4 inch GaN op SiC-wafel

4 Inch GaN op SiC Wafer Uitgelichte afbeelding

Korte beschrijving:

De 4-inch GaN op SiC wafer van VET Energy is een revolutionair product op het gebied van vermogenselektronica. Deze wafer combineert de uitstekende thermische geleidbaarheid van siliciumcarbide (SiC) met de hoge vermogensdichtheid en het lage verlies van galliumnitride (GaN), waardoor het een ideale keuze is voor het maken van hoogfrequente apparaten met hoog vermogen. VET Energy garandeert de uitstekende prestaties en consistentie van de wafer door middel van geavanceerde MOCVD epitaxiale technologie.

Stuur een e-mail naar ons Downloaden als PDF

Productdetail

Productlabels

De productlijn van VET Energy beperkt zich niet tot GaN op SiC-wafels. We bieden ook een breed scala aan halfgeleidersubstraatmaterialen, waaronder Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate, Epi Wafer, enz. Daarnaast ontwikkelen we ook actief nieuwe halfgeleidermaterialen met een brede bandafstand, zoals Gallium Oxide Ga2O3 en AlN Wafer, om tegemoet te komen aan de vraag van de toekomstige vermogenselektronica-industrie naar apparaten met hogere prestaties.

VET Energy biedt flexibele maatwerkdiensten en kan GaN-epitaxiale lagen met verschillende diktes, verschillende soorten doping en verschillende wafergroottes aanpassen aan de specifieke behoeften van klanten. Daarnaast bieden we ook professionele technische ondersteuning en after-sales service om klanten te helpen snel krachtige elektronische apparaten te ontwikkelen.

WAFERINGSPECIFICATIES

*n-Pm=n-type Pm-kwaliteit,n-Ps=n-type Ps-kwaliteit,Sl=Semi-isolerend

Item	8 inch	6 inch			4 inch
Item	nP	n-Pm	n-Ps	SI	SI
TTV(GBIR)	≤6um	≤6um
Boog (GF3YFCD)-Absolute waarde	≤15μm	≤15μm	≤25μm		≤15μm
Afwijking(GF3YFER)	≤25μm	≤25μm	≤40μm		≤25μm
LTV(SBIR)-10mmx10mm	<2μm
Wafer rand	Afschuining

OPPERVLAKTEAFWERKING

*n-Pm=n-type Pm-kwaliteit,n-Ps=n-type Ps-kwaliteit,Sl=Semi-isolerend

Item	8 inch	6 inch			4 inch
	nP	n-Pm	n-Ps	SI	SI
Oppervlakteafwerking	Dubbelzijdig optisch polijstmiddel, Si-Face CMP
Oppervlakteruwheid	(10um x 10um) Si-FaceRa≤0,2nm C-vlak Ra≤ 0,5 nm			(5umx5um) Si-vlak Ra≤0,2 nm C-gezicht Ra≤0,5 nm
Randchips	Niets toegestaan (lengte en breedte≥0,5 mm)
Inspringingen	Geen toegestaan
Krassen (Si-gezicht)	Aantal ≤5, cumulatief Lengte≤0,5×wafeldiameter	Aantal ≤5, cumulatief Lengte≤0,5×wafeldiameter			Aantal ≤5, cumulatief Lengte≤0,5×wafeldiameter
Scheuren	Geen toegestaan
Randuitsluiting	3 mm