ဆီလီကွန်အခြေခံ GaN Epitaxy

အတိုချုံးဖော်ပြချက်-


  • မူလနေရာ-တရုတ်
  • သလင်းကျောက်ဖွဲ့စည်းပုံ-FCCβအဆင့်
  • သိပ်သည်းဆ-၃.၂၁ ဂရမ်/စင်တီမီတာ
  • မာကျော-Vickers 2500
  • စပါးအရွယ်အစား-2~10μm
  • ဓာတုသန့်စင်မှု-99.99995%
  • အပူခံနိုင်မှု-640J·kg-1·K-1
  • Sublimation အပူချိန်2700 ℃
  • Felexural Strength-415 Mpa (RT 4 အမှတ်)
  • Young's Modulus:430 Gpa (4pt ကွေး၊ 1300 ℃)
  • အပူပိုင်းချဲ့ထွင်ခြင်း (CTE)-4.5 10-6K-1
  • အပူလျှပ်ကူးမှု-300 (W/mK)
  • ထုတ်ကုန်အသေးစိတ်

    ထုတ်ကုန်အမှတ်အသား

    ကုန်ပစ္စည်းအကြောင်းအရာ

    ကျွန်ုပ်တို့၏ ကုမ္ပဏီသည် ဂရပ်ဖိုက်၊ ကြွေထည်များနှင့် အခြားပစ္စည်းများ၏ မျက်နှာပြင်ပေါ်တွင် SiC coating process ဝန်ဆောင်မှုများကို ဆောင်ရွက်ပေးလျက်ရှိပြီး ကာဗွန်နှင့် ဆီလီကွန်ပါရှိသော အထူးဓာတ်ငွေ့များကို မြင့်မားသော သန့်စင်သော SiC မော်လီကျူးများ၊ SIC အကာအကွယ်အလွှာကိုဖွဲ့စည်းသည်။

    အဓိကအင်္ဂါရပ်များ-

    1. မြင့်မားသောအပူချိန် oxidation resistance:

    အပူချိန် 1600 ဒီဂရီစင်တီဂရိတ်အထိ မြင့်မားနေချိန်တွင် ဓာတ်တိုးမှု ခုခံမှုမှာ အလွန်ကောင်းမွန်ပါသည်။

    2. မြင့်မားသောသန့်ရှင်းမှု : မြင့်မားသောအပူချိန် ကလိုရင်းဓာတ်အခြေအနေအောက်တွင် ဓာတုအငွေ့ထွက်မှုဖြင့် ပြုလုပ်သည်။

    3. တိုက်စားခံနိုင်ရည်- မြင့်မားသော မာကျောမှု၊ ကျစ်လစ်သော မျက်နှာပြင်၊ ကောင်းမွန်သော အမှုန်များ။

    4. သံချေးတက်ခြင်းကိုခံနိုင်ရည်- အက်ဆစ်၊ အယ်ကာလီ၊ ဆားနှင့် အော်ဂဲနစ်ဓာတ်ပစ္စည်းများ။

    CVD-SIC Coating ၏ အဓိက Specifications

    SiC-CVD ဂုဏ်သတ္တိများ

    အရည်ကြည်ဖွဲ့စည်းပုံ FCC β အဆင့်
    သိပ်သည်းမှု g/cm ³ ၃.၂၁
    မာကျောခြင်း။ Vickers မာကျောမှု ၂၅၀၀
    စပါးအရွယ်အစား µm ၂~၁၀
    ဓာတုသန့်စင်မှု % ၉၉.၉၉၉၉၅
    Heat Capacity ၊ J·kg-1 ·K-1 ၆၄၀
    Sublimation အပူချိန် ၂၇၀၀
    Felexural Strength MPa (RT 4 မှတ်) ၄၁၅
    Young's Modulus Gpa (4pt ကွေး၊ 1300 ℃) ၄၃၀
    အပူပိုင်းချဲ့ထွင်ခြင်း (CTE) 10-6K-1 ၄.၅
    အပူစီးကူးမှု (W/mK) ၃၀၀

     

    ၁ ၂ ၃ ၄ ၅ ၆ ၇ ၈ ၉


  • ယခင်-
  • နောက်တစ်ခု:

  • WhatsApp အွန်လိုင်းစကားပြောခြင်း။