4 inch GaN op SiC-wafel

Korte beschrijving:

De 4-inch GaN op SiC wafer van VET Energy is een revolutionair product op het gebied van vermogenselektronica. Deze wafer combineert de uitstekende thermische geleidbaarheid van siliciumcarbide (SiC) met de hoge vermogensdichtheid en het lage verlies van galliumnitride (GaN), waardoor het een ideale keuze is voor het maken van hoogfrequente apparaten met hoog vermogen. VET Energy garandeert de uitstekende prestaties en consistentie van de wafer door middel van geavanceerde MOCVD epitaxiale technologie.


Productdetail

Productlabels

De productlijn van VET Energy beperkt zich niet tot GaN op SiC-wafels. We bieden ook een breed scala aan halfgeleidersubstraatmaterialen, waaronder Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate, Epi Wafer, enz. Daarnaast ontwikkelen we ook actief nieuwe halfgeleidermaterialen met een brede bandafstand, zoals Gallium Oxide Ga2O3 en AlN Wafer, om tegemoet te komen aan de toekomstige vraag van de vermogenselektronica-industrie naar apparaten met hogere prestaties.

VET Energy biedt flexibele maatwerkdiensten en kan GaN-epitaxiale lagen met verschillende diktes, verschillende soorten doping en verschillende wafergroottes aanpassen aan de specifieke behoeften van klanten. Daarnaast bieden we ook professionele technische ondersteuning en after-sales service om klanten te helpen snel krachtige elektronische apparaten te ontwikkelen.

第6页-36
第6页-35

WAFERINGSPECIFICATIES

*n-Pm=n-type Pm-kwaliteit,n-Ps=n-type Ps-kwaliteit,Sl=Semi-isolerend

Item

8 inch

6 inch

4 inch

nP

n-Pm

n-Ps

SI

SI

TTV(GBIR)

≤6um

≤6um

Boog (GF3YFCD)-absolute waarde

≤15μm

≤15μm

≤25μm

≤15μm

Afwijking(GF3YFER)

≤25μm

≤25μm

≤40μm

≤25μm

LTV(SBIR)-10mmx10mm

<2μm

Wafer rand

Afschuining

OPPERVLAKTEAFWERKING

*n-Pm=n-type Pm-kwaliteit,n-Ps=n-type Ps-kwaliteit,Sl=Semi-isolerend

Item

8 inch

6 inch

4 inch

nP

n-Pm

n-Ps

SI

SI

Oppervlakteafwerking

Dubbelzijdig optisch polijstmiddel, Si-Face CMP

Oppervlakteruwheid

(10um x 10um) Si-FaceRa≤0,2nm
C-vlak Ra≤ 0,5 nm

(5umx5um) Si-vlak Ra≤0,2 nm
C-vlak Ra≤0,5 nm

Randchips

Niets toegestaan ​​(lengte en breedte≥0,5 mm)

Inspringingen

Geen toegestaan

Krassen (Si-gezicht)

Aantal ≤5, cumulatief
Lengte≤0,5×wafeldiameter

Aantal ≤5, cumulatief
Lengte≤0,5×wafeldiameter

Aantal ≤5, cumulatief
Lengte≤0,5×wafeldiameter

Scheuren

Geen toegestaan

Randuitsluiting

3 mm

tech_1_2_grootte
下载(2)

  • Vorig:
  • Volgende:

  • WhatsApp Onlinechat!