خبریں

سلکان کاربائیڈ گریفائٹ مولڈ کی خصوصیات
بذریعہ منتظم 24-07-18 کو
سلیکن کاربائیڈ گریفائٹ مولڈ سلیکن کاربائیڈ گریفائٹ مولڈ ایک جامع سڑنا ہے جس میں سلکان کاربائیڈ (SiC) بیس کے طور پر اور گریفائٹ کو تقویت دینے والے مواد کے طور پر ہے۔ اس مولڈ میں بہترین تھرمل چالکتا، اعلی درجہ حرارت کی مزاحمت، سنکنرن مزاحمت اور دوبارہ پہننے کی صلاحیت ہے...
مزید پڑھیں
سیمی کنڈکٹر فوٹو لیتھوگرافی کا مکمل عمل
بذریعہ منتظم 24-07-16 کو
ہر سیمی کنڈکٹر پروڈکٹ کی تیاری میں سینکڑوں عمل درکار ہوتے ہیں۔ ہم مینوفیکچرنگ کے پورے عمل کو آٹھ مراحل میں تقسیم کرتے ہیں: ویفر پروسیسنگ-آکسیڈیشن-فوٹو لیتھوگرافی-ایچنگ-پتلی فلم جمع-ایپٹیکسیل گروتھ-ڈفیوژن-آئن امپلانٹیشن۔ آپ کی مدد کے لیے...
مزید پڑھیں
4 ارب! SK Hynix نے پرڈیو ریسرچ پارک میں سیمی کنڈکٹر ایڈوانس پیکیجنگ سرمایہ کاری کا اعلان کیا۔
بذریعہ منتظم 24-07-09 کو
West Lafayette، انڈیانا - SK hynix Inc. نے پرڈیو ریسرچ پارک میں مصنوعی ذہانت کی مصنوعات کے لیے ایک جدید پیکیجنگ مینوفیکچرنگ اور R&D کی سہولت کی تعمیر کے لیے تقریباً $4 بلین کی سرمایہ کاری کے منصوبوں کا اعلان کیا۔ ویسٹ لافائیٹ میں امریکی سیمی کنڈکٹر سپلائی چین میں کلیدی لنک قائم کرنا...
مزید پڑھیں
لیزر ٹیکنالوجی سلکان کاربائیڈ سبسٹریٹ پروسیسنگ ٹیکنالوجی کی تبدیلی کی رہنمائی کرتی ہے۔
بذریعہ منتظم 24-07-08 کو
1. سلکان کاربائیڈ سبسٹریٹ پروسیسنگ ٹیکنالوجی کا جائزہ موجودہ سلکان کاربائیڈ سبسٹریٹ پروسیسنگ کے مراحل میں شامل ہیں: بیرونی دائرے کو پیسنا، سلائسنگ، چیمفرنگ، پیسنا، پالش کرنا، صفائی وغیرہ۔ سلائسنگ سیمی کنڈکٹر سبسٹریٹ پروسیسنگ میں ایک اہم مرحلہ ہے...
مزید پڑھیں
مرکزی دھارے کا تھرمل فیلڈ مواد: C/C جامع مواد
بذریعہ منتظم 24-07-01 کو
کاربن-کاربن کمپوزٹ کاربن فائبر مرکبات کی ایک قسم ہے، جس میں کاربن فائبر کمک مواد کے طور پر اور جمع کاربن میٹرکس مواد کے طور پر ہوتا ہے۔ C/C مرکبات کا میٹرکس کاربن ہے۔ چونکہ یہ تقریباً مکمل طور پر عنصری کاربن پر مشتمل ہے، اس لیے اس میں اعلی درجہ حرارت کی مزاحمت ہے...
مزید پڑھیں
SiC کرسٹل نمو کے لیے تین بڑی تکنیکیں۔
بذریعہ منتظم 24-07-01 کو
جیسا کہ تصویر 3 میں دکھایا گیا ہے، تین غالب تکنیکیں ہیں جن کا مقصد SiC سنگل کرسٹل کو اعلیٰ معیار اور افادیت کے ساتھ فراہم کرنا ہے: مائع فیز ایپیٹیکسی (LPE)، فزیکل ویپر ٹرانسپورٹ (PVT)، اور ہائی ٹمپریچر کیمیکل ویپر ڈیپوزیشن (HTCVD)۔ PVT SiC گناہ پیدا کرنے کے لیے ایک اچھی طرح سے قائم عمل ہے...
مزید پڑھیں
تیسری نسل کے سیمی کنڈکٹر GaN اور متعلقہ ایپیٹیکسیل ٹیکنالوجی کا مختصر تعارف
بذریعہ منتظم 24-06-28 کو
1. تیسری نسل کے سیمی کنڈکٹر پہلی نسل کی سیمی کنڈکٹر ٹیکنالوجی کو سیمی کنڈکٹر مواد جیسے Si اور Ge کی بنیاد پر تیار کیا گیا تھا۔ یہ ٹرانجسٹرز اور انٹیگریٹڈ سرکٹ ٹیکنالوجی کی ترقی کے لیے مادی بنیاد ہے۔ پہلی نسل کے سیمی کنڈکٹر مواد نے ایف...
مزید پڑھیں
23.5 بلین، سوزو کی سپر ایک تنگاوالا IPO جا رہا ہے
بذریعہ منتظم 24-06-28 کو
9 سال کی انٹرپرینیورشپ کے بعد، Innoscience نے کل فنانسنگ میں 6 بلین یوآن سے زیادہ کا اضافہ کیا ہے، اور اس کی ویلیویشن حیران کن طور پر 23.5 بلین یوآن تک پہنچ گئی ہے۔ سرمایہ کاروں کی فہرست درجنوں کمپنیوں تک لمبی ہے: فوکون وینچر کیپٹل، ڈونگ فانگ ریاستی ملکیتی اثاثے، سوزو زہانی، ووجیان...
مزید پڑھیں
ٹینٹلم کاربائیڈ لیپت مصنوعات مواد کی سنکنرن مزاحمت کو کیسے بڑھاتی ہیں؟
بذریعہ منتظم 24-06-25 کو
ٹینٹلم کاربائیڈ کوٹنگ عام طور پر استعمال ہونے والی سطح کے علاج کی ٹیکنالوجی ہے جو مواد کی سنکنرن مزاحمت کو نمایاں طور پر بہتر بنا سکتی ہے۔ ٹینٹلم کاربائیڈ کوٹنگ کو تیاری کے مختلف طریقوں کے ذریعے سبسٹریٹ کی سطح سے منسلک کیا جا سکتا ہے، جیسے کیمیائی بخارات جمع کرنا، فزیک...
مزید پڑھیں