (CTE) | 4,5×10-6K-1 |
Горещо ви приветстваме да посетите нашата фабрика, нека да обсъдим допълнително!
