GaN Epitaxy na nakabase sa Silicon

Maikling Paglalarawan:


  • Lugar ng Pinagmulan:Tsina
  • Istraktura ng Kristal:FCCβ phase
  • Densidad:3.21 g/cm
  • tigas:2500 Vickers
  • Laki ng Butil:2~10μm
  • Kalinisan ng Kemikal:99.99995%
  • Kapasidad ng init:640J·kg-1·K-1
  • Temperatura ng Sublimation:2700 ℃
  • Lakas ng Felexural:415 Mpa (RT 4-Point)
  • Young's Modulus:430 Gpa (4pt bend, 1300℃)
  • Thermal Expansion (CTE):4.5 10-6K-1
  • Thermal conductivity:300(W/MK)
  • Detalye ng Produkto

    Mga Tag ng Produkto

    Paglalarawan ng Produkto

    Nagbibigay ang aming kumpanya ng mga serbisyo sa proseso ng SiC coating sa pamamagitan ng CVD na pamamaraan sa ibabaw ng grapayt, keramika at iba pang mga materyales, upang ang mga espesyal na gas na naglalaman ng carbon at silikon ay tumutugon sa mataas na temperatura upang makakuha ng mataas na kadalisayan ng mga molekula ng SiC, mga molekula na idineposito sa ibabaw ng mga pinahiran na materyales, bumubuo ng SIC protective layer.

    Pangunahing tampok:

    1. Mataas na temperatura na paglaban sa oksihenasyon:

    ang oxidation resistance ay napakahusay pa rin kapag ang temperatura ay kasing taas ng 1600 C.

    2. Mataas na kadalisayan: ginawa sa pamamagitan ng chemical vapor deposition sa ilalim ng mataas na temperatura na kondisyon ng chlorination.

    3. Erosion resistance: mataas na tigas, compact surface, fine particles.

    4. Corrosion resistance: acid, alkali, asin at organic reagents.

    Pangunahing Detalye ng CVD-SIC Coating

    Mga Katangian ng SiC-CVD

    Istraktura ng Kristal FCC β phase
    Densidad g/cm ³ 3.21
    Katigasan Vickers tigas 2500
    Sukat ng Butil μm 2~10
    Kalinisan ng Kemikal % 99.99995
    Kapasidad ng init J·kg-1 ·K-1 640
    Temperatura ng Sublimation 2700
    Lakas ng Felexural MPa (RT 4-point) 415
    Young's Modulus Gpa (4pt bend, 1300℃) 430
    Thermal Expansion (CTE) 10-6K-1 4.5
    Thermal conductivity (W/mK) 300

    1 2 3 4 5 6 7 8 9


  • Nakaraan:
  • Susunod:

  • WhatsApp Online Chat!