קאַנטיגיואַס וואַפער באָאַט

קורץ באַשרייַבונג:

די קאַנטיגיואַס וואַפער באָאַט פון וועטערינאַר-טשיינאַ איז דיזיינד פֿאַר עפעקטיוו וואַפער האַנדלינג אין סעמיקאַנדאַקטער מאַנופאַקטורינג. ענדזשאַנירד מיט פּינטלעכקייַט, וועט-טשיינאַ ס לייזונג ינשורז טערמאַל פעסטקייַט און כעמישער קעגנשטעל, אָפּטימיזינג פּראָדוקציע פּראַסעסאַז בשעת מינאַמייזינג שעדיקן און ענכאַנסינג טרופּוט.

שיקן בליצפּאָסט צו אונדז אראפקאפיע ווי פּדף

פּראָדוקט דעטאַל

פּראָדוקט טאַגס

וועטער-טשיינאַ ינטראַדוסיז אַ שטאַט-פון-דעם-קונסט קאַנטיגיואַס וואַפער באָאַט ענדזשאַנירד פֿאַר דער ווייַטער דור פון סעמיקאַנדאַקטער מאַנופאַקטורינג. דעם מאַטיקיאַלאַסלי דיזיינד שיפל אָפפערס אַנפּעראַלעלד פּינטלעכקייַט אין ווייפער האַנדלינג, ינשורינג סימלאַס אַפּעריישאַנז און באטייטיק רידוסינג די ריזיקירן פון שעדיקן בעשאַס פּראַסעסינג.

געבויט מיט הויך-קוואַליטעט מאַטעריאַלס, די קאַנטיגיואַס וואַפער באָאַט באָוס ויסגעצייכנט טערמאַל פעסטקייַט און יקסעפּשאַנאַל כעמישער קעגנשטעל, וואָס מאכט עס ידעאַל פֿאַר הויך-טעמפּעראַטור און האַרב כעמישער ינווייראַנמאַנץ. זיין ינאַווייטיוו פּלאַן ינשורז אַז ווייפערז זענען סיקיורלי געהאלטן און בישליימעס אַליינד, אָפּטימיזינג טרופּוט און ינקריסינג מאַנופאַקטורינג עפעקטיווקייַט.

דעם קאַטינג-ברעג ווייפער שיפל איז טיילערד צו טרעפן די פאדערן באדערפענישן פון מאָדערן סעמיקאַנדאַקטער פאַבס, וואָס שטיצט פאַרשידן ווייפער סיזעס און קאַנפיגיעריישאַנז. דורך ינקאָרפּערייטינג די קאַנטיגיואַס וואַפער באָאַט פון וועטערינאַר-טשיינאַ אין דיין פּראָדוקציע שורה, איר קענען דערוואַרטן ימפּרוווד פאָרשטעלונג, רידוסט דאַונטיים און געוואקסן טראָגן רייץ.

דערפאַרונג די חילוק מיט וועטער-טשיינאַ ס היסכייַוועס צו קוואַליטעט און כידעש, דעליווערינג פּראָדוקטן וואָס שטופּן די באַונדריז פון סעמיקאַנדאַקטער מאַנופאַקטורינג. קלייַבן די קאַנטיגיואַס וואַפער באָאַט און הייבן דיין ווייפער פּראַסעסינג קייפּאַבילאַטיז צו נייַע כייץ.

פּראָפּערטיעס פון רעקריסטאַלליזעד סיליציום קאַרבידע

רעקריסטאַלליזעד סיליציום קאַרבידע (ר-סיק) איז אַ הויך-פאָרשטעלונג מאַטעריאַל מיט כאַרדנאַס רגע בלויז צו דימענט, וואָס איז געשאפן אין אַ הויך טעמפּעראַטור העכער 2000 ℃. עס ריטיינז פילע ויסגעצייכנט פּראָפּערטיעס פון סיק, אַזאַ ווי הויך טעמפּעראַטור שטאַרקייַט, שטאַרק קעראָוזשאַן קעגנשטעל, ויסגעצייכנט אַקסאַדיישאַן קעגנשטעל, גוט טערמאַל קלאַפּ קעגנשטעל און אַזוי אויף.

● ויסגעצייכנט מעטשאַניקאַל פּראָפּערטיעס. רעקריסטאַלליזעד סיליציום קאַרבידע האט העכער שטאַרקייַט און סטיפנאַס ווי טשאַד פיברע, הויך פּראַל קעגנשטעל, קענען שפּילן אַ גוט פאָרשטעלונג אין עקסטרעם טעמפּעראַטור ינווייראַנמאַנץ, קענען שפּילן אַ בעסער קאַונטערבאַלאַנס פאָרשטעלונג אין אַ פאַרשיידנקייַט פון סיטואַטיאָנס. אין דערצו, עס אויך האט גוט בייגיקייַט און איז נישט לייכט דאַמידזשד דורך סטרעטשינג און בענדינג, וואָס זייער ימפּרוווז זייַן פאָרשטעלונג.

