Silicon carbide (SiC) သည် ဒြပ်ပေါင်း တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်း အသစ်ဖြစ်သည်။ ဆီလီကွန်ကာဗိုက်သည် ကြီးမားသော ကြိုးဝိုင်းကွာဟချက် (ဆီလီကွန် ၃ ဆခန့်)၊ မြင့်မားသော အရေးပါသောနယ်ပယ် ကြံ့ခိုင်မှု (ဆီလီကွန် ၁၀ ဆခန့်)၊ မြင့်မားသော အပူစီးကူးမှု (ဆီလီကွန် ၃ ဆခန့်) ရှိသည်။ ၎င်းသည် အရေးကြီးသော မျိုးဆက်သစ် semiconductor ပစ္စည်းတစ်ခုဖြစ်သည်။ SiC coatings များကို semiconductor လုပ်ငန်းနှင့် solar photovoltaics များတွင် တွင်ကျယ်စွာ အသုံးပြုကြသည်။ အထူးသဖြင့်၊ LEDs များ၏ epitaxial ကြီးထွားမှုတွင်အသုံးပြုသည့် susceptors များနှင့် Si single crystal epitaxy များသည် SiC coating ကိုအသုံးပြုရန်လိုအပ်သည်။ အလင်းရောင်နှင့်ပြသခြင်းလုပ်ငန်းတွင် LED များ အားကောင်းလာခြင်းနှင့် ဆီမီးကွန်ဒတ်တာလုပ်ငန်း၏ အားကောင်းမောင်းသန် ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုကြောင့်၊SiC coating ထုတ်ကုန်အလားအလာ အလွန်ကောင်းသည်။
လျှောက်လွှာတင်ခြင်း
သန့်ရှင်းမှု၊ SEM Structure၊ အထူခွဲခြမ်းစိတ်ဖြာခြင်း။SiC အပေါ်ယံပိုင်း
CVD ကိုအသုံးပြုခြင်းဖြင့် ဂရပ်ဖိုက်ပေါ်ရှိ SiC အပေါ်ယံပိုင်း၏ သန့်စင်မှုသည် 99.9995% အထိမြင့်မားသည်။ ၎င်း၏ဖွဲ့စည်းပုံမှာ fcc ဖြစ်သည်။ ဂရပ်ဖိုက်ပေါ်တွင် ဖုံးအုပ်ထားသော SiC ရုပ်ရှင်များသည် XRD ဒေတာ (Fig.1) တွင် ပြထားသည့်အတိုင်း (111) ကို ဦးတည်ထားသည်။ ၎င်း၏မြင့်မားသော ပုံဆောင်ခဲအရည်အသွေးကို ညွှန်ပြသည်။ ပုံ 2 တွင်ပြထားသည့်အတိုင်း SiC ဖလင်၏အထူသည် အလွန်တူညီပါသည်။
ပုံ 2- ဂရပ်ဖိုက်ရှိ ဘီတာ-SiC ဖလင်၏ SEM နှင့် XRD ၏ အထူတူညီသော၊
CVD SiC ပါးလွှာသောဖလင်၏ SEM ဒေတာ၊ ပုံဆောင်ခဲအရွယ်အစားမှာ 2~1 Opm ဖြစ်သည်။
CVD SiC ဖလင်၏ ပုံဆောင်ခဲဖွဲ့စည်းပုံသည် မျက်နှာကို ဗဟိုပြုသည့် ကုဗဖွဲ့စည်းပုံဖြစ်ပြီး၊ ဖလင်ကြီးထွားမှု တိမ်းညွှတ်မှုသည် 100% နီးပါးဖြစ်သည်။
ဆီလီကွန်ကာဗိုက် (SiC) ဖြင့် ဖုံးအုပ်ထားသည်။base သည် တစ်ခုတည်းသော crystal silicon နှင့် Epitaxy မီးဖို၏ အဓိက အစိတ်အပိုင်းဖြစ်သည့် GaN epitaxy အတွက် အကောင်းဆုံး အခြေခံဖြစ်သည်။ အခြေခံသည် ကြီးမားသောပေါင်းစပ်ဆားကစ်များအတွက် monocrystalline silicon အတွက် အဓိကထုတ်လုပ်သည့်ဆက်စပ်ပစ္စည်းဖြစ်သည်။ ၎င်းသည် မြင့်မားသောသန့်ရှင်းမှု၊ မြင့်မားသောအပူချိန်ခံနိုင်ရည်၊ ချေးခံနိုင်ရည်၊ ကောင်းမွန်သောလေထုတင်းကျပ်မှုနှင့် အခြားအလွန်ကောင်းမွန်သော ပစ္စည်းလက္ခဏာများ ပါဝင်သည်။
ထုတ်ကုန်လျှောက်လွှာနှင့်အသုံးပြုမှု
တစ်ခုတည်းသော crystal silicon epitaxial ကြီးထွားမှုအတွက်ဂရပ်ဖိုက်အခြေခံအလွှာကို Aixtron စက်များအတွက်သင့်လျော်သော၊ etc Coating thickness: 90 ~ 150um wafer မီးတောင်ကြား၏အချင်းသည် 55mm ဖြစ်သည်။
စာတိုက်အချိန်- မတ်လ ၁၄-၂၀၂၂