बातम्या

थर्ड जनरेशन सेमीकंडक्टर GaN आणि संबंधित एपिटॅक्सियल तंत्रज्ञानाचा परिचय
24-06-25 रोजी प्रशासकाद्वारे
1. थर्ड-जनरेशन सेमीकंडक्टर पहिल्या पिढीतील सेमीकंडक्टर तंत्रज्ञान Si आणि Ge सारख्या सेमीकंडक्टर सामग्रीवर आधारित विकसित केले गेले. ट्रान्झिस्टर आणि एकात्मिक सर्किट तंत्रज्ञानाच्या विकासासाठी हा भौतिक आधार आहे. पहिल्या पिढीतील सेमीकंडक्टर मटेरियलने फ...
अधिक वाचा
सिलिकॉन कार्बाइड क्रिस्टलच्या वाढीवर सच्छिद्र ग्रेफाइटच्या प्रभावावर संख्यात्मक अनुकरण अभ्यास
24-06-18 रोजी प्रशासकाद्वारे
SiC क्रिस्टल वाढीची मूलभूत प्रक्रिया उच्च तापमानात कच्च्या मालाचे उदात्तीकरण आणि विघटन, तापमान ग्रेडियंटच्या क्रियेखाली गॅस फेज पदार्थांची वाहतूक आणि सीड क्रिस्टलवर गॅस फेज पदार्थांची पुनर्क्रिस्टलायझेशन वाढ यामध्ये विभागली जाते. याच्या आधारे,...
अधिक वाचा
विशेष ग्रेफाइटचे प्रकार
24-06-17 रोजी प्रशासकाद्वारे
विशेष ग्रेफाइट ही उच्च शुद्धता, उच्च घनता आणि उच्च सामर्थ्य असलेले ग्रेफाइट सामग्री आहे आणि उत्कृष्ट गंज प्रतिरोधक, उच्च तापमान स्थिरता आणि उत्कृष्ट विद्युत चालकता आहे. उच्च तापमान उष्णता उपचार आणि उच्च दाब प्रक्रियेनंतर हे नैसर्गिक किंवा कृत्रिम ग्रेफाइटचे बनलेले आहे...
अधिक वाचा
पातळ फिल्म डिपॉझिशन उपकरणांचे विश्लेषण - PECVD/LPCVD/ALD उपकरणांची तत्त्वे आणि अनुप्रयोग
24-06-12 रोजी प्रशासकाद्वारे
पातळ फिल्म डिपॉझिशन म्हणजे सेमीकंडक्टरच्या मुख्य सब्सट्रेट सामग्रीवर फिल्मचा थर लावणे. ही फिल्म विविध सामग्रीपासून बनविली जाऊ शकते, जसे की इन्सुलेट कंपाउंड सिलिकॉन डायऑक्साइड, सेमीकंडक्टर पॉलिसिलिकॉन, मेटल कॉपर इ. कोटिंगसाठी वापरल्या जाणाऱ्या उपकरणांना पातळ फिल्म डिपॉझिशन म्हणतात...
अधिक वाचा
मोनोक्रिस्टलाइन सिलिकॉनच्या वाढीची गुणवत्ता निर्धारित करणारी महत्त्वपूर्ण सामग्री - थर्मल फील्ड
24-06-12 रोजी प्रशासकाद्वारे
मोनोक्रिस्टलाइन सिलिकॉनची वाढ प्रक्रिया पूर्णपणे थर्मल फील्डमध्ये चालते. एक चांगले थर्मल फील्ड क्रिस्टल्सची गुणवत्ता सुधारण्यासाठी अनुकूल आहे आणि उच्च क्रिस्टलीकरण कार्यक्षमता आहे. थर्मल फील्डची रचना मुख्यत्वे तापमान ग्रेडियंटमधील बदल निर्धारित करते...
अधिक वाचा
सिलिकॉन कार्बाइड क्रिस्टल ग्रोथ फर्नेसच्या तांत्रिक अडचणी काय आहेत?
24-06-07 रोजी प्रशासकाद्वारे
क्रिस्टल ग्रोथ फर्नेस हे सिलिकॉन कार्बाइड क्रिस्टल वाढीचे मुख्य उपकरण आहे. हे पारंपारिक क्रिस्टलीय सिलिकॉन ग्रेड क्रिस्टल ग्रोथ फर्नेससारखे आहे. भट्टीची रचना फार क्लिष्ट नाही. हे प्रामुख्याने फर्नेस बॉडी, हीटिंग सिस्टम, कॉइल ट्रान्समिशन मेकॅनिझमने बनलेले आहे ...
अधिक वाचा
सिलिकॉन कार्बाइड एपिटॅक्सियल लेयरचे दोष काय आहेत
24-06-05 रोजी प्रशासकाद्वारे
SiC epitaxial मटेरियलच्या वाढीसाठी मुख्य तंत्रज्ञान हे प्रथमत: दोष नियंत्रण तंत्रज्ञान आहे, विशेषत: दोष नियंत्रण तंत्रज्ञानासाठी जे उपकरण निकामी किंवा विश्वासार्हता कमी होण्यास प्रवण असते. एपीमध्ये विस्तारित सब्सट्रेट दोषांच्या यंत्रणेचा अभ्यास...
अधिक वाचा
ऑक्सिडाइज्ड स्टँडिंग ग्रेन आणि एपिटॅक्सियल ग्रोथ टेक्नॉलॉजी-Ⅱ
24-05-30 रोजी प्रशासकाद्वारे
3. एपिटॅक्सियल पातळ फिल्म ग्रोथ सब्सट्रेट Ga2O3 पॉवर उपकरणांसाठी भौतिक आधार स्तर किंवा प्रवाहकीय स्तर प्रदान करते. पुढील महत्त्वाचा स्तर म्हणजे व्होल्टेज प्रतिरोध आणि वाहक वाहतुकीसाठी वापरला जाणारा चॅनेल स्तर किंवा एपिटॅक्सियल स्तर. ब्रेकडाउन व्होल्टेज वाढवण्यासाठी आणि कंडक कमी करण्यासाठी...
अधिक वाचा
गॅलियम ऑक्साईड सिंगल क्रिस्टल आणि एपिटॅक्सियल ग्रोथ तंत्रज्ञान
24-05-30 रोजी प्रशासकाद्वारे
सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) आणि गॅलियम नायट्राइड (GaN) द्वारे प्रस्तुत वाइड बँडगॅप (WBG) अर्धसंवाहकांनी व्यापक लक्ष वेधले आहे. लोकांना इलेक्ट्रिक वाहने आणि पॉवर ग्रिड्समध्ये सिलिकॉन कार्बाइडच्या ऍप्लिकेशनच्या संभाव्यतेबद्दल तसेच गॅलियमच्या ऍप्लिकेशनच्या संभाव्यतेबद्दल उच्च अपेक्षा आहेत...
अधिक वाचा