● הויך קעראָוזשאַן קעגנשטעל. רעקריסטאַלליזעד סיליציום קאַרבידע האט הויך קעראָוזשאַן קעגנשטעל צו אַ פאַרשיידנקייַט פון מידיאַ, קענען פאַרמייַדן די יראָוזשאַן פון אַ פאַרשיידנקייַט פון קעראָוסיוו מידיאַ, קענען האַלטן זייַן מעטשאַניקאַל פּראָפּערטיעס פֿאַר אַ לאַנג צייַט, האט אַ שטאַרק אַדכיזשאַן, אַזוי עס האט אַ מער דינסט לעבן. אין דערצו, עס אויך האט גוט טערמאַל פעסטקייַט, קענען אַדאַפּט צו אַ זיכער קייט פון טעמפּעראַטור ענדערונגען, פֿאַרבעסערן די אַפּלאַקיישאַן ווירקונג.

● סינטערינג טוט נישט ייַנשרומפּן. ווייַל די סינטערינג פּראָצעס טוט נישט ייַנשרומפּן, קיין ריזידזשואַל דרוק וועט פאַרשאַפן דיפאָרמיישאַן אָדער קראַקינג פון די פּראָדוקט, און פּאַרץ מיט קאָמפּלעקס שאַפּעס און הויך פּינטלעכקייַט קענען זיין צוגעגרייט.

重结晶碳化硅物理特性 גשמיות פּראָפּערטיעס פון רעקריסטאַלליזעד סיליציום קאַרבידע
性质 / פאַרמאָג	典型数值 / טיפּיש ווערט
使用温度/ ארבעטן טעמפּעראַטור (°C)	1600 ° C (מיט זויערשטאָף), 1700 ° C (רידוסינג סוויווע)
SiC含量/ סיק צופרידן	> 99.96%
自由Si含量/ Free סי צופרידן	< 0.1%
体积密度/פאַרנעם געדיכטקייַט	2.60-2.70 ג / סענטימעטער³
气孔率/ קלאָר פּאָראָסיטי	< 16%
抗压强度/ קאַמפּרעשאַן שטאַרקייַט	> 600מפּאַ
常温抗弯强度/קאַלט בענדינג שטאַרקייַט	80-90 מפּאַ (20 °C)
高温抗弯强度הייס בענדינג שטאַרקייַט	90-100 מפּאַ (1400 ℃)
热膨胀系数/ טערמאַל יקספּאַנשאַן @1500 °C	4.70 10^-6/°C
导热系数/טערמאַל קאַנדאַקטיוואַטי @1200 °C	23װ/מ•ק
杨氏模量/ עלאַסטיק מאָדולוס	240 גפּאַ
抗热震性/ טערמאַל קלאַפּ קעגנשטעל	גאָר גוט

VET ענערגיע איז דיפאַקטיש פאַבריקאַנט פון קאַסטאַמייזד גראַפייט און סיליציום קאַרבידע פּראָדוקטן מיט CVD קאָוטינג,קענען צושטעלןפאַרשידןקאַסטאַמייזד פּאַרץ פֿאַר סעמיקאַנדאַקטער און פאָטאָוואָלטאַיק אינדוסטריע. Oדיין טעכניש מאַנשאַפֿט קומט פון שפּיץ דינער פאָרשונג אינסטיטוציעס, קענען צושטעלן מער פאַכמאַן מאַטעריאַל סאַלושאַנזפאר דיר.

מיר קאַנטיניואַסלי אַנטוויקלען אַוואַנסירטע פּראַסעסאַז צו צושטעלן מער אַוואַנסירטע מאַטעריאַלס,אוןהאָבן געארבעט אויס אַ ויסשליסיק פּאַטאַנטאַד טעכנאָלאָגיע, וואָס קענען מאַכן די באַנדינג צווישן די קאָוטינג און די סאַבסטרייט טייטער און ווייניקער פּראָנע צו דיטאַטשמאַנט.

CVD SiC薄膜基本物理性能 יקערדיק גשמיות פּראָפּערטיעס פון CVD SiCקאָוטינג
性质 / פאַרמאָג	典型数值 / טיפּיש ווערט
晶体结构 / קריסטאַל סטרוקטור	פקק β פאַסע多晶，主要为（111）取向
密度 / געדיכטקייַט	3.21 ג/קם³
硬度 / כאַרדנאַס	2500 维氏硬度（500ג מאַסע）
晶粒大小 / קערל גרייס	2~10μם
纯度 / כעמישער ריינקייַט	99.99995%
热容 / היץ קאַפּאַסיטי	640 דזש·קג^-1·ק^-1
升华温度 / סובלימאַטיאָן טעמפּעראַטור	2700℃
抗弯强度 / פלעקסוראַל סטרענגטה	415 מפּאַ רט 4-פונט
杨氏模量 / יונג ס מאָדולע	430 גפּאַ 4 פּט בייגן, 1300 ℃
导热系数 / טערמאַלקאַנדאַקטיוואַטי	300 וו·ם^-1·ק^-1
热膨胀系数 / טערמאַל יקספּאַנשאַן (CTE)	4.5 × 10^-6K^-1