बातम्या

सेमीकंडक्टर फील्डमध्ये सिलिकॉन कार्बाइड सिरॅमिक्सचा वापर
24-10-10 रोजी प्रशासकाद्वारे
फोटोलिथोग्राफी मशीन्सच्या अचूक भागांसाठी प्राधान्य दिलेली सामग्री सेमीकंडक्टर क्षेत्रात, सिलिकॉन कार्बाइड सिरॅमिक सामग्री मुख्यतः सिलिकॉन कार्बाइड वर्कटेबल, मार्गदर्शक रेल, रिफ्लेक्टर, सिरॅमिक सक्शन चक, आर्म्स, जी... यासारख्या एकात्मिक सर्किट उत्पादनासाठी मुख्य उपकरणांमध्ये वापरली जाते.
अधिक वाचा
0 एकाच क्रिस्टल भट्टीच्या सहा प्रणाली काय आहेत
24-09-23 रोजी प्रशासकाद्वारे
सिंगल क्रिस्टल फर्नेस हे असे उपकरण आहे जे पॉलीक्रिस्टलाइन सिलिकॉन सामग्री वितळण्यासाठी ग्रेफाइट हीटर वापरते जे निष्क्रिय वायू (आर्गॉन) वातावरणात करते आणि नॉन-डिस्लोकेटेड सिंगल क्रिस्टल्स वाढवण्यासाठी झोक्राल्स्की पद्धत वापरते. हे प्रामुख्याने खालील प्रणालींनी बनलेले आहे: यांत्रिक...
अधिक वाचा
सिंगल क्रिस्टल फर्नेसच्या थर्मल फील्डमध्ये आम्हाला ग्रेफाइटची आवश्यकता का आहे?
24-09-23 रोजी प्रशासकाद्वारे
उभ्या सिंगल क्रिस्टल फर्नेसच्या थर्मल सिस्टमला थर्मल फील्ड देखील म्हणतात. ग्रेफाइट थर्मल फील्ड सिस्टमचे कार्य सिलिकॉन सामग्री वितळण्यासाठी आणि विशिष्ट तापमानात एकल क्रिस्टल वाढ ठेवण्यासाठी संपूर्ण प्रणालीचा संदर्भ देते. सोप्या भाषेत सांगायचे तर, हे एक संपूर्ण ग्रॅप आहे ...
अधिक वाचा
पॉवर सेमीकंडक्टर वेफर कटिंगसाठी अनेक प्रकारच्या प्रक्रिया
24-09-20 रोजी प्रशासकाद्वारे
वेफर कटिंग हा पॉवर सेमीकंडक्टर उत्पादनातील एक महत्त्वाचा दुवा आहे. ही पायरी सेमीकंडक्टर वेफर्सपासून वैयक्तिक इंटिग्रेटेड सर्किट्स किंवा चिप्स अचूकपणे विभक्त करण्यासाठी डिझाइन केलेली आहे. वेफर कटिंगची गुरुकिल्ली म्हणजे नाजूक स्ट्रक्चरची खात्री करताना वैयक्तिक चिप्स वेगळे करण्यास सक्षम असणे ...
अधिक वाचा
बीसीडी प्रक्रिया
24-09-18 रोजी प्रशासकाद्वारे
बीसीडी प्रक्रिया म्हणजे काय? बीसीडी प्रक्रिया ही एकल-चिप इंटिग्रेटेड प्रक्रिया तंत्रज्ञान आहे जी एसटीने 1986 मध्ये प्रथम सादर केली होती. हे तंत्रज्ञान एकाच चिपवर द्विध्रुवीय, सीएमओएस आणि डीएमओएस उपकरणे बनवू शकते. त्याचे स्वरूप चिपचे क्षेत्र मोठ्या प्रमाणात कमी करते. असे म्हटले जाऊ शकते की बीसीडी प्रक्रिया पूर्णपणे वापरते ...
अधिक वाचा
BJT, CMOS, DMOS आणि इतर सेमीकंडक्टर प्रक्रिया तंत्रज्ञान
24-09-10 रोजी प्रशासकाद्वारे
उत्पादन माहिती आणि सल्लामसलत साठी आमच्या वेबसाइटवर स्वागत आहे. आमची वेबसाइट: https://www.vet-china.com/ सेमीकंडक्टर उत्पादन प्रक्रिया सतत प्रगती करत असताना, "मूरचा कायदा" नावाचे प्रसिद्ध विधान उद्योगात फिरत आहे. ते पी होते...
अधिक वाचा
सेमीकंडक्टर पॅटर्निंग प्रक्रिया फ्लो-एचिंग
24-09-10 रोजी प्रशासकाद्वारे
सुरुवातीच्या ओल्या खोदकामाने साफसफाईच्या किंवा ऍशिंग प्रक्रियेच्या विकासास प्रोत्साहन दिले. आज, प्लाझ्मा वापरून कोरडे खोदकाम ही मुख्य प्रवाहातील नक्षी प्रक्रिया बनली आहे. प्लाझ्मामध्ये इलेक्ट्रॉन, कॅशन्स आणि रॅडिकल्स असतात. प्लाझ्मावर लागू होणारी ऊर्जा टी चे सर्वात बाहेरील इलेक्ट्रॉन बनवते...
अधिक वाचा
8-इंच SiC epitaxial भट्टी आणि homoepitaxial प्रक्रियेवर संशोधन-Ⅱ
24-09-04 रोजी प्रशासकाद्वारे
2 प्रायोगिक परिणाम आणि चर्चा 2.1 एपिटॅक्सियल लेयरची जाडी आणि एकसमानता एपिटॅक्सियल लेयरची जाडी, डोपिंग एकाग्रता आणि एकसमानता हे एपिटॅक्सियल वेफर्सच्या गुणवत्तेचे मूल्यांकन करण्यासाठी मुख्य निर्देशकांपैकी एक आहेत. अचूकपणे नियंत्रित करण्यायोग्य जाडी, डोपिंग सह...
अधिक वाचा
8-इंच SiC epitaxial भट्टी आणि homoepitaxial प्रक्रियेवर संशोधन-Ⅰ
24-09-04 रोजी प्रशासकाद्वारे
सध्या, SiC उद्योग 150 मिमी (6 इंच) वरून 200 मिमी (8 इंच) पर्यंत बदलत आहे. उद्योगातील मोठ्या आकाराच्या, उच्च-गुणवत्तेच्या SiC homoepitaxial wafers ची तातडीची मागणी पूर्ण करण्यासाठी, 150mm आणि 200mm 4H-SiC homoepitaxial वेफर्स यशस्वीरित्या तयार करण्यात आले...
अधिक वाचा