SiC Coating Carrier Fun RTP / RTA jẹ paati bọtini ti a lo ninu awọn ilana iṣelọpọ semikondokito ti a pe ni Rapid Thermal Processing & Annealing, a lo imọ-ẹrọ itọsi wa lati jẹ ki ohun elo carbide ohun alumọni pẹlu mimọ ti o ga pupọ, isokan ti a bo to dara ati igbesi aye iṣẹ to dara julọ, bii daradara bi giga kemikali resistance ati awọn ohun-ini iduroṣinṣin gbona.
Awọn ẹya ara ẹrọ ti awọn ọja wa:
1. Agbara ifoyina iwọn otutu to gaju to 1700 ℃.
2. Ga ti nw ati ki o gbona uniformity
3. O tayọ ipata resistance: acid, alkali, iyo ati Organic reagents.
4. Lile giga, dada iwapọ, awọn patikulu ti o dara.
5. Gigun iṣẹ igbesi aye ati diẹ sii ti o tọ
| CVD SiC薄膜基本物理性能 Awọn ohun-ini ti ara ipilẹ ti CVD SiCti a bo | |
| 性质 / Ohun ini | 典型数值 / Aṣoju Iye |
| 晶体结构 / Crystal Be | FCC β ipele多晶，主要为（111)取向 |
| 密度 / iwuwo | 3.21 g/cm³ |
| 硬度 / Lile | 2500 维氏硬度 (ẹrù 500g) |
| 晶粒大小 / Ọkà SiZe | 2 ~ 10μm |
| 纯度 / Kemikali ti nw | 99.99995% |
| 热容 / Ooru Agbara | 640 · kg-1· K-1 |
| 升华温度 / Sublimation otutu | 2700 ℃ |
| 抗弯强度 / Agbara Flexural | 415 MPa RT 4-ojuami |
| 杨氏模量 / Young's Modul | 430 Gpa 4pt tẹ, 1300 ℃ |
| 导热系数 / ThermalIwa ihuwasi | 300W·m-1· K-1 |
| 热膨胀系数 / Imugboroosi Gbona (CTE) | 4.5×10-6K-1 |
Agbara VET jẹ olupilẹṣẹ gidi ti lẹẹdi ti adani ati awọn ọja ohun alumọni ohun alumọni pẹlu awọn ibora oriṣiriṣi bii ibora SiC, ibora TaC, ideri erogba gilasi, ibora erogba pyrolytic, ati bẹbẹ lọ, le pese ọpọlọpọ awọn ẹya ti adani fun semikondokito ati ile-iṣẹ fọtovoltaic.
Ẹgbẹ imọ-ẹrọ wa lati awọn ile-iṣẹ iwadii ile ti o ga julọ, le pese awọn solusan ohun elo alamọdaju diẹ sii fun ọ.
A n ṣe idagbasoke awọn ilana ilọsiwaju nigbagbogbo lati pese awọn ohun elo to ti ni ilọsiwaju diẹ sii, ati pe a ti ṣiṣẹ imọ-ẹrọ itọsi iyasọtọ, eyiti o le jẹ ki isunmọ laarin ibora ati sobusitireti ṣinṣin ati ki o kere si itusilẹ.
Fifẹ gba ọ lati ṣabẹwo si ile-iṣẹ wa, jẹ ki a ni ijiroro siwaju!
