ਸਿਲੀਕਾਨ-ਅਧਾਰਿਤ GaN ਐਪੀਟੈਕਸੀ

ਛੋਟਾ ਵਰਣਨ:


  • ਮੂਲ ਸਥਾਨ:ਚੀਨ
  • ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਬਣਤਰ:FCCβ ਪੜਾਅ
  • ਘਣਤਾ:3.21 ਗ੍ਰਾਮ/ਸੈ.ਮੀ
  • ਕਠੋਰਤਾ:2500 ਵਿੱਕਰ
  • ਅਨਾਜ ਦਾ ਆਕਾਰ:2~10μm
  • ਰਸਾਇਣਕ ਸ਼ੁੱਧਤਾ:99.99995%
  • ਤਾਪ ਸਮਰੱਥਾ:640J·kg-1·K-1
  • ਉੱਤਮਤਾ ਦਾ ਤਾਪਮਾਨ:2700℃
  • ਫੇਲੈਕਸਰਲ ਤਾਕਤ:415 MPa (RT 4-ਪੁਆਇੰਟ)
  • ਨੌਜਵਾਨ ਦਾ ਮਾਡਿਊਲਸ:430 Gpa (4pt ਮੋੜ, 1300℃)
  • ਥਰਮਲ ਵਿਸਤਾਰ (CTE):4.5 10-6K-1
  • ਥਰਮਲ ਚਾਲਕਤਾ:300 (W/mK)
  • ਉਤਪਾਦ ਦਾ ਵੇਰਵਾ

    ਉਤਪਾਦ ਟੈਗ

    ਉਤਪਾਦ ਵਰਣਨ

    ਸਾਡੀ ਕੰਪਨੀ ਗ੍ਰੇਫਾਈਟ, ਵਸਰਾਵਿਕਸ ਅਤੇ ਹੋਰ ਸਮੱਗਰੀਆਂ ਦੀ ਸਤ੍ਹਾ 'ਤੇ ਸੀਵੀਡੀ ਵਿਧੀ ਦੁਆਰਾ SiC ਕੋਟਿੰਗ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਸੇਵਾਵਾਂ ਪ੍ਰਦਾਨ ਕਰਦੀ ਹੈ, ਤਾਂ ਜੋ ਉੱਚ ਸ਼ੁੱਧਤਾ ਪ੍ਰਾਪਤ ਕਰਨ ਲਈ ਕਾਰਬਨ ਅਤੇ ਸਿਲੀਕਾਨ ਵਾਲੀਆਂ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ ਗੈਸਾਂ ਉੱਚ ਤਾਪਮਾਨ 'ਤੇ ਪ੍ਰਤੀਕ੍ਰਿਆ ਕਰਦੀਆਂ ਹਨ SiC ਅਣੂ, ਕੋਟਿਡ ਸਮੱਗਰੀ ਦੀ ਸਤਹ 'ਤੇ ਜਮ੍ਹਾ ਅਣੂ, SIC ਸੁਰੱਖਿਆ ਪਰਤ ਬਣਾਉਣਾ.

    ਮੁੱਖ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ:

    1. ਉੱਚ ਤਾਪਮਾਨ ਆਕਸੀਕਰਨ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ:

    ਜਦੋਂ ਤਾਪਮਾਨ 1600 ਡਿਗਰੀ ਸੈਲਸੀਅਸ ਤੱਕ ਉੱਚਾ ਹੁੰਦਾ ਹੈ ਤਾਂ ਆਕਸੀਕਰਨ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ ਅਜੇ ਵੀ ਬਹੁਤ ਵਧੀਆ ਹੁੰਦਾ ਹੈ।

    2. ਉੱਚ ਸ਼ੁੱਧਤਾ: ਉੱਚ ਤਾਪਮਾਨ ਕਲੋਰੀਨੇਸ਼ਨ ਸਥਿਤੀ ਦੇ ਅਧੀਨ ਰਸਾਇਣਕ ਭਾਫ਼ ਜਮ੍ਹਾ ਦੁਆਰਾ ਕੀਤੀ ਗਈ।

    3. ਕਟੌਤੀ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ: ਉੱਚ ਕਠੋਰਤਾ, ਸੰਖੇਪ ਸਤਹ, ਵਧੀਆ ਕਣ.

    4. ਖੋਰ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ: ਐਸਿਡ, ਖਾਰੀ, ਨਮਕ ਅਤੇ ਜੈਵਿਕ ਰੀਐਜੈਂਟਸ।

    CVD-SIC ਕੋਟਿੰਗ ਦੀਆਂ ਮੁੱਖ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ

    SiC-CVD ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ

    ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਬਣਤਰ FCC β ਪੜਾਅ
    ਘਣਤਾ g/cm ³ 3.21
    ਕਠੋਰਤਾ ਵਿਕਰਾਂ ਦੀ ਕਠੋਰਤਾ 2500
    ਅਨਾਜ ਦਾ ਆਕਾਰ μm 2~10
    ਰਸਾਇਣਕ ਸ਼ੁੱਧਤਾ % 99.99995
    ਗਰਮੀ ਦੀ ਸਮਰੱਥਾ J·kg-1 ·K-1 640
    ਉੱਤਮਤਾ ਦਾ ਤਾਪਮਾਨ 2700 ਹੈ
    Felexural ਤਾਕਤ MPa (RT 4-ਪੁਆਇੰਟ) 415
    ਯੰਗ ਦਾ ਮਾਡਿਊਲਸ Gpa (4pt ਮੋੜ, 1300℃) 430
    ਥਰਮਲ ਵਿਸਥਾਰ (CTE) 10-6K-1 4.5
    ਥਰਮਲ ਚਾਲਕਤਾ (W/mK) 300

     

    1 2 3 4 5 6 7 8 9


  • ਪਿਛਲਾ:
  • ਅਗਲਾ:

  • WhatsApp ਆਨਲਾਈਨ ਚੈਟ!