Кремний Вафердагы VET Energy GaN - радио ешлыгы (RF) кушымталары өчен махсус эшләнгән ярымүткәргеч чишелеш. Кремний субстратында эпитаксиаль рәвештә югары сыйфатлы галий нитриды (GaN) үсә, VET Energy киң RF җайланмалары өчен чыгымлы һәм югары җитештерүчән платформа китерә.
Кремний ваферындагы бу GaN Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer, һәм SiN Substrate кебек башка материаллар белән туры килә, төрле ясалыш процесслары өчен күпкырлылыгын киңәйтә. Өстәвенә, ул Epi Wafer һәм Gallium Oxide Ga2O3 һәм AlN Wafer кебек алдынгы материаллар белән куллану өчен оптимальләштерелгән, алар югары көчле электроникада куллануны тагын да көчәйтәләр. Ваферлар куллану җиңеллеге һәм җитештерү нәтиҗәлелеген күтәрү өчен стандарт кассетаны кулланып җитештерү системасына бербөтен интеграция өчен эшләнгән.
VET Energy ярымүткәргеч субстратларның комплекслы портфелен тәкъдим итә, алар арасында Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate, Epi Wafer, Gallium Oxide Ga2O3, AlN Wafer. Безнең төрле продукт линиясе төрле электрон кушымталар ихтыяҗларын канәгатьләндерә, электр электроникасыннан алып RF һәм оптоэлектроникага кадәр.
Кремний Вафердагы GaN RF кушымталары өчен берничә өстенлек тәкъдим итә:
• frequгары ешлыклы эш:GaN-ның киң полосасы һәм югары электрон мобильлеге югары ешлыктагы эшне тәэмин итә, аны 5G һәм башка югары тизлекле элемтә системалары өчен идеаль итә.
• powerгары көч тыгызлыгы:GaN җайланмалары традицион кремнийга нигезләнгән җайланмалар белән чагыштырганда югары көч тыгызлыгын эшкәртә ала, бу тагын да тыгыз һәм эффектив RF системаларына китерә.
• Түбән энергия куллану:GaN җайланмалары түбән энергия куллануны күрсәтәләр, нәтиҗәдә энергия нәтиҗәлелеге яхшыра һәм җылылык таралуы кими.
Кушымталар:
• 5G чыбыксыз элемтә:Кремний вафиннарындагы GaN югары җитештерүчән 5G база станцияләрен һәм мобиль җайланмалар төзү өчен бик кирәк.
• Радар системалары:GaN нигезендәге RF көчәйткечләре радар системаларында югары эффективлыгы һәм киң киңлеге өчен кулланыла.
Спутник белән элемтә:GaN җайланмалары югары көчле һәм югары ешлыктагы спутник элемтә системаларын эшли.
• Хәрби электроника:GaN нигезендәге RF компонентлары электрон сугыш һәм радар системалары кебек хәрби кушымталарда кулланыла.
VET Energy кремний вафаларында көйләнә торган GaN тәкъдим итә, сезнең төрле таләпләрегезне канәгатьләндерү өчен, шул исәптән төрле допинг дәрәҗәләре, калынлыклар, вафер зурлыклары. Безнең экспертлар командасы сезнең уңышны тәэмин итү өчен техник ярдәм күрсәтә һәм сатудан соң хезмәт күрсәтә.
ВАФЕРИНГ үзенчәлекләре
* n-Pm = n-тип Pm-Grade, n-Ps = n-тип Ps-Grade, Sl = Ярым-лнсуляция
Предмет | 8-дюйм | 6-дюйм | 4-Инч | ||
nP | n-Pm | n-Мәд | SI | SI | |
TTV (GBIR) | ≤6ум | ≤6ум | |||
Bowәя (GF3YFCD) - Абсолют кыйммәт | ≤15μm | ≤15μm | ≤25μm | ≤15μm | |
Сугыш (GF3YFER) | ≤25μm | ≤25μm | ≤40μm | ≤25μm | |
LTV (SBIR) -10mmx10mm | <2μм | ||||
Вафер кыры | Бевелинг |
ТОРМЫШ
* n-Pm = n-тип Pm-Grade, n-Ps = n-тип Ps-Grade, Sl = Ярым-лнсуляция
Предмет | 8-дюйм | 6-дюйм | 4-Инч | ||
nP | n-Pm | n-Мәд | SI | SI | |
Faceир өсте | Ике ягы оптик поляк, Si-Face CMP | ||||
SurfaceRoughness | (10ум х 10ум) Si-FaceRa≤0.2nm | (5umx5um) Si-Face Ra≤0.2nm | |||
Кыр чиплары | Беркем дә рөхсәт ителмәгән (озынлык һәм киңлек≥0.5 мм) | ||||
Күрсәтмәләр | Беркем дә рөхсәт ителмәгән | ||||
Сызулар (Si-Face) | Qty.≤5, Кумулятив | Qty.≤5, Кумулятив | Qty.≤5, Кумулятив | ||
Ярыклар | Беркем дә рөхсәт ителмәгән | ||||
Кыр читен чыгару | 3 мм |