Ko te SiC Coated Graphite Susceptor Mo Deep UV-LED he waahanga matua e whakamahia ana i roto i nga momo mahi hangahanga semiconductor. Ka whakamahia e matou o maatau hangarau arai ki te hanga i te kaikawe carbide silicon me te tino parakore, te pai o te whakakikoruatanga o te whakakikorua me te oranga ratonga pai, tae atu ki te aukati matū teitei me nga taonga whakaahuru.
Nga waahanga o a maatau hua:
1. Te teitei o te wera o te waikura ki te 1700 ℃.
2. Te parakore teitei me te riterite waiariki
3. He pai te aukati waikura: te waikawa, te alkali, te tote me nga reagents waro.
4. Te pakeke teitei, te mata kiato, nga matūriki pai.
5. He roa ake te ora mahi me te roa ake
CVD SiC薄膜基本物理性能 Ko nga ahuatanga taketake o te CVD SiCpaninga | |
性质 / Taonga | 典型数值 / Uara Angamaheni |
晶体结构 / Hanganga Kiriata | FCC β wāhanga多晶,主要为(111)取向 |
密度 / Kiato | 3.21 g/cm³ |
硬度 / Te pakeke | 2500 维氏硬度(500g uta) |
晶粒大小 / Raina witi | 2~10μm |
纯度 / Te Maamaa | 99.99995% |
热容 / Raukaha Wera | 640 J·kg-1·K-1 |
升华温度 / Te Mahana Whakararo | 2700 ℃ |
抗弯强度 / Te Kaha Toka | 415 MPa RT 4-tohu |
杨氏模量 / Young's Modulus | 430 Gpa 4pt piko, 1300℃ |
导热系数 / ThermalTe kawe | 300W·m-1·K-1 |
热膨胀系数 / Roha Ngawha(CTE) | 4.5×10-6K-1 |
Ko te VET Energy te tino kaihanga o nga hua graphite me te silicon carbide me nga paninga rereke penei i te paninga SiC, te paninga TaC, te paninga waro karaehe, te paninga waro pyrolytic, me etahi atu, ka taea te tuku i nga waahanga kua whakaritea mo te semiconductor me te ahumahi photovoltaic.
Ko ta maatau roopu hangarau i ahu mai i nga umanga rangahau o roto o te whare, ka taea te whakarato i nga otinga rauemi ngaio mo koe.
Ka whakawhanake tonu matou i nga tikanga matatau ki te whakarato rauemi matatau ake, a kua mahia e matou he hangarau arai motuhake, e taea ai te hono i waenga i te paninga me te tïpako kia piri, kia iti ake te wariu ki te wehe.
Tena koe ki te toro ki to maatau wheketere, me korero ano!