vet-china גיט די ינאַווייטיוו ווערטיקאַל זייַל וואַפער באָאַט & פּעדעסטאַל, אַ פולשטענדיק לייזונג פֿאַר אַוואַנסירטע סעמיקאַנדאַקטער פּראַסעסינג. די ווייפער האַנדלינג סיסטעם איז דיזיינד מיט פּינטלעך פּינטלעכקייַט און גיט אַ גלייַכן פעסטקייַט און אַליינמאַנט, קריטיש פֿאַר הויך-עפעקטיווקייַט מאַנופאַקטורינג ינווייראַנמאַנץ.
די ווערטיקאַל זייַל ווייפער באָאַט & פּעדעסטאַל איז קאַנסטראַקטאַד מיט פּרעמיע מאַטעריאַלס וואָס גאַראַנטירן טערמאַל פעסטקייַט און קעגנשטעל צו כעמישער קעראָוזשאַן, מאכן עס פּאַסיק פֿאַר די מערסט פאדערן סעמיקאַנדאַקטער פאַבריקיישאַן פּראַסעסאַז. זיין יינציק ווערטיקאַל זייַל פּלאַן שטיצט ווייפערז סיקיורלי, רידוסינג די ריזיקירן פון מיסאַליינמאַנט און פּאָטענציעל שעדיקן בעשאַס אַריבערפירן און פּראַסעסינג.
מיט די ינאַגריישאַן פון וועטערינאַר טשיינאַ ס ווערטיקאַל זייַל וואַפער באָאַט & פּעדעסטאַל, סעמיקאַנדאַקטער מאַניאַפאַקטשערערז קענען דערוואַרטן ימפּרוווד טרופּוט, מינאַמייזד דאַונטיים און געוואקסן פּראָדוקט טראָגן. דער סיסטעם איז קאַמפּאַטאַבאַל מיט פאַרשידן ווייפער סיזעס און קאַנפיגיעריישאַנז, און אָפפערס בייגיקייַט און סקאַלאַביליטי פֿאַר פאַרשידענע פּראָדוקציע דאַרף.
וועטער-טשיינאַ ס היסכייַוועס צו עקסאַלאַנס ינשורז אַז יעדער ווערטיקאַל זייַל וואַפער באָאַט & פּעדעסטאַל טרעפן די העכסטן סטאַנדאַרדס פון קוואַליטעט און פאָרשטעלונג. דורך טשוזינג דעם קאַטינג-ברעג לייזונג, איר ינוועסטירן אין אַ צוקונפֿט-דערווייַז צוגאַנג צו וואַפער האַנדלינג וואָס מאַקסאַמייזיז עפעקטיווקייַט און רילייאַבילאַטי אין סעמיקאַנדאַקטער מאַנופאַקטורינג.
פּראָפּערטיעס פון רעקריסטאַלליזעד סיליציום קאַרבידע
רעקריסטאַלליזעד סיליציום קאַרבידע (ר-סיק) איז אַ הויך-פאָרשטעלונג מאַטעריאַל מיט כאַרדנאַס רגע בלויז צו דימענט, וואָס איז געשאפן אין אַ הויך טעמפּעראַטור העכער 2000 ℃. עס ריטיינז פילע ויסגעצייכנט פּראָפּערטיעס פון סיק, אַזאַ ווי הויך טעמפּעראַטור שטאַרקייַט, שטאַרק קעראָוזשאַן קעגנשטעל, ויסגעצייכנט אַקסאַדיישאַן קעגנשטעל, גוט טערמאַל קלאַפּ קעגנשטעל און אַזוי אויף.
● ויסגעצייכנט מעטשאַניקאַל פּראָפּערטיעס. רעקריסטאַלליזעד סיליציום קאַרבידע האט העכער שטאַרקייַט און סטיפנאַס ווי טשאַד פיברע, הויך פּראַל קעגנשטעל, קענען שפּילן אַ גוט פאָרשטעלונג אין עקסטרעם טעמפּעראַטור ינווייראַנמאַנץ, קענען שפּילן אַ בעסער קאַונטערבאַלאַנס פאָרשטעלונג אין אַ פאַרשיידנקייַט פון סיטואַטיאָנס. אין דערצו, עס אויך האט גוט בייגיקייַט און איז נישט לייכט דאַמידזשד דורך סטרעטשינג און בענדינג, וואָס זייער ימפּרוווז זייַן פאָרשטעלונג.
● הויך קעראָוזשאַן קעגנשטעל. רעקריסטאַלליזעד סיליציום קאַרבידע האט הויך קעראָוזשאַן קעגנשטעל צו אַ פאַרשיידנקייַט פון מידיאַ, קענען פאַרמייַדן די יראָוזשאַן פון אַ פאַרשיידנקייַט פון קעראָוסיוו מידיאַ, קענען האַלטן זייַן מעטשאַניקאַל פּראָפּערטיעס פֿאַר אַ לאַנג צייַט, האט אַ שטאַרק אַדכיזשאַן, אַזוי עס האט אַ מער דינסט לעבן. אין דערצו, עס אויך האט גוט טערמאַל פעסטקייַט, קענען אַדאַפּט צו אַ זיכער קייט פון טעמפּעראַטור ענדערונגען, פֿאַרבעסערן די אַפּלאַקיישאַן ווירקונג.
