4 Inch GaAs Wafer

Кыска тасвирлау:

VET Energy 4 дюймлы GaAs ваферы - югары чисталык ярымүткәргеч субстрат, искиткеч электрон үзенчәлекләре белән танылган, аны киң кулланмалар өчен идеаль сайлау. VET Energy гаҗәеп бердәмлек, түбән җитешсезлек тыгызлыгы һәм төгәл допинг дәрәҗәсе булган GaAs ваферларын җитештерү өчен алдынгы кристалл үсеш техникасын куллана.


Продукциянең детальләре

Продукция тэглары

VET Энергиясеннән 4 Inch GaAs Wafer - югары тизлекле һәм оптоэлектрон җайланмалар өчен мөһим материал, шул исәптән RF көчәйткечләр, яктырткычлар, кояш күзәнәкләре. Бу ваферлар югары электрон хәрәкәтчәнлеге һәм югары ешлыкларда эшли белүләре белән билгеле, аларны алдынгы ярымүткәргеч кушымталарында төп компонент итәләр. VET Energy югары калынлыктагы GaAs ваферларын бердәм калынлык һәм минималь җитешсезлекләр белән тәэмин итә, төрле таләпчән ясалыш процесслары өчен яраклы.

Бу 4 Inch GaAs Wafers Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer, һәм SiN Substrate кебек төрле ярымүткәргеч материаллар белән туры килә, аларны төрле җайланма архитектурасына интеграцияләү өчен күпкырлы итә. Epi Wafer производствосында кулланыламы, Галлиум Оксид Ga2O3 һәм AlN Wafer кебек заманча материаллар белән беррәттән, алар киләсе буын электроникасы өчен ышанычлы нигез тәкъдим итәләр. Моннан тыш, ваферлар кассетага нигезләнгән эшкәртү системалары белән тулысынча туры килә, тикшеренүләрдә дә, зур күләмле җитештерү шартларында да шома операцияләрне тәэмин итә.

VET Energy ярымүткәргеч субстратларның комплекслы портфелен тәкъдим итә, алар арасында Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate, Epi Wafer, Gallium Oxide Ga2O3, AlN Wafer. Безнең төрле продукт линиясе төрле электрон кушымталар ихтыяҗларын канәгатьләндерә, электр электроникасыннан алып RF һәм оптоэлектроникага кадәр.

VET Energy сезнең махсус таләпләрегезне канәгатьләндерү өчен көйләнә торган GaAs ваферларын тәкъдим итә, шул исәптән төрле допинг дәрәҗәләрен, ориентацияләрне, өслек бетүләрен. Безнең экспертлар командасы сезнең уңышны тәэмин итү өчен техник ярдәм күрсәтә һәм сатудан соң хезмәт күрсәтә.

第 6 页 -36
第 6 页 -35

ВАФЕРИНГ үзенчәлекләре

* n-Pm = n-тип Pm-Grade, n-Ps = n-тип Ps-Grade, Sl = Ярым-лнсуляция

Предмет

8-дюйм

6-дюйм

4-Инч

nP

n-Pm

n-Мәд

SI

SI

TTV (GBIR)

≤6ум

≤6ум

Bowәя (GF3YFCD) - Абсолют кыйммәт

≤15μm

≤15μm

≤25μm

≤15μm

Сугыш (GF3YFER)

≤25μm

≤25μm

≤40μm

≤25μm

LTV (SBIR) -10mmx10mm

<2μм

Вафер кыры

Бевелинг

ТОРМЫШ

* n-Pm = n-тип Pm-Grade, n-Ps = n-тип Ps-Grade, Sl = Ярым-лнсуляция

Предмет

8-дюйм

6-дюйм

4-Инч

nP

n-Pm

n-Мәд

SI

SI

Faceир өсте

Ике ягы оптик поляк, Si-Face CMP

SurfaceRoughness

(10ум х 10ум) Si-FaceRa≤0.2nm
C-Face Ra≤ 0,5нм

(5umx5um) Si-Face Ra≤0.2nm
C-Face Ra≤0.5nm

Кыр чиплары

Беркем дә рөхсәт ителмәгән (озынлык һәм киңлек≥0.5 мм)

Күрсәтмәләр

Беркем дә рөхсәт ителмәгән

Сызулар (Si-Face)

Qty.≤5, Кумулятив
Озынлыгы≤0.5 × вафер диаметры

Qty.≤5, Кумулятив
Озынлыгы≤0.5 × вафер диаметры

Qty.≤5, Кумулятив
Озынлыгы≤0.5 × вафер диаметры

Ярыклар

Беркем дә рөхсәт ителмәгән

Кыр читен чыгару

3 мм

tech_1_2_size
下载 (2)

  • Алдагы:
  • Киләсе:

  • WhatsApp Онлайн Чат!