Haina Kaihanga SiC Whakakikoruatia Graphite MOCVD Epitaxy Susceptor

Ko Haina Kaihanga SiC kua whakakikoruatia te Graphite MOCVD Epitaxy Susceptor Whakaahua Whakaatu

Whakaahuatanga Poto:

Pure <5ppm
‣ He pai te whakakotahitanga o te doping
‣ Kiato teitei me te piri
‣ He pai te aukati me te aukati waro

‣ Whakaritenga ngaio
‣ He wa poto
‣ Te tuku pumau
‣ Te whakahaere kounga me te whakapai tonu

Epitaxy of GaN on Sapphire(RGB/Mini/Micro LED);
Epitaxy o GaN i runga Si Substrate(UVC);
Epitaxy o GaN i runga Si Substrate(Pūrere Hiko);
Epitaxy of Si on Si Substrate(Aiahiko whakauru);
Epitaxy o SiC i runga i te SiC Substrate(Taupapa);
Epitaxy of InP on InP

Tukuna he imeera ki a matou Tikiake hei PDF

Taipitopito Hua

Tohu Hua

Kounga teitei MOCVD Susceptor Hokona ipurangi i Haina

Me haere te angiangi ki etahi hikoinga i mua i te reri mo te whakamahi i nga taputapu hiko. Ko tetahi mahinga nui ko te epitaxy silicon, e kawe ana nga angiangi ki runga i nga kaitapa kauwhata. Ko nga ahuatanga me te kounga o nga kaitarai he paanga nui ki te kounga o te paparanga epitaxial o te wafer.

Mo nga wahanga whakaheke kiriata angiangi penei i te epitaxy, MOCVD ranei, ka tukuna e te VET he taputapu kauwhata tino parakore hei tautoko i nga taputapu, "wafers" ranei. I te mea nui o te mahi, ko enei taputapu, he epitaxy susceptors, he peerangi papaarangi ranei mo te MOCVD, ka tukuna tuatahi ki te taiao whakaheke:

Te pāmahana teitei.
Korehau teitei.
Te whakamahi i nga kaitapa hau kaitaa.
Kore te poke, te kore o te tihorenga.
Te ātete ki te waikawa kaha i te wa e mahi horoi ana

Ko te VET Energy te tino kaihanga o nga hua graphite me nga hua carbide silicon me te paninga mo te ahumahi semiconductor me te photovoltaic. Ko ta maatau roopu hangarau i ahu mai i nga umanga rangahau o roto o te whare, ka taea te whakarato i nga otinga rauemi ngaio mo koe.

Ka whakawhanake tonu matou i nga tikanga matatau ki te whakarato rauemi matatau ake, a kua mahia e matou he hangarau arai motuhake, e taea ai te hono i waenga i te paninga me te tïpako kia piri, kia iti ake te wariu ki te wehe.

Nga waahanga o a maatau hua:

1. Te teitei o te wera o te waikura ki te 1700 ℃.
2. Te parakore teitei me te riterite waiariki
3. He pai te aukati waikura: te waikawa, te alkali, te tote me nga reagents waro.
4. Te pakeke teitei, te mata kiato, nga matūriki pai.
5. He roa ake te ora mahi me te roa ake

CVD SiC薄膜基本物理性能 Ko nga ahuatanga taketake o te CVD SiCpaninga
性质 / Taonga	典型数值 / Uara Angamaheni
晶体结构 / Hanganga Kiriata	FCC β wāhanga多晶，主要为（111）取向
密度 / Kiato	3.21 g/cm³
硬度 / Te pakeke	2500 维氏硬度（500g uta）
晶粒大小 / Raina witi	2~10μm
纯度 / Te Maamaa	99.99995%
热容 / Raukaha Wera	640 J·kg^-1·K^-1
升华温度 / Te Mahana Whakararo	2700 ℃
抗弯强度 / Te Kaha Toka	415 MPa RT 4-tohu
杨氏模量 / Young's Modulus	430 Gpa 4pt piko, 1300℃
导热系数 / ThermalTe kawe	300W·m^-1·K^-1
热膨胀系数 / Roha Ngawha(CTE)	4.5×10^-6K^-1