6 дюйм ярым изоляцион SiC Wafer

Кыска тасвирлау:

VET Energy 6 дюйм ярым изоляцион кремний карбид (SiC) ваферы - электроника кушымталарының киң ассортименты өчен югары сыйфатлы субстрат идеаль. VET Energy махсус кристалл сыйфаты, түбән җитешсезлек тыгызлыгы һәм югары каршылыклы SiC ваферларын җитештерү өчен алдынгы үсеш техникасын куллана.


Продукциянең детальләре

Продукция тэглары

VET Энергиясеннән 6 Инч ярым изоляцион SiC Wafer - югары җылылык үткәрүчәнлеге һәм электр изоляциясе тәкъдим итүче югары көчле һәм югары ешлыклы кушымталар өчен алдынгы чишелеш. Бу ярым изоляцион ваферлар RF көчәйткечләр, электр ачкычлары һәм башка югары көчәнеш компонентлары кебек җайланмалар үсешендә бик мөһим. VET Energy эзлекле сыйфатны һәм эшне тәэмин итә, бу ваферларны ярымүткәргеч эшкәртү процесслары өчен идеаль итә.

Аларның искиткеч изоляцион үзенчәлекләренә өстәп, бу SiC ваферлары Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate, Epi Wafer кебек төрле материаллар белән туры килә, аларны төрле җитештерү процесслары өчен күпкырлы итә. Моннан тыш, Gallium Oxide Ga2O3 һәм AlN Wafer кебек алдынгы материаллар бу SiC вафиннары белән берлектә кулланылырга мөмкин, бу югары көчле электрон җайланмаларда тагын да зуррак сыгылманы тәэмин итә. Ваферлар кассета системалары кебек сәнәгать стандарт эшкәртү системалары белән бердәм интеграцияләнү өчен эшләнгән, массакүләм җитештерү шартларында куллану җиңеллеген тәэмин итә.

VET Energy ярымүткәргеч субстратларның комплекслы портфелен тәкъдим итә, алар арасында Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate, Epi Wafer, Gallium Oxide Ga2O3, AlN Wafer. Безнең төрле продукт линиясе төрле электрон кушымталар ихтыяҗларын канәгатьләндерә, электр электроникасыннан алып RF һәм оптоэлектроникага кадәр.

6 дюйм ярым изоляцион SiC ваферы берничә өстенлек тәкъдим итә:
Breakгары ватылу көчәнеше: SiC-ның киң полосасы югары ватылу көчәнешләрен тәэмин итә, тагын да тыгыз һәм эффектив электр җайланмалары өчен мөмкинлек бирә.
Temperatureгары температуралы эш: SiC-ның искиткеч җылылык үткәрүчәнлеге югары температурада эшләргә мөмкинлек бирә, җайланманың ышанычлылыгын яхшырта.
Түбән каршылык: SiC җайланмалары түбән каршылыкны күрсәтәләр, энергия югалтуларын киметәләр һәм энергия нәтиҗәлелеген күтәрәләр.

VET Energy сезнең махсус таләпләрегезне канәгатьләндерү өчен көйләнә торган SiC ваферларын тәкъдим итә, шул исәптән төрле калынлыклар, допинг дәрәҗәләре, өслек бетүләре. Безнең экспертлар командасы сезнең уңышны тәэмин итү өчен техник ярдәм күрсәтә һәм сатудан соң хезмәт күрсәтә.

第 6 页 -36
第 6 页 -35

ВАФЕРИНГ үзенчәлекләре

* n-Pm = n-тип Pm-Grade, n-Ps = n-тип Ps-Grade, Sl = Ярым-лнсуляция

Предмет

8-дюйм

6-дюйм

4-Инч

nP

n-Pm

n-Мәд

SI

SI

TTV (GBIR)

≤6ум

≤6ум

Bowәя (GF3YFCD) - Абсолют кыйммәт

≤15μm

≤15μm

≤25μm

≤15μm

Сугыш (GF3YFER)

≤25μm

≤25μm

≤40μm

≤25μm

LTV (SBIR) -10mmx10mm

<2μм

Вафер кыры

Бевелинг

ТОРМЫШ

* n-Pm = n-тип Pm-Grade, n-Ps = n-тип Ps-Grade, Sl = Ярым-лнсуляция

Предмет

8-дюйм

6-дюйм

4-Инч

nP

n-Pm

n-Мәд

SI

SI

Faceир өсте

Ике ягы оптик поляк, Si-Face CMP

SurfaceRoughness

(10ум х 10ум) Si-FaceRa≤0.2nm
C-Face Ra≤ 0,5нм

(5umx5um) Si-Face Ra≤0.2nm
C-Face Ra≤0.5nm

Кыр чиплары

Беркем дә рөхсәт ителмәгән (озынлык һәм киңлек≥0.5 мм)

Күрсәтмәләр

Беркем дә рөхсәт ителмәгән

Сызулар (Si-Face)

Qty.≤5, Кумулятив
Озынлыгы≤0.5 × вафер диаметры

Qty.≤5, Кумулятив
Озынлыгы≤0.5 × вафер диаметры

Qty.≤5, Кумулятив
Озынлыгы≤0.5 × вафер диаметры

Ярыклар

Беркем дә рөхсәт ителмәгән

Кыр читен чыгару

3 мм

tech_1_2_size
下载 (2)

  • Алдагы:
  • Киләсе:

  • WhatsApp Онлайн Чат!