समाचार

सिलिकन कार्बाइड ग्रेफाइट मोल्ड को विशेषताहरु
24-07-18 मा व्यवस्थापक द्वारा
सिलिकन कार्बाइड ग्रेफाइट मोल्ड सिलिकन कार्बाइड ग्रेफाइट मोल्ड आधारको रूपमा सिलिकन कार्बाइड (SiC) र ग्रेफाइट सुदृढीकरण सामग्रीको रूपमा एक समग्र मोल्ड हो। यस मोल्डमा उत्कृष्ट थर्मल चालकता, उच्च तापमान प्रतिरोध, जंग प्रतिरोध र पहिरन पुन: छ।
थप पढ्नुहोस्
अर्धचालक प्रक्रिया फोटोलिथोग्राफी को पूर्ण प्रक्रिया
24-07-16 मा व्यवस्थापक द्वारा
प्रत्येक अर्धचालक उत्पादनको निर्माणलाई सयौं प्रक्रियाहरू आवश्यक पर्दछ। हामी सम्पूर्ण निर्माण प्रक्रियालाई आठ चरणहरूमा विभाजन गर्छौं: वेफर प्रशोधन-अक्सिडेशन-फोटोलिथोग्राफी-एचिङ-पातलो फिल्म डिपोजिसन-एपिटेक्सियल ग्रोथ-डिफ्युजन-आयन इम्प्लान्टेशन। तपाईलाई मद्दत गर्न...
थप पढ्नुहोस्
४ अर्ब! SK Hynix ले पर्ड्यू रिसर्च पार्कमा अर्धचालक उन्नत प्याकेजिङ्ग लगानीको घोषणा गरेको छ
24-07-09 मा व्यवस्थापक द्वारा
West Lafayette, इंडियाना - SK hynix Inc. ले पर्ड्यू रिसर्च पार्कमा कृत्रिम बुद्धिमत्ता उत्पादनहरूको लागि उन्नत प्याकेजिङ्ग निर्माण र R&D सुविधा निर्माण गर्न लगभग $ 4 बिलियन लगानी गर्ने योजना घोषणा गर्‍यो। पश्चिम Lafayett मा अमेरिकी अर्धचालक आपूर्ति श्रृंखला मा एक प्रमुख लिङ्क स्थापना गर्दै ...
थप पढ्नुहोस्
लेजर टेक्नोलोजीले सिलिकन कार्बाइड सब्सट्रेट प्रशोधन प्रविधिको रूपान्तरणको नेतृत्व गर्दछ
24-07-08 मा व्यवस्थापक द्वारा
1. सिलिकन कार्बाइड सब्सट्रेट प्रशोधन प्रविधिको सिंहावलोकन हालको सिलिकन कार्बाइड सब्सट्रेट प्रशोधन चरणहरू समावेश छन्: बाहिरी सर्कल पीसने, स्लाइसिङ, च्याम्फरिङ, ग्राइन्डिङ, पालिश, सफाई, आदि। स्लाइसिङ सेमीकन्डक्टर सब्सट्रेट प्रक्रियामा एक महत्त्वपूर्ण चरण हो।
थप पढ्नुहोस्
मुख्यधारा थर्मल क्षेत्र सामग्री: C/C मिश्रित सामग्री
24-07-01 मा व्यवस्थापक द्वारा
कार्बन-कार्बन कम्पोजिटहरू एक प्रकारका कार्बन फाइबर कम्पोजिट हुन्, जसमा कार्बन फाइबर सुदृढीकरण सामग्रीको रूपमा र म्याट्रिक्स सामग्रीको रूपमा जम्मा गरिएको कार्बन हुन्छ। C/C कम्पोजिटको म्याट्रिक्स कार्बन हो। यो लगभग पूरै एलिमेन्टल कार्बनबाट बनेको हुनाले, यसमा उत्कृष्ट उच्च तापक्रम प्रतिरोध छ...
थप पढ्नुहोस्
SiC क्रिस्टल वृद्धिको लागि तीन प्रमुख प्रविधिहरू
24-07-01 मा व्यवस्थापक द्वारा
चित्र 3 मा देखाइए अनुसार, उच्च गुणस्तर र प्रभावकारिताको साथ SiC एकल क्रिस्टल उपलब्ध गराउने उद्देश्यले तीन प्रबल प्रविधिहरू छन्: तरल चरण एपिटेक्सी (LPE), भौतिक भाप यातायात (PVT), र उच्च-तापमान रासायनिक वाष्प निक्षेप (HTCVD)। PVT SiC sin उत्पादनको लागि राम्रोसँग स्थापित प्रक्रिया हो ...
थप पढ्नुहोस्
तेस्रो-पुस्ता अर्धचालक GaN र सम्बन्धित epitaxial प्रविधि संक्षिप्त परिचय
24-06-28 मा व्यवस्थापक द्वारा
1. तेस्रो-पुस्ताको अर्धचालकहरू Si र Ge जस्ता अर्धचालक सामग्रीहरूमा आधारित पहिलो पुस्ताको अर्धचालक प्रविधि विकसित गरिएको थियो। यो ट्रान्जिस्टर र एकीकृत सर्किट प्रविधि को विकास को लागि भौतिक आधार हो। पहिलो पुस्ताको अर्धचालक सामग्रीले f राख्यो...
थप पढ्नुहोस्
23.5 बिलियन, सुजोउको सुपर युनिकर्न आईपीओमा जाँदैछ
24-06-28 मा व्यवस्थापक द्वारा
9 वर्षको उद्यमशीलता पछि, इनोसाइन्सले कुल वित्तपोषणमा 6 बिलियन युआन भन्दा बढी उठाएको छ, र यसको मूल्यांकन आश्चर्यजनक रूपमा 23.5 बिलियन युआन पुगेको छ। लगानीकर्ताहरूको सूची दर्जनौं कम्पनीहरू जत्तिकै लामो छ: फुकुन भेन्चर क्यापिटल, डोङफाङ राज्यको स्वामित्वमा रहेको सम्पत्ति, सुझाउ झान्यी, वुजियान...
थप पढ्नुहोस्
ट्यान्टलम कार्बाइड लेपित उत्पादनहरूले सामग्रीको जंग प्रतिरोध कसरी बढाउँछ?
24-06-25 मा व्यवस्थापक द्वारा
ट्यान्टलम कार्बाइड कोटिंग सामान्यतया प्रयोग गरिएको सतह उपचार प्रविधि हो जसले सामग्रीको जंग प्रतिरोधलाई उल्लेखनीय रूपमा सुधार गर्न सक्छ। ट्यान्टालम कार्बाइड कोटिंग विभिन्न तयारी विधिहरू मार्फत सब्सट्रेटको सतहमा जोड्न सकिन्छ, जस्तै रासायनिक वाष्प निक्षेप, भौतिक...
थप पढ्नुहोस्