4-цалевая пласціна GaAs ад VET Energy з'яўляецца важным матэрыялам для высакахуткасных і оптаэлектронных прылад, у тым ліку радыёчастотных узмацняльнікаў, святлодыёдаў і сонечных батарэй. Гэтыя пласціны вядомыя сваёй высокай мабільнасцю электронаў і здольнасцю працаваць на больш высокіх частотах, што робіць іх ключавым кампанентам у сучасных паўправадніковых прылажэннях. VET Energy забяспечвае высакаякасныя пласціны GaAs з аднолькавай таўшчынёй і мінімальнымі дэфектамі, прыдатныя для шэрагу складаных працэсаў вытворчасці.
Гэтыя 4-цалевыя пласціны GaAs сумяшчальныя з рознымі паўправадніковымі матэрыяламі, такімі як Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer і SiN Substrate, што робіць іх універсальнымі для інтэграцыі ў розныя архітэктуры прылад. Незалежна ад таго, выкарыстоўваюцца яны для вытворчасці Epi Wafer або разам з перадавымі матэрыяламі, такімі як аксід галію Ga2O3 і AlN Wafer, яны прапануюць надзейную аснову для электронікі новага пакалення. Акрамя таго, пласціны цалкам сумяшчальныя з сістэмамі апрацоўкі на аснове касет, што забяспечвае бесперабойную працу як у навукова-даследчых, так і ў масавых вытворчых асяроддзях.
VET Energy прапануе шырокі спектр паўправадніковых падкладак, уключаючы Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate, Epi Wafer, Gallium Axide Ga2O3 і AlN Wafer. Наша разнастайная лінейка прадуктаў задавальняе патрэбы розных электронных прыкладанняў, ад сілавой электронікі да ВЧ і оптаэлектронікі.
VET Energy прапануе наладжвальныя пласціны GaAs для задавальнення вашых канкрэтных патрабаванняў, уключаючы розныя ўзроўні легіравання, арыентацыю і аздабленне паверхні. Наша каманда экспертаў забяспечвае тэхнічную падтрымку і пасляпродажнае абслугоўванне, каб гарантаваць ваш поспех.
СПЕЦЫФІКАЦЫІ ВАФЕЛЕЙ
*n-Pm=n-тып Pm-класа,n-Ps=n-тыпу Ps-класа,Sl=паўізаляцыйны
Пункт | 8-цалевы | 6-цалевы | 4-цалевы | ||
пп | п-пм | п-пс | SI | SI | |
TTV (GBIR) | ≤6 мкм | ≤6 мкм | |||
Лук (GF3YFCD) - абсалютнае значэнне | ≤15 мкм | ≤15 мкм | ≤25 мкм | ≤15 мкм | |
Дэфармацыя (GF3YFER) | ≤25 мкм | ≤25 мкм | ≤40 мкм | ≤25 мкм | |
LTV(SBIR)-10ммx10мм | <2 мкм | ||||
Вафельны край | Фаска |
АЗДАБЛЕННЕ ПАВЕРХНІ
*n-Pm=n-тып Pm-класа,n-Ps=n-тыпу Ps-класа,Sl=паўізаляцыйны
Пункт | 8-цалевы | 6-цалевы | 4-цалевы | ||
пп | п-пм | п-пс | SI | SI | |
Аздабленне паверхні | Двухбаковая аптычная паліроўка, Si-Face CMP | ||||
Шурпатасць паверхні | (10 мкм x 10 мкм) Si-FaceRa≤0,2 нм | (5umx5um) Si-Face Ra≤0.2nm | |||
Сколкі краю | Нічога не дазволена (даўжыня і шырыня≥0,5 мм) | ||||
Водступы | Нічога не дазволена | ||||
Драпіны (Si-Face) | Кол.≤5, сукупны | Кол.≤5, сукупны | Кол.≤5, сукупны | ||
Расколіны | Нічога не дазволена | ||||
Выключэнне краю | 3 мм |