GaN pada Silicon Wafer untuk RF

Penerangan ringkas:

GaN pada Silicon Wafer untuk RF, yang disediakan oleh VET Energy, direka bentuk untuk menyokong aplikasi frekuensi radio (RF) frekuensi tinggi. Wafer ini menggabungkan kelebihan Gallium Nitride (GaN) dan Silicon (Si) untuk menawarkan kekonduksian terma yang sangat baik dan kecekapan kuasa tinggi, menjadikannya sesuai untuk komponen RF yang digunakan dalam sistem telekomunikasi, radar dan satelit. VET Energy memastikan setiap wafer memenuhi piawaian prestasi tertinggi yang diperlukan untuk fabrikasi semikonduktor termaju.


Butiran Produk

Tag Produk

VET Energy GaN pada Silicon Wafer ialah penyelesaian semikonduktor canggih yang direka khusus untuk aplikasi frekuensi radio (RF). Dengan mengembangkan galium nitrida (GaN) berkualiti tinggi secara epitaxial pada substrat silikon, VET Energy menyampaikan platform kos efektif dan berprestasi tinggi untuk pelbagai peranti RF.

Wafer GaN pada Silikon ini serasi dengan bahan lain seperti Wafer Si, Substrat SiC, Wafer SOI dan Substrat SiN, mengembangkan serba bolehnya untuk pelbagai proses fabrikasi. Selain itu, ia dioptimumkan untuk digunakan dengan Epi Wafer dan bahan termaju seperti Gallium Oxide Ga2O3 dan AlN Wafer, yang meningkatkan lagi aplikasinya dalam elektronik berkuasa tinggi. Wafer direka bentuk untuk penyepaduan lancar ke dalam sistem pembuatan menggunakan pengendalian Kaset standard untuk kemudahan penggunaan dan meningkatkan kecekapan pengeluaran.

VET Energy menawarkan portfolio komprehensif substrat semikonduktor, termasuk Si Wafer, SiC Substrat, SOI Wafer, SiN Substrat, Epi Wafer, Gallium Oxide Ga2O3 dan AlN Wafer. Barisan produk kami yang pelbagai memenuhi keperluan pelbagai aplikasi elektronik, daripada elektronik kuasa kepada RF dan optoelektronik.

GaN pada Silicon Wafer menawarkan beberapa kelebihan untuk aplikasi RF:

       • Prestasi frekuensi tinggi:Jurang jalur lebar GaN dan mobiliti elektron tinggi membolehkan operasi frekuensi tinggi, menjadikannya ideal untuk 5G dan sistem komunikasi berkelajuan tinggi yang lain.
     • Ketumpatan kuasa tinggi:Peranti GaN boleh mengendalikan ketumpatan kuasa yang lebih tinggi berbanding peranti berasaskan silikon tradisional, yang membawa kepada sistem RF yang lebih padat dan cekap.
       • Penggunaan kuasa yang rendah:Peranti GaN mempamerkan penggunaan kuasa yang lebih rendah, menghasilkan kecekapan tenaga yang lebih baik dan mengurangkan pelesapan haba.

Aplikasi:

       • Komunikasi wayarles 5G:GaN pada wafer Silicon adalah penting untuk membina stesen pangkalan 5G berprestasi tinggi dan peranti mudah alih.
     • Sistem radar:Penguat RF berasaskan GaN digunakan dalam sistem radar untuk kecekapan tinggi dan lebar jalur lebarnya.
   • Komunikasi satelit:Peranti GaN membolehkan sistem komunikasi satelit berkuasa tinggi dan frekuensi tinggi.
     • Elektronik ketenteraan:Komponen RF berasaskan GaN digunakan dalam aplikasi ketenteraan seperti peperangan elektronik dan sistem radar.

VET Energy menawarkan GaN yang boleh disesuaikan pada wafer Silikon untuk memenuhi keperluan khusus anda, termasuk tahap doping, ketebalan dan saiz wafer yang berbeza. Pasukan pakar kami menyediakan sokongan teknikal dan perkhidmatan selepas jualan untuk memastikan kejayaan anda.

第6页-36
第6页-35

SPESIFIKASI WAFERING

*n-Pm=n-jenis Pm-Gred,n-Ps=n-jenis Ps-Gred,Sl=Separa penebat

item

8-inci

6-inci

4-inci

nP

n-Pm

n-Ps

SI

SI

TTV(GBIR)

≤6um

≤6um

Bow(GF3YFCD)-Nilai Mutlak

≤15μm

≤15μm

≤25μm

≤15μm

Warp(GF3YFER)

≤25μm

≤25μm

≤40μm

≤25μm

LTV(SBIR)-10mmx10mm

<2μm

Tepi Wafer

Beveling

KEMASAN PERMUKAAN

*n-Pm=n-jenis Pm-Gred,n-Ps=n-jenis Ps-Gred,Sl=Separa penebat

item

8-inci

6-inci

4-inci

nP

n-Pm

n-Ps

SI

SI

Kemasan Permukaan

Penggilap Optik sisi dua, Si- Muka CMP

Kekasaran Permukaan

(10um x 10um) Si-FaceRa≤0.2nm
C-Muka Ra≤ 0.5nm

(5umx5um) Si-Face Ra≤0.2nm
C-Face Ra≤0.5nm

Kerepek Tepi

Tiada Dibenarkan (panjang dan lebar≥0.5mm)

Inden

Tiada Dibenarkan

Calar (Si-Muka)

Kuantiti.≤5,Kumulatif
Panjang≤0.5×diameter wafer

Kuantiti.≤5,Kumulatif
Panjang≤0.5×diameter wafer

Kuantiti.≤5,Kumulatif
Panjang≤0.5×diameter wafer

retak

Tiada Dibenarkan

Pengecualian Edge

3mm

tech_1_2_size
下载 (2)

  • Sebelumnya:
  • Seterusnya:

  • Sembang Dalam Talian WhatsApp !