GaN Epitaxy na nakabase sa Silicon

Silicon-based na GaN Epitaxy Itinatampok na Larawan

Maikling Paglalarawan:

Lugar ng Pinagmulan:Tsina

Istraktura ng Kristal:FCCβphase

Densidad:3.21 g/cm

tigas:2500 Vickers

Laki ng Butil:2~10μm

Kadalisayan ng Kemikal:99.99995%

Kapasidad ng init:640J·kg-1·K-1

Temperatura ng Sublimation:2700 ℃

Lakas ng Felexural:415 Mpa (RT 4-Point)

Young's Modulus:430 Gpa (4pt bend, 1300℃)

Thermal Expansion (CTE):4.5 10-6K-1

Thermal conductivity:300 (W/mK)

Magpadala ng email sa amin I-download bilang PDF

Detalye ng Produkto

Mga Tag ng Produkto

Paglalarawan ng Produkto

Nagbibigay ang aming kumpanya ng mga serbisyo sa proseso ng SiC coating sa pamamagitan ng CVD na pamamaraan sa ibabaw ng grapayt, keramika at iba pang mga materyales, upang ang mga espesyal na gas na naglalaman ng carbon at silikon ay tumutugon sa mataas na temperatura upang makakuha ng mataas na kadalisayan ng mga molekula ng SiC, mga molekula na idineposito sa ibabaw ng mga pinahiran na materyales, bumubuo ng SIC protective layer.

Pangunahing tampok:

1. Mataas na temperatura na paglaban sa oksihenasyon:

ang oxidation resistance ay napakahusay pa rin kapag ang temperatura ay kasing taas ng 1600 C.

2. Mataas na kadalisayan: ginawa sa pamamagitan ng chemical vapor deposition sa ilalim ng mataas na temperatura na kondisyon ng chlorination.

3. Erosion resistance: mataas na tigas, compact surface, fine particles.

4. Corrosion resistance: acid, alkali, asin at organic reagents.

Pangunahing Detalye ng CVD-SIC Coating

Mga Katangian ng SiC-CVD
Istraktura ng Kristal	FCC β phase
Densidad	g/cm ³	3.21
Katigasan	Vickers tigas	2500
Sukat ng Butil	μm	2~10
Kalinisan ng Kemikal	%	99.99995
Kapasidad ng init	J·kg-1 ·K-1	640
Temperatura ng Sublimation	℃	2700
Lakas ng Felexural	MPa (RT 4-point)	415
Young's Modulus	Gpa (4pt bend, 1300℃)	430
Thermal Expansion (CTE)	10-6K-1	4.5
Thermal conductivity	(W/mK)	300