CVD-SiCоблогата има карактеристики на униформа структура, компактен материјал, отпорност на висока температура, отпорност на оксидација, висока чистота, отпорност на киселина и алкали и органски реагенс, со стабилни физички и хемиски својства.

Во споредба со графитните материјали со висока чистота, графитот почнува да оксидира на 400C, што ќе предизвика губење на прашокот поради оксидација, што ќе резултира со загадување на животната средина на периферните уреди и вакуумските комори и ќе ги зголеми нечистотиите на околината со висока чистота.

Сепак, облогата SiC може да одржува физичка и хемиска стабилност на 1600 степени, Широко се користи во модерната индустрија, особено во полупроводничката индустрија.

Нашата компанија обезбедува услуги на процесот на обложување на SiC со CVD метод на површината на графит, керамика и други материјали, така што специјалните гасови кои содржат јаглерод и силициум реагираат на висока температура за да се добијат молекули на SiC со висока чистота, молекули депонирани на површината на обложените материјали, формирајќи SIC заштитен слој. Формираниот SIC е цврсто врзан за графитната основа, давајќи ѝ на графитната основа посебни својства, со што површината на графитот е компактна, без порозност, отпорност на високи температури, отпорност на корозија и отпорност на оксидација.

Главни карактеристики:

1. Отпорност на оксидација на висока температура:

отпорноста на оксидација е сè уште многу добра кога температурата е висока до 1600 C.

2. Висока чистота: направена со хемиско таложење на пареа под услови на хлорирање со висока температура.

3. Отпорност на ерозија: висока цврстина, компактна површина, фини честички.

4. Отпорност на корозија: киселина, алкали, сол и органски реагенси.

Главни спецификации на CVD-SIC облоги: