Nieuws

Grafiet met TaC-coating
door beheerder op 24-11-21
I. Verkenning van procesparameters 1. TaCl5-C3H6-H2-Ar-systeem 2. Depositietemperatuur: Volgens de thermodynamische formule wordt berekend dat wanneer de temperatuur hoger is dan 1273 K, de Gibbs-vrije energie van de reactie erg laag is en de reactie is relatief voltooid. De echte...
Lees meer
Siliciumcarbide-kristalgroeiproces en apparatuurtechnologie
door beheerder op 24-11-21
1. Route voor SiC-kristalgroeitechnologie PVT (sublimatiemethode), HTCVD (hoge temperatuur CVD), LPE (vloeistoffasemethode) zijn drie veelgebruikte SiC-kristalgroeimethoden; De meest erkende methode in de industrie is de PVT-methode, en meer dan 95% van de SiC-eenkristallen worden gekweekt door de PVT-methode.
Lees meer
Bereiding en prestatieverbetering van poreuze silicium-koolstofcomposietmaterialen
door beheerder op 24-11-13
Lithium-ionbatterijen ontwikkelen zich vooral in de richting van een hoge energiedichtheid. Bij kamertemperatuur legeren op silicium gebaseerde negatieve elektrodematerialen met lithium om de lithiumrijke product Li3.75Si-fase te produceren, met een specifieke capaciteit van maximaal 3572 mAh / g, wat veel hoger is dan de theorie ...
Lees meer
Thermische oxidatie van monokristallijn silicium
door beheerder op 24-11-13
De vorming van siliciumdioxide op het oppervlak van silicium wordt oxidatie genoemd, en de creatie van stabiel en sterk hechtend siliciumdioxide leidde tot de geboorte van planaire siliciumtechnologie. Hoewel er veel manieren zijn om siliciumdioxide rechtstreeks op het oppervlak van silicium te laten groeien...
Lees meer
UV-verwerking voor fan-out verpakkingen op waferniveau
door beheerder op 24-11-05
Fan-out wafer level packing (FOWLP) is een kosteneffectieve methode in de halfgeleiderindustrie. Maar de typische bijwerkingen van dit proces zijn kromtrekken en spaanverschuiving. Ondanks de voortdurende verbetering van de waferniveau- en paneelniveau-fan-outtechnologie, bestaan deze problemen met betrekking tot het gieten nog steeds...
Lees meer
Siliciumcarbide-keramiek: de terminator van fotovoltaïsche kwartscomponenten
door beheerder op 24-11-05
Met de voortdurende ontwikkeling van de wereld van vandaag raakt niet-hernieuwbare energie steeds meer uitgeput, en wordt de menselijke samenleving steeds urgenter om hernieuwbare energie te gebruiken, vertegenwoordigd door “wind, licht, water en kernenergie”. Vergeleken met andere hernieuwbare energiebronnen is de mens...
Lees meer
Reactiesinteren en drukloos sinteren van siliciumcarbide keramiek voorbereidingsproces
door beheerder op 24-10-29
Reactiesinteren Het reactiesinteren van siliciumcarbide-keramiekproductieproces omvat het verdichten van keramiek, het verdichten van sinterfluxinfiltratiemiddelen, het bereiden van reactiesinteren van keramische producten, het bereiden van siliciumcarbide-houtkeramiek en andere stappen. Reactie sinteren silicium...
Lees meer
Siliciumcarbide-keramiek: precisiecomponenten die nodig zijn voor halfgeleiderprocessen
door beheerder op 24-10-29
Fotolithografietechnologie richt zich voornamelijk op het gebruik van optische systemen om circuitpatronen op siliciumwafels bloot te leggen. De nauwkeurigheid van dit proces heeft rechtstreeks invloed op de prestaties en opbrengst van geïntegreerde schakelingen. Als een van de topapparatuur voor de productie van chips bevat de lithografiemachine maximaal...
Lees meer
inzicht in de verontreiniging van halfgeleiderwafels en de reinigingsprocedure
door beheerder op 24-10-29
Als het zakelijk nieuws betreft, is inzicht in de complexiteit van de fabricage van halfgeleiders noodzakelijk. halfgeleiderwafels zijn een cruciaal onderdeel in deze industrie, maar worden vaak geconfronteerd met verontreiniging door allerlei onzuiverheden. Deze verontreinigende stoffen omvatten atomen, organisch materiaal, metaalelementionen, een...
Lees meer