12-инчовата силиконова пластина за производство на полупроводници, предлагана от VET Energy, е проектирана да отговаря на прецизните стандарти, изисквани в полупроводниковата индустрия. Като един от водещите продукти в нашата гама, VET Energy гарантира, че тези пластини се произвеждат с прецизна плоскост, чистота и качество на повърхността, което ги прави идеални за авангардни полупроводникови приложения, включително микрочипове, сензори и усъвършенствани електронни устройства.
Тази пластина е съвместима с широка гама от материали като Si Wafer, SiC субстрат, SOI Wafer, SiN субстрат и Epi Wafer, осигурявайки отлична гъвкавост за различни производствени процеси. Освен това, той се съчетава добре с напреднали технологии като Gallium Oxide Ga2O3 и AlN Wafer, гарантирайки, че може да бъде интегриран във високоспециализирани приложения. За безпроблемна работа пластината е оптимизирана за използване със стандартни за промишлеността касетъчни системи, осигурявайки ефективно боравене при производството на полупроводници.
Продуктовата линия на VET Energy не се ограничава до силициеви пластини. Ние също така предоставяме широка гама от полупроводникови субстратни материали, включително SiC субстрат, SOI вафла, SiN субстрат, Epi вафла и т.н., както и нови широколентови полупроводникови материали като галиев оксид Ga2O3 и AlN вафла. Тези продукти могат да отговорят на нуждите от приложения на различни клиенти в силовата електроника, радиочестотите, сензорите и други области.
Области на приложение:
•Логически чипове:Производство на високопроизводителни логически чипове като CPU и GPU.
•Чипове с памет:Производство на чипове памет като DRAM и NAND Flash.
•Аналогови чипове:Производство на аналогови чипове като ADC и DAC.
•Сензори:MEMS сензори, сензори за изображения и др.
VET Energy предоставя на клиентите персонализирани решения за вафли и може да персонализира вафли с различно съпротивление, различно съдържание на кислород, различна дебелина и други спецификации според специфичните нужди на клиентите. В допълнение, ние също така предоставяме професионална техническа поддръжка и следпродажбено обслужване, за да помогнем на клиентите да оптимизират производствените процеси и да подобрят добива на продукта.
СПЕЦИФИКАЦИИ НА ВАФЛИТЕ
*n-Pm=n-тип Pm-клас,n-Ps=n-тип Ps-клас,Sl=полуизолиращ
Артикул | 8-инчов | 6-инчов | 4-инчов | ||
nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
TTV (GBIR) | ≤6um | ≤6um | |||
Лък (GF3YFCD)-Абсолютна стойност | ≤15μm | ≤15μm | ≤25μm | ≤15μm | |
Изкривяване (GF3YFER) | ≤25μm | ≤25μm | ≤40μm | ≤25μm | |
LTV(SBIR)-10mmx10mm | <2μm | ||||
Wafer Edge | Скосяване |
ПОВЪРХНОСТНО ЗАВЪРШВАНЕ
*n-Pm=n-тип Pm-клас,n-Ps=n-тип Ps-клас,Sl=полуизолиращ
Артикул | 8-инчов | 6-инчов | 4-инчов | ||
nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
Повърхностно покритие | Двустранно оптично полиране, Si-Face CMP | ||||
Грапавост на повърхността | (10um x 10um) Si-FaceRa≤0.2nm | (5umx5um) Si-Face Ra≤0.2nm | |||
Крайни чипове | Няма разрешено (дължина и ширина≥0,5 mm) | ||||
Отстъпи | Няма разрешено | ||||
Драскотини (Si-Face) | Кол.≤5, Кумулативно | Кол.≤5, Кумулативно | Кол.≤5, Кумулативно | ||
Пукнатини | Няма разрешено | ||||
Изключване на ръба | 3 мм |