Awọn ohun-ini ti ohun alumọni carbide recrystallized
Carbide silikoni ti a tunṣe (R-SiC) jẹ ohun elo iṣẹ ṣiṣe giga pẹlu líle keji nikan si diamond, eyiti o ṣẹda ni iwọn otutu giga ju 2000 ℃. O ṣe idaduro ọpọlọpọ awọn ohun-ini ti o dara julọ ti SiC, gẹgẹbi agbara iwọn otutu ti o ga, ipata ipata, resistance ifoyina ti o dara julọ, resistance mọnamọna gbona ti o dara ati bẹbẹ lọ.
● Awọn ohun-ini ẹrọ ti o dara julọ. Awọn ohun alumọni ohun alumọni ti a tunṣe ni agbara ti o ga julọ ati lile ju okun erogba lọ, resistance resistance ti o ga, le ṣe iṣẹ ṣiṣe ti o dara ni awọn agbegbe iwọn otutu to gaju, le mu iṣẹ ṣiṣe counterbalance ti o dara julọ ni awọn ipo pupọ. Ni afikun, o tun ni irọrun ti o dara ati pe ko ni rọọrun bajẹ nipasẹ sisọ ati titọ, eyiti o mu iṣẹ rẹ pọ si.
● Idaabobo ipata giga. Awọn ohun alumọni ohun alumọni Recrystallized ni o ni agbara ipata giga si ọpọlọpọ awọn media, le ṣe idiwọ ogbara ti ọpọlọpọ awọn media ibajẹ, le ṣetọju awọn ohun-ini ẹrọ rẹ fun igba pipẹ, ni ifaramọ to lagbara, nitorinaa o ni igbesi aye iṣẹ to gun. Ni afikun, o tun ni iduroṣinṣin igbona to dara, le ṣe deede si iwọn awọn iyipada iwọn otutu, mu ipa ohun elo rẹ dara.
● Ṣíṣekúṣe kì í dín kù. Nitoripe ilana isunmọ ko dinku, ko si aapọn aloku yoo fa ibajẹ tabi fifọ ọja naa, ati awọn ẹya ti o ni awọn apẹrẹ ti o nipọn ati pipe to gaju ni a le pese.
| 重结晶碳化硅物理特性 Awọn ohun-ini ti ara ti Silicon Carbide Recrystallized | |
| 性质 / Ohun ini | 典型数值 / Aṣoju Iye |
| 使用温度/ Iwọn otutu iṣẹ (°C) | 1600°C (pẹlu atẹgun), 1700°C (idinku ayika) |
| SiC含量/ SiC akoonu | > 99.96% |
| 自由Si含量/ Free Si akoonu | <0.1% |
| 体积密度/Olopobobo iwuwo | 2,60-2,70 g / cm3 |
| 气孔率/ Han porosity | <16% |
| 抗压强度/ Agbara titẹ | > 600MPa |
| 常温抗弯强度/Agbara atunse tutu | 80-90 MPa (20°C) |
| 高温抗弯强度Gbona atunse agbara | 90-100 MPa (1400°C) |
| 热膨胀系数/ Gbona imugboroosi @ 1500 ° C | 4.70 10-6/°C |
| 导热系数/Gbona elekitiriki @1200°C | 23W/m•K |
| 杨氏模量/ Rirọ modulu | 240 GPA |
| 抗热震性/ Gbona mọnamọna resistance | O dara pupọ |
Agbara VET jẹ awọnolupese gidi ti graphite ti adani ati awọn ọja ohun alumọni carbide pẹlu ibora CVD,le peseorisirisiawọn ẹya adani fun semikondokito ati ile-iṣẹ fọtovoltaic. OẸgbẹ imọ-ẹrọ ur wa lati awọn ile-iṣẹ iwadii ile ti o ga julọ, le pese awọn solusan ohun elo alamọdaju diẹ siifun e.
A ṣe idagbasoke awọn ilana ilọsiwaju nigbagbogbo lati pese awọn ohun elo ilọsiwaju diẹ sii,atiti ṣiṣẹ imọ-ẹrọ itọsi iyasọtọ, eyiti o le jẹ ki isunmọ laarin ibora ati sobusitireti ṣinṣin ati ki o kere si isọkuro.
| CVD SiC薄膜基本物理性能 Awọn ohun-ini ti ara ipilẹ ti CVD SiCti a bo | |
| 性质 / Ohun ini | 典型数值 / Aṣoju Iye |
| 晶体结构 / Crystal Be | FCC β ipele多晶，主要为（111)取向 |
| 密度 / iwuwo | 3.21 g/cm³ |
| 硬度 / Lile | 2500 维氏硬度 (ẹrù 500g) |
| 晶粒大小 / Ọkà SiZe | 2 ~ 10μm |
| 纯度 / Kemikali ti nw | 99.99995% |
| 热容 / Ooru Agbara | 640 · kg-1· K-1 |
| 升华温度 / Sublimation otutu | 2700 ℃ |
| 抗弯强度 / Agbara Flexural | 415 MPa RT 4-ojuami |
| 杨氏模量 / Young's Modul | 430 Gpa 4pt tẹ, 1300 ℃ |
| 导热系数 / ThermalIwa ihuwasi | 300W·m-1· K-1 |
| 热膨胀系数 / Imugboroosi Gbona (CTE) | 4.5×10-6K-1 |
Fifẹ gba ọ lati ṣabẹwo si ile-iṣẹ wa, jẹ ki a ni ijiroro siwaju!
