SiC prevlečen grafitni polmesečni delis a ključkomponenta, ki se uporablja v postopkih izdelave polprevodnikov, zlasti za epitaksialno opremo SiC.Za izdelavo polmeseca uporabljamo našo patentirano tehnologijoizjemno visoka čistost,dobropremazovanjeenotnostin odlično življenjsko dobo, kot tudivisoka kemična odpornost in lastnosti toplotne stabilnosti.
VET Energy je thepravi proizvajalec prilagojenih izdelkov iz grafita in silicijevega karbida s CVD prevleko,lahko dobavirazličnedeli po meri za polprevodniško in fotovoltaično industrijo. Ovaša tehnična ekipa prihaja iz vrhunskih domačih raziskovalnih ustanov, lahko zagotovi bolj profesionalne materialne rešitveza vas.
Nenehno razvijamo napredne postopke za zagotavljanje naprednejših materialov,inso razvili ekskluzivno patentirano tehnologijo, ki lahko naredi vez med premazom in podlago tesnejšo in manj nagnjeno k ločevanju.
Flastnosti naših izdelkov:
1. Visokotemperaturna oksidacijska odpornost do 1700℃.
2. Visoka čistost intoplotna enakomernost
3. Odlična odpornost proti koroziji: kisline, alkalije, soli in organski reagenti.
4. Visoka trdota, kompaktna površina, drobni delci.
5. Daljša življenjska doba in bolj trpežna
| KVB SiC薄膜基本物理性能 Osnovne fizikalne lastnosti CVD SiCpremazovanje | |
| 性质 / Lastnina | 典型数值 / Tipična vrednost |
| 晶体结构 / Kristalna struktura | FCC β faza多晶，主要为（111) 取向 |
| 密度 / Gostota | 3,21 g/cm³ |
| 硬度 / Trdota | 2500 维氏硬度（500g obremenitev） |
| 晶粒大小 / Velikost zrna | 2~10 μm |
| 纯度 / Kemijska čistost | 99,99995 % |
| 热容 / Toplotna zmogljivost | 640 J·kg-1·K-1 |
| 升华温度 / Temperatura sublimacije | 2700 ℃ |
| 抗弯强度 / Upogibna trdnost | 415 MPa RT 4-točkovno |
| 杨氏模量 / Youngov modul | 430 Gpa 4-točkovni upogib, 1300 ℃ |
| 导热系数 / TermalPrevodnost | 300 W·m-1·K-1 |
| 热膨胀系数 / Toplotna ekspanzija (CTE) | 4,5×10-6K-1 |
Lepo vas vabimo, da obiščete našo tovarno, pogovorimo se naprej!
