ဆီလီကွန်ကာဗိုက်ဖြင့် ဖုံးအုပ်ထားသည်။ဂရပ်ဖိုက်ဒစ်သည် ရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာ သို့မဟုတ် ဓာတုအငွေ့များထွက်စေပြီး ပက်ဖြန်းခြင်းဖြင့် ဂရပ်ဖိုက်၏မျက်နှာပြင်ပေါ်ရှိ ဆီလီကွန်ကာဗိုက်အကာအကွယ်အလွှာကို ပြင်ဆင်ရန်ဖြစ်သည်။ ပြင်ဆင်ထားသော ဆီလီကွန်ကာဗိုက်အကာအကွယ်အလွှာသည် ဂရပ်ဖိုက်မက်ထရစ်နှင့် ခိုင်မြဲစွာ ချည်နှောင်ထားနိုင်ပြီး ဂရပ်ဖိုက်အခြေခံ၏မျက်နှာပြင်ကို သိပ်သည်းပြီး ပျက်ပြယ်စေကာ ဓာတ်တိုးဆန့်ကျင်မှု၊ အက်ဆစ်နှင့် အယ်လကာလီခံနိုင်ရည်၊ တိုက်စားခံနိုင်ရည်၊ ချေးခံနိုင်မှုအပါအဝင် ဂရပ်ဖိုက်မက်ထရစ်ကို အထူးဂုဏ်သတ္တိများပေးသည်။ စသည်တို့သည် လက်ရှိတွင်၊ Gan coating သည် ဆီလီကွန်ကာဗိုက်၏ epitaxial ကြီးထွားမှုအတွက် အကောင်းဆုံး core အစိတ်အပိုင်းများထဲမှ တစ်ခုဖြစ်သည်။
Silicon carbide semiconductor သည် အသစ်တီထွင်ထားသော wide band gap semiconductor ၏ အဓိကပစ္စည်းဖြစ်သည်။ ၎င်း၏စက်ပစ္စည်းများတွင် မြင့်မားသောအပူချိန်ခံနိုင်ရည်ရှိမှု၊ မြင့်မားသောဗို့အားခုခံမှု၊ ကြိမ်နှုန်းမြင့်မားမှု၊ ပါဝါမြင့်မားမှုနှင့် ဓာတ်ရောင်ခြည်ခုခံမှုဆိုင်ရာ ဝိသေသလက္ခဏာများရှိသည်။ ၎င်းတွင် မြန်ဆန်သော ကူးပြောင်းမှုအမြန်နှုန်းနှင့် စွမ်းဆောင်ရည်မြင့်မားခြင်း၏ အားသာချက်များရှိသည်။ ၎င်းသည် ထုတ်ကုန်၏ ပါဝါသုံးစွဲမှုကို များစွာလျှော့ချနိုင်ပြီး စွမ်းအင်ပြောင်းလဲခြင်း ထိရောက်မှုကို မြှင့်တင်ပေးပြီး ထုတ်ကုန်ပမာဏကို လျှော့ချနိုင်သည်။ 5g ဆက်သွယ်ရေး၊ နိုင်ငံတော် ကာကွယ်ရေးနှင့် စစ်ဘက်ဆိုင်ရာ လုပ်ငန်းများတွင် အဓိကအားဖြင့် အာကာသယာဉ်များနှင့် စွမ်းအင်သုံးယာဉ်အသစ်များနှင့် "အခြေခံအဆောက်အဦအသစ်" တို့က ကိုယ်စားပြုသည့် RF နယ်ပယ်တွင် အရပ်ဘက်နှင့် စစ်ဘက်နယ်ပယ်နှစ်ခုစလုံးတွင် ရှင်းလင်းပြီး သိသိသာသာ စျေးကွက်အလားအလာများရှိသည်။
ဆီလီကွန်ကာဘိုင်အလွှာသည် အသစ်ထုတ်လုပ်ထားသော wide band gap semiconductor ၏ အဓိကပစ္စည်းဖြစ်သည်။ ဆီလီကွန်ကာဘိုင်အလွှာကို မိုက်ခရိုဝေ့ဖ် အီလက်ထရွန်နစ်ပစ္စည်း၊ ပါဝါအီလက်ထရွန်းနစ်နှင့် အခြားနယ်ပယ်များတွင် အဓိကအသုံးပြုသည်။. ၎င်းသည် wide band gap semiconductor လုပ်ငန်းကွင်းဆက်၏ ရှေ့ဆုံးတွင်ဖြစ်ပြီး နောက်ဆုံးပေါ်နှင့် အခြေခံ core key material ဖြစ်သည်။Silicon carbide substrate ကို semi insulating နှင့် conductive ဟူ၍ နှစ်မျိုးခွဲခြားနိုင်သည်။ ၎င်းတို့တွင် semi insulating silicon carbide substrate သည် မြင့်မားသော ခုခံနိုင်စွမ်း (resistivity ≥ 105 Ω· cm) ရှိသည်။ အထက်ဖော်ပြပါ မြင်ကွင်းများတွင် 5g ဆက်သွယ်ရေး၊ နိုင်ငံတော် ကာကွယ်ရေးနှင့် စစ်ဘက်ဆိုင်ရာ လုပ်ငန်းများတွင် အဓိကအားဖြင့် အသုံးပြုသည့် 5g ဆက်သွယ်ရေး၊ နိုင်ငံတော် ကာကွယ်ရေးနှင့် စစ်ဘက်ဆိုင်ရာ လုပ်ငန်းများတွင် အဓိကအားဖြင့် အသုံးပြုသည့် ကွဲပြားသော Galium nitride epitaxial sheet နှင့် ပေါင်းစပ်ထားသော Semi insulating substrate ၊ အခြားတစ်မျိုးမှာ ခုခံနိုင်စွမ်းနည်းသော လျှပ်ကူးဆီလီကွန်ကာဗိုက်အလွှာ (ခုခံနိုင်မှုအကွာအဝေးမှာ 15 ~ 30m Ω·စင်တီမီတာ) ဖြစ်သည်။ လျှပ်ကူးဆီလီကွန်ကာဗိုက်အလွှာနှင့် ဆီလီကွန်ကာဗိုက်တို့၏ တစ်သားတည်းဖြစ်တည်နေသော epitaxy ကို ပါဝါစက်ပစ္စည်းများအတွက် ပစ္စည်းများအဖြစ် အသုံးပြုနိုင်သည်။ အဓိကအသုံးချမှုအခြေအနေများမှာ လျှပ်စစ်ကားများ၊ ပါဝါစနစ်များနှင့် အခြားနယ်ပယ်များဖြစ်သည်။
စာတိုက်အချိန်- ဖေဖော်ဝါရီ-၂၁-၂၀၂၂