Vat susceptor voor vloeibare fase-epitaxie LPE

Vat susceptor voor vloeibare fase epitaxie LPE

EPI (epitaxie)is een cruciaal proces bij de productie van geavanceerde halfgeleiders. Het omvat de afzetting van dunne lagen materiaal op een substraat om complexe apparaatstructuren te creëren. SiC-gecoate grafietvat susceptor voor EPI wordt vaak gebruikt als susceptors in EPI-reactoren vanwege hun uitstekende thermische geleidbaarheid en weerstand tegen hoge temperaturen. MetCVD-SiC-coatingwordt het beter bestand tegen vervuiling, erosie en thermische schokken. Dit resulteert in een langere levensduur van de susceptor en een verbeterde filmkwaliteit.

Voordelen van onze vat susceptor voor epitaxie in de vloeibare fase LPE:
Verminderde besmetting:De inerte aard van SiC voorkomt dat onzuiverheden zich aan het susceptoroppervlak hechten, waardoor het risico op besmetting van de afgezette films wordt verminderd.
Verhoogde erosieweerstand:SiC is aanzienlijk beter bestand tegen erosie dan conventioneel grafiet, wat leidt tot een langere levensduur van de susceptor.
Verbeterde thermische stabiliteit:SiC heeft een uitstekende thermische geleidbaarheid en is bestand tegen hoge temperaturen zonder noemenswaardige vervorming.
Verbeterde filmkwaliteit:De verbeterde thermische stabiliteit en verminderde vervuiling resulteren in afgezette films van hogere kwaliteit met verbeterde uniformiteit en diktecontrole.