Nieuws

Waarom buigen zijwanden tijdens droog etsen?
door beheerder op 24-12-03
Niet-uniformiteit van ionenbombardement Droog etsen is meestal een proces dat fysische en chemische effecten combineert, waarbij ionenbombardement een belangrijke fysische etsmethode is. Tijdens het etsproces kunnen de invalshoek en de energieverdeling van ionen ongelijkmatig zijn. Als het ion voorkomt...
Lees meer
Inleiding tot drie veel voorkomende CVD-technologieën
door beheerder op 24-12-03
Chemische dampafzetting (CVD) is de meest gebruikte technologie in de halfgeleiderindustrie voor het neerslaan van een verscheidenheid aan materialen, waaronder een breed scala aan isolatiematerialen, de meeste metalen materialen en materialen van metaallegeringen. CVD is een traditionele dunnefilmvoorbereidingstechnologie. Het principe...
Lees meer
Kan diamant andere krachtige halfgeleiderapparaten vervangen?
door beheerder op 24-11-25
Als hoeksteen van moderne elektronische apparaten ondergaan halfgeleidermaterialen ongekende veranderingen. Tegenwoordig toont diamant geleidelijk zijn grote potentieel als halfgeleidermateriaal van de vierde generatie, met zijn uitstekende elektrische en thermische eigenschappen en stabiliteit onder extreme omstandigheden.
Lees meer
Wat is het planarisatiemechanisme van CMP?
door beheerder op 24-11-25
Dual-Damascene is een procestechnologie die wordt gebruikt om metalen verbindingen in geïntegreerde schakelingen te vervaardigen. Het is een verdere ontwikkeling van het Damascus-proces. Door in dezelfde processtap tegelijkertijd gaten en groeven te vormen en deze met metaal te vullen, kan de geïntegreerde productie van m...
Lees meer
Grafiet met TaC-coating
door beheerder op 24-11-21
I. Verkenning van procesparameters 1. TaCl5-C3H6-H2-Ar-systeem 2. Depositietemperatuur: Volgens de thermodynamische formule wordt berekend dat wanneer de temperatuur hoger is dan 1273 K, de Gibbs-vrije energie van de reactie erg laag is en de reactie is relatief voltooid. De echte...
Lees meer
Siliciumcarbide-kristalgroeiproces en apparatuurtechnologie
door beheerder op 24-11-21
1. Route voor SiC-kristalgroeitechnologie PVT (sublimatiemethode), HTCVD (hoge temperatuur CVD), LPE (vloeistoffasemethode) zijn drie veelgebruikte SiC-kristalgroeimethoden; De meest erkende methode in de industrie is de PVT-methode, en meer dan 95% van de SiC-eenkristallen wordt gekweekt door de PVT-methode.
Lees meer
Bereiding en prestatieverbetering van poreuze silicium-koolstofcomposietmaterialen
door beheerder op 24-11-13
Lithium-ionbatterijen ontwikkelen zich vooral in de richting van een hoge energiedichtheid. Bij kamertemperatuur legeren op silicium gebaseerde negatieve elektrodematerialen met lithium om de lithiumrijke product Li3.75Si-fase te produceren, met een specifieke capaciteit van maximaal 3572 mAh / g, wat veel hoger is dan de theorie ...
Lees meer
Thermische oxidatie van monokristallijn silicium
door beheerder op 24-11-13
De vorming van siliciumdioxide op het oppervlak van silicium wordt oxidatie genoemd, en de creatie van stabiel en sterk hechtend siliciumdioxide leidde tot de geboorte van planaire siliciumtechnologie. Hoewel er veel manieren zijn om siliciumdioxide rechtstreeks op het oppervlak van silicium te laten groeien...
Lees meer
UV-verwerking voor fan-out verpakkingen op waferniveau
door beheerder op 24-11-05
Fan-out wafer level packing (FOWLP) is een kosteneffectieve methode in de halfgeleiderindustrie. Maar de typische bijwerkingen van dit proces zijn kromtrekken en spaanverschuiving. Ondanks de voortdurende verbetering van de waferniveau- en paneelniveau-fan-outtechnologie, bestaan deze problemen met betrekking tot het gieten nog steeds...
Lees meer