SiC покрита графитна част Halfmoonis a ключкомпонент, използван в процесите на производство на полупроводници, особено за SiC епитаксиално оборудване.Ние използваме нашата патентована технология, за да направим частта на полумесецаизключително висока чистота,добрепокритиееднаквости отличен експлоатационен живот, както ивисока химическа устойчивост и термична стабилност.
ПОО Енергия е наистински производител на персонализирани продукти от графит и силициев карбид с CVD покритие,може да доставиразличниперсонализирани части за полупроводникова и фотоволтаична индустрия. OВашият технически екип идва от водещи местни изследователски институции, може да предостави по-професионални материални решенияза вас.
Ние непрекъснато разработваме усъвършенствани процеси, за да осигурим по-модерни материали,иса разработили изключителна патентована технология, която може да направи връзката между покритието и субстрата по-плътна и по-малко податлива на отделяне.
Fхарактеристики на нашите продукти:
1. Устойчивост на окисление при висока температура до 1700℃.
2. Висока чистота итоплинна еднородност
3. Отлична устойчивост на корозия: киселина, основи, сол и органични реагенти.
4. Висока твърдост, компактна повърхност, фини частици.
5. По-дълъг експлоатационен живот и по-издръжлив
| ССЗ SiC薄膜基本物理性能 Основни физични свойства на CVD SiCпокритие | |
| 性质 / Имот | 典型数值 / Типична стойност |
| 晶体结构 / Кристална структура | FCC β фаза多晶，主要为（111) 取向 |
| 密度 / Плътност | 3,21 g/cm³ |
| 硬度 / Твърдост | 2500 维氏硬度（500g товар） |
| 晶粒大小 / Размер на зърното | 2~10μm |
| 纯度 / Химическа чистота | 99,99995% |
| 热容 / Топлинен капацитет | 640 J·kg-1·К-1 |
| 升华温度 / Температура на сублимация | 2700 ℃ |
| 抗弯强度 / Якост на огъване | 415 MPa RT 4-точков |
| 杨氏模量 / Модулът на Йънг | 430 Gpa 4pt завой, 1300 ℃ |
| 导热系数 / ТермалПроводимост | 300W·m-1·К-1 |
| 热膨胀系数 / Термично разширение (CTE) | 4,5×10-6K-1 |
Горещо ви приветстваме да посетите нашата фабрика, нека да обсъдим допълнително!
