8 Инч П тибындагы кремний вафер

Кыска тасвирлау:

Премиум-класс 8 Инч П тибындагы Кремний Вафер белән таныштыру, VET Energy-ның алдынгы билгесе. P тибындагы допинг профиле булган бу искиткеч вафер иң югары сыйфат һәм эш стандартларына туры китереп эшләнгән.

Безгә электрон почта җибәрегез PDF итеп йөкләү

Продукциянең детальләре

Продукция тэглары

VET Energy-ның 8 Inch P тибындагы кремний вафер - югары ярымүткәргеч кушымталар өчен эшләнгән югары җитештерүчән кремний вафер, шул исәптән кояш күзәнәкләре, MEMS җайланмалары һәм интеграль схемалар. Яхшы электр үткәрүчәнлеге һәм эзлекле эшләве белән билгеле, бу вафер ышанычлы һәм эффектив электрон компонентлар җитештерергә теләгән җитештерүчеләр өчен өстенлекле сайлау. VET Energy төгәл допинг дәрәҗәсен һәм оптималь җайланма ясау өчен югары сыйфатлы өслекне тәэмин итә.

Бу 8 Инч П тибындагы Кремний Ваферлар SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate кебек төрле материаллар белән тулысынча туры килә, һәм Epi Wafer үсеше өчен яраклы, ярымүткәргеч җитештерү процессларының күпкырлы булуын тәэмин итә. Ваферлар шулай ук Gallium Oxide Ga2O3 һәм AlN Wafer кебек югары технологияле материаллар белән берлектә кулланылырга мөмкин, аларны киләсе буын электрон кушымталары өчен идеаль итә. Аларның нык дизайны шулай ук кассетага нигезләнгән системаларга туры килә, нәтиҗәле һәм югары күләмле җитештерүне тәэмин итә.

VET Energy клиентларга махсуслаштырылган вафин чишелешләре тәкъдим итә. Без клиентларның конкрет ихтыяҗлары буенча төрле каршылык, кислород, калынлык һ.б. белән ваферларны көйли алабыз. Моннан тыш, без шулай ук профессиональ техник ярдәм күрсәтәбез һәм сатудан соң хезмәт күрсәтәбез, клиентларга җитештерү процессында очраткан төрле проблемаларны чишәргә булышабыз.

ВАФЕРИНГ үзенчәлекләре

* n-Pm = n-тип Pm-Grade, n-Ps = n-тип Ps-Grade, Sl = Ярым-лнсуляция

Предмет	8-дюйм	6-дюйм			4-Инч
Предмет	nP	n-Pm	n-Мәд	SI	SI
TTV (GBIR)	≤6ум	≤6ум
Bowәя (GF3YFCD) - Абсолют кыйммәт	≤15μm	≤15μm	≤25μm		≤15μm
Сугыш (GF3YFER)	≤25μm	≤25μm	≤40μm		≤25μm
LTV (SBIR) -10mmx10mm	<2μм
Вафер кыры	Бевелинг

ТОРМЫШ

* n-Pm = n-тип Pm-Grade, n-Ps = n-тип Ps-Grade, Sl = Ярым-лнсуляция

Предмет	8-дюйм	6-дюйм			4-Инч
	nP	n-Pm	n-Мәд	SI	SI
Faceир өсте	Ике ягы оптик поляк, Si-Face CMP
SurfaceRoughness	(10ум х 10ум) Si-FaceRa≤0.2nm C-Face Ra≤ 0,5нм			(5umx5um) Si-Face Ra≤0.2nm C-Face Ra≤0.5nm
Кыр чиплары	Беркем дә рөхсәт ителмәгән (озынлык һәм киңлек≥0.5 мм)
Күрсәтмәләр	Беркем дә рөхсәт ителмәгән
Сызулар (Si-Face)	Qty.≤5, Кумулятив Озынлыгы≤0.5 × вафер диаметры	Qty.≤5, Кумулятив Озынлыгы≤0.5 × вафер диаметры			Qty.≤5, Кумулятив Озынлыгы≤0.5 × вафер диаметры
Ярыклар	Беркем дә рөхсәт ителмәгән
Кыр читен чыгару	3 мм