Cacbua silic (SiC) là một vật liệu bán dẫn hỗn hợp mới. Cacbua silic có khoảng cách dải lớn (khoảng 3 lần silicon), cường độ trường tới hạn cao (khoảng 10 lần silicon), độ dẫn nhiệt cao (khoảng 3 lần silicon). Nó là một vật liệu bán dẫn thế hệ tiếp theo quan trọng. Lớp phủ SiC được sử dụng rộng rãi trong ngành công nghiệp bán dẫn và quang điện mặt trời. Đặc biệt, các chất nhạy cảm được sử dụng trong quá trình tăng trưởng epiticular của đèn LED và epit Wax đơn tinh thể Si yêu cầu sử dụng lớp phủ SiC. Do xu hướng phát triển mạnh mẽ của đèn LED trong ngành chiếu sáng và hiển thị cũng như sự phát triển mạnh mẽ của ngành bán dẫn,Sản phẩm phủ SiCtriển vọng rất tốt.
LĨNH VỰC ỨNG DỤNG
Độ tinh khiết, cấu trúc SEM, phân tích độ dày củalớp phủ SiC
Độ tinh khiết của lớp phủ SiC trên than chì bằng cách sử dụng CVD cao tới 99,9995%. Cấu trúc của nó là fcc. Các màng SiC được phủ trên than chì được định hướng (111) như thể hiện trong dữ liệu XRD (Hình 1) cho thấy chất lượng tinh thể cao của nó. Độ dày của màng SiC rất đồng đều như trong Hình 2.
Hình 2: độ dày đồng đều của màng SiC SEM và XRD của màng beta-SiC trên than chì
Dữ liệu SEM của màng mỏng CVD SiC, kích thước tinh thể là 2~1 Opm
Cấu trúc tinh thể của màng CVD SiC là cấu trúc hình khối đặt chính giữa mặt và hướng phát triển của màng gần 100%
Phủ silicon cacbua (SiC)cơ sở là cơ sở tốt nhất cho silicon đơn tinh thể và epit Wax GaN, là thành phần cốt lõi của lò epit Wax. Đế là phụ kiện sản xuất quan trọng dành cho silicon đơn tinh thể dành cho các mạch tích hợp lớn. Nó có độ tinh khiết cao, chịu nhiệt độ cao, chống ăn mòn, độ kín khí tốt và các đặc tính vật liệu tuyệt vời khác.
Ứng dụng và sử dụng sản phẩm
Lớp phủ nền than chì để tăng trưởng epiticular silicon đơn tinh thể Thích hợp cho máy Aixtron, v.v. Độ dày lớp phủ: 90 ~ 150um Đường kính của miệng hố wafer là 55mm.
Thời gian đăng: 14-03-2022