● סינטערינג טוט נישט ייַנשרומפּן. ווייַל די סינטערינג פּראָצעס טוט נישט ייַנשרומפּן, קיין ריזידזשואַל דרוק וועט פאַרשאַפן דיפאָרמיישאַן אָדער קראַקינג פון די פּראָדוקט, און פּאַרץ מיט קאָמפּלעקס שאַפּעס און הויך פּינטלעכקייַט קענען זיין צוגעגרייט.
| 重结晶碳化硅物理特性 גשמיות פּראָפּערטיעס פון רעקריסטאַלליזעד סיליציום קאַרבידע | |
| 性质 / פאַרמאָג | 典型数值 / טיפּיש ווערט |
| 使用温度/ ארבעטן טעמפּעראַטור (°C) | 1600 ° C (מיט זויערשטאָף), 1700 ° C (רידוסינג סוויווע) |
| SiC含量/ סיק צופרידן | > 99.96% |
| 自由Si含量/ Free סי צופרידן | < 0.1% |
| 体积密度/פאַרנעם געדיכטקייַט | 2.60-2.70 ג / סענטימעטער3 |
| 气孔率/ קלאָר פּאָראָסיטי | < 16% |
| 抗压强度/ קאַמפּרעשאַן שטאַרקייַט | > 600מפּאַ |
| 常温抗弯强度/קאַלט בענדינג שטאַרקייַט | 80-90 מפּאַ (20 °C) |
| 高温抗弯强度הייס בענדינג שטאַרקייַט | 90-100 מפּאַ (1400 ℃) |
| 热膨胀系数/ טערמאַל יקספּאַנשאַן @1500 °C | 4.70 10-6/°C |
| 导热系数/טערמאַל קאַנדאַקטיוואַטי @1200 °C | 23װ/מ•ק |
| 杨氏模量/ עלאַסטיק מאָדולוס | 240 גפּאַ |
| 抗热震性/ טערמאַל קלאַפּ קעגנשטעל | גאָר גוט |
VET ענערגיע איז דיפאַקטיש פאַבריקאַנט פון קאַסטאַמייזד גראַפייט און סיליציום קאַרבידע פּראָדוקטן מיט CVD קאָוטינג,קענען צושטעלןפאַרשידןקאַסטאַמייזד פּאַרץ פֿאַר סעמיקאַנדאַקטער און פאָטאָוואָלטאַיק אינדוסטריע. Oדיין טעכניש מאַנשאַפֿט קומט פון שפּיץ דינער פאָרשונג אינסטיטוציעס, קענען צושטעלן מער פאַכמאַן מאַטעריאַל סאַלושאַנזפאר דיר.
מיר קאַנטיניואַסלי אַנטוויקלען אַוואַנסירטע פּראַסעסאַז צו צושטעלן מער אַוואַנסירטע מאַטעריאַלס,אוןהאָבן געארבעט אויס אַ ויסשליסיק פּאַטאַנטאַד טעכנאָלאָגיע, וואָס קענען מאַכן די באַנדינג צווישן די קאָוטינג און די סאַבסטרייט טייטער און ווייניקער פּראָנע צו דיטאַטשמאַנט.
| CVD SiC薄膜基本物理性能 יקערדיק גשמיות פּראָפּערטיעס פון CVD SiCקאָוטינג | |
| 性质 / פאַרמאָג | 典型数值 / טיפּיש ווערט |
| 晶体结构 / קריסטאַל סטרוקטור | פקק β פאַסע多晶，主要为（111）取向 |
| 密度 / געדיכטקייַט | 3.21 ג/קם³ |
| 硬度 / כאַרדנאַס | 2500 维氏硬度（500ג מאַסע） |
| 晶粒大小 / קערל גרייס | 2~10μם |
| 纯度 / כעמישער ריינקייַט | 99.99995% |
| 热容 / היץ קאַפּאַסיטי | 640 דזש·קג-1·ק-1 |
| 升华温度 / סובלימאַטיאָן טעמפּעראַטור | 2700℃ |
| 抗弯强度 / פלעקסוראַל סטרענגטה | 415 מפּאַ רט 4-פונט |
| 杨氏模量 / יונג ס מאָדולע | 430 גפּאַ 4 פּט בייגן, 1300 ℃ |
| 导热系数 / טערמאַלקאַנדאַקטיוואַטי | 300 וו·ם-1·ק-1 |
| 热膨胀系数 / טערמאַל יקספּאַנשאַן (CTE) | 4.5 × 10-6K-1 |
באַגריסן איר צו באַזוכן אונדזער פאַבריק, לאָזן אונדז האָבן ווייַטער דיסקוסיע!
