Epitaxiale Epi-grafietvat susceptor

Epitaxiale Epi-grafietvat susceptor

Epitaxiale Epi-grafietvat susceptoris een speciaal ontworpen ondersteunings- en verwarmingsapparaat dat wordt gebruikt om halfgeleidersubstraten vast te houden en te verwarmen tijdens productieprocessen zoals afzettings- of epitaxieprocessen.

De structuur omvat typisch cilindrisch of licht tonvormig, het oppervlak is voorzien van meerdere zakken of platforms voor het plaatsen van de wafels en kan massief of hol zijn uitgevoerd, afhankelijk van de verwarmingsmethode.

De belangrijkste functies van een epitaxiale vatkroes:

-Substraatondersteuning: houdt meerdere halfgeleiderwafels veilig vast;
- Warmtebron: zorgt voor hoge temperaturen die nodig zijn voor de groei door middel van verwarming;
-Temperatuuruniformiteit: zorgt voor een uniforme verwarming van substraten;
-Rotatie: roteert gewoonlijk tijdens de groei om de uniformiteit van de temperatuur en gasverdeling te verbeteren.

Werkingsprincipe van Epi grafietvat susceptor:
- In de epitaxiale reactor wordt de vatkroes verwarmd tot de vereiste temperatuur (typisch 1000 ℃ -1200 ℃ voor siliciumepitaxie);
-De vat susceptor roteert om een ​​uniforme temperatuurverdeling en gasstroom te garanderen;
-Reactiegassen ontleden bij hoge temperaturen en vormen epitaxiale lagen op het substraatoppervlak.

Toepassingen:
-Voornamelijk gebruikt voor epitaxiale groei van silicium
-Ook toepasbaar voor epitaxie van andere halfgeleidermaterialen zoals GaAs, InP, enz.

VET Energy gebruikt zeer zuiver grafiet met CVD-SiC-coating om de chemische stabiliteit te verbeteren:

De voordelen van VET Energy Epitaxiale Epi Grafiet Barrel Susceptor:

- Hoge temperatuurstabiliteit;
-Goede thermische uniformiteit;
-Kan meerdere substraten tegelijkertijd verwerken, waardoor de productie-efficiëntie wordt verbeterd;
-Chemisch inert, waardoor een zeer zuivere groeiomgeving behouden blijft.