Ta 6-palčna SiC rezina tipa N je zasnovana za izboljšano delovanje v ekstremnih pogojih, zaradi česar je idealna izbira za aplikacije, ki zahtevajo visoko moč in temperaturno odpornost. Ključni izdelki, povezani s to rezino, vključujejo rezino Si, substrat SiC, rezino SOI in substrat SiN. Ti materiali zagotavljajo optimalno delovanje v različnih postopkih izdelave polprevodnikov, kar omogoča energetsko učinkovite in vzdržljive naprave.
Za podjetja, ki delajo z Epi Wafer, Gallium Oxide Ga2O3, Cassette ali AlN Wafer, VET Energy 6 Inch N Type SiC Wafer zagotavlja potrebno podlago za razvoj inovativnih izdelkov. Ne glede na to, ali gre za visokozmogljivo elektroniko ali najnovejšo tehnologijo RF, te rezine zagotavljajo odlično prevodnost in minimalno toplotno odpornost ter premikajo meje učinkovitosti in zmogljivosti.
SPECIFIKACIJE OBLATOV
*n-Pm=n-tip Pm-razred,n-Ps=n-tip Ps-razred,Sl=polizolacijski
Postavka | 8-palčni | 6-palčni | 4-palčni | ||
nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
TTV (GBIR) | ≤6um | ≤6um | |||
Bow(GF3YFCD)-Absolutna vrednost | ≤15μm | ≤15μm | ≤25μm | ≤15μm | |
Deformacija (GF3YFER) | ≤25μm | ≤25μm | ≤40μm | ≤25μm | |
LTV(SBIR)-10mmx10mm | <2 μm | ||||
Wafer Edge | Beveliranje |
POVRŠINSKA OBRADA
*n-Pm=n-tip Pm-razred,n-Ps=n-tip Ps-razred,Sl=polizolacijski
Postavka | 8-palčni | 6-palčni | 4-palčni | ||
nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
Površinska obdelava | Dvostransko optično poliranje, Si-Face CMP | ||||
Površinska hrapavost | (10um x 10um) Si-FaceRa≤0,2nm | (5umx5um) Si-Face Ra≤0,2nm | |||
Robni čipi | Ni dovoljeno (dolžina in širina≥0,5 mm) | ||||
Zamiki | Ni dovoljeno | ||||
Praske (Si-Face) | Kol.≤5,Kumulativno | Kol.≤5,Kumulativno | Kol.≤5,Kumulativno | ||
Razpoke | Ni dovoljeno | ||||
Izključitev robov | 3 mm |