O suscetpor revestido de SiC é um componente chave usado em vários processos de fabricação de semicondutores. Usamos nossa tecnologia patenteada para fabricar o suscetpor revestido de SiC com pureza extremamente alta, boa uniformidade de revestimento e excelente vida útil, além de alta resistência química e propriedades de estabilidade térmica.
Características dos nossos produtos:
1. Resistência à oxidação em altas temperaturas de até 1700 ℃.
2. Alta pureza e uniformidade térmica
3. Excelente resistência à corrosão: ácidos, álcalis, sal e reagentes orgânicos.
4. Alta dureza, superfície compacta, partículas finas.
5. Maior vida útil e mais durável
| DCV SiC薄膜基本物理性能 Propriedades físicas básicas do CVD SiCrevestimento | |
| 性质 / Propriedade | 典型数值 / Valor típico |
| 晶体结构 / Estrutura Cristalina | Fase β do FCC多晶, 主要为（111）取向 |
| 密度 / Densidade | 3,21g/cm³ |
| 硬度 / Dureza | 2500 unidades (carga de 500g) |
| 晶粒大小 /Tamanho do grão | 2~10μm |
| 纯度 / Pureza Química | 99,99995% |
| 热容 / Capacidade de calor | 640 J·kg-1·K-1 |
| 升华温度 / Temperatura de Sublimação | 2700°C |
| 抗弯强度 / Resistência à flexão | 415 MPa RT de 4 pontos |
| 杨氏模量 / Módulo de Young | Curvatura de 430 Gpa 4pt, 1300℃ |
| 导热系数 / TermaeuCondutividade | 300W·m-1·K-1 |
| 热膨胀系数 / Expansão Térmica (CTE) | 4,5×10-6K-1 |
Calorosamente bem-vindo para visitar nossa fábrica, vamos discutir mais!
