Waferul GaAs de 4 inchi de la VET Energy este un material esențial pentru dispozitivele optoelectronice și de mare viteză, inclusiv amplificatoare RF, LED-uri și celule solare. Aceste plachete sunt cunoscute pentru mobilitatea lor ridicată a electronilor și capacitatea de a funcționa la frecvențe mai înalte, făcându-le o componentă cheie în aplicațiile avansate de semiconductor. VET Energy asigură napolitane GaAs de calitate superioară, cu grosime uniformă și defecte minime, potrivite pentru o serie de procese de fabricație exigente.
Aceste Wafer GaAs de 4 inci sunt compatibile cu diverse materiale semiconductoare, cum ar fi Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer și SiN Substrate, făcându-le versatile pentru integrarea în diferite arhitecturi de dispozitiv. Indiferent dacă sunt utilizate pentru producția Epi Wafer sau alături de materiale de ultimă oră, cum ar fi oxidul de galiu Ga2O3 și AlN Wafer, acestea oferă o bază de încredere pentru electronicele de ultimă generație. În plus, napolitanele sunt pe deplin compatibile cu sistemele de manipulare pe bază de casete, asigurând operațiuni fără probleme atât în mediile de cercetare, cât și în mediile de producție de volum mare.
VET Energy oferă un portofoliu cuprinzător de substraturi semiconductoare, inclusiv Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate, Epi Wafer, Gallium Oxide Ga2O3 și AlN Wafer. Linia noastră diversă de produse răspunde nevoilor diverselor aplicații electronice, de la electronice de putere la RF și optoelectronice.
VET Energy oferă napolitane GaAs personalizabile pentru a satisface cerințele dumneavoastră specifice, inclusiv diferite niveluri de dopaj, orientări și finisaje ale suprafeței. Echipa noastră de experți oferă suport tehnic și servicii post-vânzare pentru a vă asigura succesul.
SPECIFICAȚII DE PLATINE
*n-Pm=n-tip Pm-Grade, n-Ps=n-tip Ps-Grade, Sl=Semi-izolator
Articol | 8-inch | 6-inch | 4-inch | ||
nP | n-pm | n-Ps | SI | SI | |
TTV(GBIR) | ≤6um | ≤6um | |||
Arc (GF3YFCD)-Valoare absolută | ≤15μm | ≤15μm | ≤25μm | ≤15μm | |
Urzeală (GF3YFER) | ≤25μm | ≤25μm | ≤40μm | ≤25μm | |
LTV(SBIR)-10mmx10mm | <2μm | ||||
Marginea napolitanelor | Teșit |
FINISARE SUPRAFATA
*n-Pm=n-tip Pm-Grade, n-Ps=n-tip Ps-Grade, Sl=Semi-izolator
Articol | 8-inch | 6-inch | 4-inch | ||
nP | n-pm | n-Ps | SI | SI | |
Finisaj de suprafață | Polish optic dublu, Si-Face CMP | ||||
Rugozitatea suprafeței | (10um x 10um) Si-FaceRa≤0.2nm | (5umx5um) Si-Face Ra≤0.2nm | |||
Chipsuri Edge | Nu este permis (lungime și lățime≥0,5 mm) | ||||
Indentări | Niciunul Permis | ||||
Zgârieturi (Si-Face) | Cant.≤5, cumulat | Cant.≤5, cumulat | Cant.≤5, cumulat | ||
Crăpături | Niciunul Permis | ||||
Excluderea marginilor | 3mm |