VET Энергиясеннән 4 Inch GaAs Wafer - югары тизлекле һәм оптоэлектрон җайланмалар өчен мөһим материал, шул исәптән RF көчәйткечләр, яктырткычлар, кояш күзәнәкләре. Бу ваферлар югары электрон хәрәкәтчәнлеге һәм югары ешлыкларда эшли белүләре белән билгеле, аларны алдынгы ярымүткәргеч кушымталарында төп компонент итәләр. VET Energy югары калынлыктагы GaAs ваферларын бердәм калынлык һәм минималь җитешсезлекләр белән тәэмин итә, төрле таләпчән ясалыш процесслары өчен яраклы.
Бу 4 Inch GaAs Wafers Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer, һәм SiN Substrate кебек төрле ярымүткәргеч материаллар белән туры килә, аларны төрле җайланма архитектурасына интеграцияләү өчен күпкырлы итә. Epi Wafer производствосында кулланыламы, Галлиум Оксид Ga2O3 һәм AlN Wafer кебек заманча материаллар белән беррәттән, алар киләсе буын электроникасы өчен ышанычлы нигез тәкъдим итәләр. Моннан тыш, ваферлар кассетага нигезләнгән эшкәртү системалары белән тулысынча туры килә, тикшеренүләрдә дә, зур күләмле җитештерү шартларында да шома операцияләрне тәэмин итә.
VET Energy ярымүткәргеч субстратларның комплекслы портфелен тәкъдим итә, алар арасында Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate, Epi Wafer, Gallium Oxide Ga2O3, AlN Wafer. Безнең төрле продукт линиясе төрле электрон кушымталар ихтыяҗларын канәгатьләндерә, электр электроникасыннан алып RF һәм оптоэлектроникага кадәр.
VET Energy сезнең махсус таләпләрегезне канәгатьләндерү өчен көйләнә торган GaAs ваферларын тәкъдим итә, шул исәптән төрле допинг дәрәҗәләрен, ориентацияләрне, өслек бетүләрен. Безнең экспертлар командасы сезнең уңышны тәэмин итү өчен техник ярдәм күрсәтә һәм сатудан соң хезмәт күрсәтә.
ВАФЕРИНГ үзенчәлекләре
* n-Pm = n-тип Pm-Grade, n-Ps = n-тип Ps-Grade, Sl = Ярым-лнсуляция
Предмет | 8-дюйм | 6-дюйм | 4-Инч | ||
nP | n-Pm | n-Мәд | SI | SI | |
TTV (GBIR) | ≤6ум | ≤6ум | |||
Bowәя (GF3YFCD) - Абсолют кыйммәт | ≤15μm | ≤15μm | ≤25μm | ≤15μm | |
Сугыш (GF3YFER) | ≤25μm | ≤25μm | ≤40μm | ≤25μm | |
LTV (SBIR) -10mmx10mm | <2μм | ||||
Вафер кыры | Бевелинг |
ТОРМЫШ
* n-Pm = n-тип Pm-Grade, n-Ps = n-тип Ps-Grade, Sl = Ярым-лнсуляция
Предмет | 8-дюйм | 6-дюйм | 4-Инч | ||
nP | n-Pm | n-Мәд | SI | SI | |
Faceир өсте | Ике ягы оптик поляк, Si-Face CMP | ||||
SurfaceRoughness | (10ум х 10ум) Si-FaceRa≤0.2nm | (5umx5um) Si-Face Ra≤0.2nm | |||
Кыр чиплары | Беркем дә рөхсәт ителмәгән (озынлык һәм киңлек≥0.5 мм) | ||||
Күрсәтмәләр | Беркем дә рөхсәт ителмәгән | ||||
Сызулар (Si-Face) | Qty.≤5, Кумулятив | Qty.≤5, Кумулятив | Qty.≤5, Кумулятив | ||
Ярыклар | Беркем дә рөхсәт ителмәгән | ||||
Кыр читен чыгару | 3 мм |