Epitaxia GaN à base de silício

Imagem em destaque GaN Epitaxy baseada em silício

Breve descrição:

Local de Origem:China

Estrutura Cristalina:Fase FCCβ

Densidade:3,21g/cm

Dureza:2500 Vickers

Tamanho do grão:2~10μm

Pureza Química:99,99995%

Capacidade de calor:640J·kg-1·K-1

Temperatura de sublimação:2700°C

Força felexural:415 Mpa (RT 4 pontos)

Módulo de Young:430 Gpa (curvatura de 4 pontos, 1300 ℃)

Expansão Térmica (CTE):4,5 10-6K-1

Condutividade térmica:300 (W/mK)

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Detalhes do produto

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Descrição do produto

Nossa empresa fornece serviços de processo de revestimento de SiC pelo método CVD na superfície de grafite, cerâmica e outros materiais, para que gases especiais contendo carbono e silício reajam em alta temperatura para obter moléculas de SiC de alta pureza, moléculas depositadas na superfície dos materiais revestidos, formando camada protetora SIC.

Principais características:

1. Resistência à oxidação em alta temperatura:

a resistência à oxidação ainda é muito boa quando a temperatura chega a 1600 C.

2. Alta pureza: feita por deposição química de vapor sob condições de cloração de alta temperatura.

3. Resistência à erosão: alta dureza, superfície compacta, partículas finas.

4. Resistência à corrosão: ácidos, álcalis, sal e reagentes orgânicos.

Principais especificações do revestimento CVD-SIC

Propriedades SiC-CVD
Estrutura Cristalina	Fase β do FCC
Densidade	g/cm³	3.21
Dureza	Dureza Vickers	2500
Tamanho do grão	μm	2~10
Pureza Química	%	99.99995
Capacidade de calor	J·kg-1·K-1	640
Temperatura de Sublimação	℃	2700
Força Felexural	MPa (TR 4 pontos)	415
Módulo de Young	Gpa (curvatura de 4 pontos, 1300°C)	430
Expansão Térmica (CTE)	10-6K-1	4,5
Condutividade térmica	(W/mK)	300