lắng đọng hơi hóa học (CVD) là một quy trình liên quan đến việc tạo một màng rắn trên bề mặt tấm wafer silicon thông qua phản ứng hóa học của hỗn hợp khí. Quy trình này có thể được chia thành các loại mô hình thiết bị được thiết lập dựa trên các điều kiện phản ứng hóa học khác nhau như áp suất và tiền chất.
Hai thiết bị này được sử dụng để làm thủ tục gì?Thiết bị PECVD (Tăng cường Plasma) được sử dụng rộng rãi trong các ứng dụng như OX, Nitride, cổng nguyên tố kim loại và carbon vô định hình. Mặt khác, LPCVD (Nguồn điện thấp) thường được sử dụng cho Nitride, poly và TEOS.
Nguyên tắc là gì?Công nghệ PECVD kết hợp năng lượng plasma và CVD bằng cách khai thác plasma ở nhiệt độ thấp để tạo ra sự phóng điện mới ở cực âm của buồng quy trình. Điều này cho phép kiểm soát phản ứng hóa học và hóa học trong huyết tương để tạo thành một lớp màng rắn trên bề mặt mẫu. Tương tự, LPCVD dự định vận hành ở mức giảm áp suất khí phản ứng hóa học trong lò phản ứng.
nhân hóa AI: Việc sử dụng Humanize AI trong lĩnh vực công nghệ CVD có thể nâng cao đáng kể hiệu quả và độ chính xác của quy trình lắng đọng phim. Bằng cách tận dụng thuật toán AI, việc theo dõi và điều chỉnh các thông số như thông số ion, tốc độ dòng khí, nhiệt độ và độ dày màng có thể được tối ưu hóa để có kết quả tốt hơn.
Thời gian đăng: 24/10/2024