12-palčna silicijeva rezina za izdelavo polprevodnikov, ki jo ponuja VET Energy, je zasnovana tako, da ustreza natančnim standardom, zahtevanim v industriji polprevodnikov. Kot eden izmed vodilnih izdelkov v naši liniji, VET Energy zagotavlja, da so te rezine proizvedene z natančno ravnostjo, čistostjo in kakovostjo površine, zaradi česar so idealne za vrhunske polprevodniške aplikacije, vključno z mikročipi, senzorji in naprednimi elektronskimi napravami.
Ta rezina je združljiva s široko paleto materialov, kot so rezine Si, substrat SiC, rezine SOI, substrat SiN in rezine Epi, kar zagotavlja odlično vsestranskost za različne postopke izdelave. Poleg tega se dobro ujema z naprednimi tehnologijami, kot sta galijev oksid Ga2O3 in AlN Wafer, kar zagotavlja, da ga je mogoče vključiti v visoko specializirane aplikacije. Za nemoteno delovanje je rezina optimizirana za uporabo z industrijskimi standardnimi kasetnimi sistemi, kar zagotavlja učinkovito rokovanje pri proizvodnji polprevodnikov.
Linija izdelkov VET Energy ni omejena na silicijeve rezine. Ponujamo tudi široko paleto materialov za polprevodniške substrate, vključno s substratom SiC, rezinami SOI, substratom SiN, rezinami Epi itd., kot tudi novimi polprevodniškimi materiali s širokim pasovnim razmakom, kot sta galijev oksid Ga2O3 in rezine AlN. Ti izdelki lahko zadovoljijo potrebe različnih strank v energetski elektroniki, radijskih frekvencah, senzorjih in drugih področjih.
Področja uporabe:
•Logični čipi:Proizvodnja visoko zmogljivih logičnih čipov, kot sta CPE in GPE.
•Pomnilniški čipi:Proizvodnja pomnilniških čipov, kot sta DRAM in NAND Flash.
•Analogni čipi:Proizvodnja analognih čipov, kot sta ADC in DAC.
•Senzorji:MEMS senzorji, slikovni senzorji itd.
VET Energy nudi strankam prilagojene rešitve za rezine in lahko prilagodi rezine z različno upornostjo, različno vsebnostjo kisika, različno debelino in drugimi specifikacijami glede na posebne potrebe strank. Poleg tega nudimo tudi strokovno tehnično podporo in poprodajne storitve, ki strankam pomagajo optimizirati proizvodne procese in izboljšati izkoristek izdelkov.
SPECIFIKACIJE OBLATOV
*n-Pm=n-tip Pm-razred,n-Ps=n-tip Ps-razred,Sl=polizolacijski
Postavka | 8-palčni | 6-palčni | 4-palčni | ||
nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
TTV (GBIR) | ≤6um | ≤6um | |||
Bow(GF3YFCD)-Absolutna vrednost | ≤15μm | ≤15μm | ≤25μm | ≤15μm | |
Deformacija (GF3YFER) | ≤25μm | ≤25μm | ≤40μm | ≤25μm | |
LTV(SBIR)-10mmx10mm | <2 μm | ||||
Wafer Edge | Beveliranje |
POVRŠINSKA OBRADA
*n-Pm=n-tip Pm-razred,n-Ps=n-tip Ps-razred,Sl=polizolacijski
Postavka | 8-palčni | 6-palčni | 4-palčni | ||
nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
Površinska obdelava | Dvostransko optično poliranje, Si-Face CMP | ||||
Površinska hrapavost | (10um x 10um) Si-FaceRa≤0,2nm | (5umx5um) Si-Face Ra≤0,2nm | |||
Robni čipi | Ni dovoljeno (dolžina in širina≥0,5 mm) | ||||
Zamiki | Ni dovoljeno | ||||
Praske (Si-Face) | Kol.≤5,Kumulativno | Kol.≤5,Kumulativno | Kol.≤5,Kumulativno | ||
Razpoke | Ni dovoljeno | ||||
Izključitev robov | 3 mm |