Epitaxial Epi Graphite Barrel Susceptor

Epitaxial Epi Graphite Barrel Susceptor

Epitaxial Epi Graphite Barrel Susceptorose fesoasoani fa'apitoa ma fa'avevela masini e fa'aaogaina e taofi ma fa'avevela ai mea fa'ameamea i le taimi o gaosiga e pei o le Deposition po'o le Epitaxy.

O lona fausaga e aofia ai le fa'aigoa po'o le pa'u la'ititi, o luga e fa'aalia ai le tele o taga po'o fa'avae mo le tu'uina o fafie, e mafai ona mautu pe 'ō'o mamanu, fa'alagolago ile auala fa'avevela.

O galuega autu a le epitaxial barrel susceptor:

- Lagolago i lalo: taofi mautu le tele o fafie semiconductor;
-Avevela: maua ai le maualuga o le vevela e manaʻomia mo le tuputupu aʻe e ala i le faʻavevela;
-Oga tutusa o le vevela: faʻamautinoa le faʻamafanafanaina o substrates;
-Rotation: e masani ona sui i le taimi o le tuputupu aʻe e faʻaleleia ai le vevela ma le tufatufaina atu o kesi.

Faiga faavae o le Epi graphite paelo susceptor:
- I totonu o le epitaxial reactor, o le paʻu susceptor e vevela i le vevela manaʻomia (e masani lava 1000 ℃-1200 ℃ mo le silicon epitaxy);
- O le susceptor paelo e sui ina ia mautinoa le tufatufaina atu o le vevela ma le tafe o kesi;
-O kasa fa'afefete e pala i le maualuga o le vevela, fa'atupuina ai le epitaxial layers i luga o le substrate surface.

Talosaga:
-E faʻaaoga muamua mo le tuputupu aʻe o le epitaxial silicon
-E faʻaoga foi mo le epitaxy o isi mea semiconductor pei o GaAs, InP, ma isi.

VET Energy fa'aaoga le kalafi maualuga mama ma le CVD-SiC coating e fa'aleleia ai le mautu o vaila'au:

Le lelei ole VET Energy Epitaxial Epi Graphite Barrel Susceptor:

-maua maualuga le vevela;
- Lelei faʻafefe tutusa;
-E mafai ona faʻagasolo le tele o substrates i le taimi e tasi, faʻaleleia le gaosiga lelei;
-Chemically inert, tausia se siosiomaga tuputupu aʻe maualuga-mama.