Habari

Utangulizi wa kizazi cha tatu cha semiconductor GaN na teknolojia inayohusiana ya epitaxial
kwa admin mnamo 24-06-25
1. Semiconductor za kizazi cha tatu Teknolojia ya kizazi cha kwanza ya semicondukta ilitengenezwa kwa kuzingatia nyenzo za semicondukta kama vile Si na Ge. Ni msingi wa nyenzo kwa ajili ya maendeleo ya transistors na teknolojia jumuishi ya mzunguko. Nyenzo za semiconductor za kizazi cha kwanza ziliweka f...
Soma zaidi
Utafiti wa uigaji wa nambari juu ya athari za grafiti yenye vinyweleo kwenye ukuaji wa fuwele ya silicon carbudi
kwa admin mnamo 24-06-18
Mchakato wa msingi wa ukuaji wa kioo wa SiC umegawanywa katika usablimishaji na mtengano wa malighafi kwa joto la juu, usafirishaji wa vitu vya awamu ya gesi chini ya hatua ya gradient ya joto, na ukuaji wa recrystallization wa dutu za awamu ya gesi kwenye kioo cha mbegu. Kulingana na hili, ...
Soma zaidi
Aina za Graphite Maalum
kwa admin mnamo 24-06-17
Grafiti maalum ni usafi wa juu, msongamano mkubwa na nyenzo za grafiti zenye nguvu na ina upinzani bora wa kutu, utulivu wa joto la juu na conductivity kubwa ya umeme. Imetengenezwa kwa grafiti ya asili au bandia baada ya matibabu ya joto la juu na usindikaji wa shinikizo la juu...
Soma zaidi
Uchambuzi wa vifaa vya uwekaji filamu nyembamba - kanuni na matumizi ya vifaa vya PECVD/LPCVD/ALD
kwa admin mnamo 24-06-12
Utuaji wa filamu nyembamba ni kupaka safu ya filamu kwenye nyenzo kuu ya substrate ya semiconductor. Filamu hii inaweza kutengenezwa kwa nyenzo mbalimbali, kama vile kiwanja cha kuhami joto cha silicon dioxide, semiconductor polysilicon, shaba ya chuma, n.k. Vifaa vinavyotumika kwa upakaji huitwa utuaji wa filamu nyembamba...
Soma zaidi
Vifaa muhimu vinavyoamua ubora wa ukuaji wa silicon ya monocrystalline - uwanja wa joto
kwa admin mnamo 24-06-12
Mchakato wa ukuaji wa silicon ya monocrystalline unafanywa kabisa katika uwanja wa joto. Sehemu nzuri ya mafuta inafaa kuboresha ubora wa fuwele na ina ufanisi wa juu wa uangazaji. Muundo wa uwanja wa joto huamua kwa kiasi kikubwa mabadiliko ya viwango vya joto ...
Soma zaidi
Je, kuna ugumu gani wa kiufundi wa tanuru ya ukuaji wa fuwele ya silicon carbide?
kwa admin mnamo 24-06-07
Tanuru ya ukuaji wa fuwele ndio kifaa kikuu cha ukuaji wa fuwele ya silicon carbide. Ni sawa na tanuru ya ukuaji wa fuwele ya silicon ya jadi. Muundo wa tanuru sio ngumu sana. Inaundwa zaidi na mwili wa tanuru, mfumo wa joto, utaratibu wa maambukizi ya coil ...
Soma zaidi
Je, ni kasoro gani za safu ya epitaxial ya silicon carbudi?
kwa admin mnamo 24-06-05
Teknolojia ya msingi ya ukuaji wa nyenzo za SiC epitaxial ni teknolojia ya kwanza ya kudhibiti kasoro, haswa kwa teknolojia ya kudhibiti kasoro ambayo inakabiliwa na hitilafu ya kifaa au uharibifu wa kuaminika. Utafiti wa utaratibu wa kasoro za substrate zinazoenea hadi epi...
Soma zaidi
Teknolojia ya ukuaji wa epitaxial iliyooksidishwa-Ⅱ
kwa admin mnamo 24-05-30
3. Ukuaji wa filamu nyembamba ya Epitaxial Substrate hutoa safu ya usaidizi wa kimwili au safu ya conductive kwa vifaa vya nguvu vya Ga2O3. Safu inayofuata muhimu ni safu ya kituo au safu ya epitaxial inayotumiwa kwa upinzani wa voltage na usafiri wa carrier. Ili kuongeza voltage ya kuvunjika na kupunguza conduction ...
Soma zaidi
Oksidi ya Galliamu kioo kimoja na teknolojia ya ukuaji wa epitaxial
kwa admin mnamo 24-05-30
Semiconductors za bandgap pana (WBG) zinazowakilishwa na silicon carbide (SiC) na gallium nitride (GaN) zimepokea uangalizi mkubwa. Watu wana matarajio makubwa kwa matarajio ya matumizi ya silicon carbudi katika magari ya umeme na gridi za umeme, pamoja na matarajio ya matumizi ya gallium...
Soma zaidi

<< Iliyotangulia 1 2 3 4 5 6 Inayofuata >>> Ukurasa wa 4/56

Habari

Utangulizi wa kizazi cha tatu cha semiconductor GaN na teknolojia inayohusiana ya epitaxial

Utafiti wa uigaji wa nambari juu ya athari za grafiti yenye vinyweleo kwenye ukuaji wa fuwele ya silicon carbudi

Aina za Graphite Maalum

Uchambuzi wa vifaa vya uwekaji filamu nyembamba - kanuni na matumizi ya vifaa vya PECVD/LPCVD/ALD

Vifaa muhimu vinavyoamua ubora wa ukuaji wa silicon ya monocrystalline - uwanja wa joto

Je, kuna ugumu gani wa kiufundi wa tanuru ya ukuaji wa fuwele ya silicon carbide?

Je, ni kasoro gani za safu ya epitaxial ya silicon carbudi?

Teknolojia ya ukuaji wa epitaxial iliyooksidishwa-Ⅱ

Oksidi ya Galliamu kioo kimoja na teknolojia ya ukuaji wa epitaxial

Aina kadhaa za michakato ya nusu ya nguvu...

Mchakato wa BCD

BJT, CMOS, DMOS na semiconductor nyingine p...

Mchakato wa uundaji wa semicondukta mtiririko-nk...

Utafiti juu ya tanuru ya inchi 8 ya SiC ...