CVD-SiCdanga turi vienodos struktūros, kompaktiškos medžiagos, atsparumo aukštai temperatūrai, atsparumo oksidacijai, didelio grynumo, atsparumo rūgštims ir šarmams bei organinio reagento charakteristikas, turinčias stabilias fizines ir chemines savybes.

Palyginti su didelio grynumo grafito medžiagomis, grafitas pradeda oksiduotis esant 400 C temperatūrai, todėl dėl oksidacijos prarandami milteliai, dėl to bus užteršta aplinka į periferinius įrenginius ir vakuumines kameras bei padidės didelio grynumo aplinkos priemaišos.

Tačiau SiC danga gali išlaikyti fizinį ir cheminį stabilumą 1600 laipsnių temperatūroje, ji plačiai naudojama šiuolaikinėje pramonėje, ypač puslaidininkių pramonėje.

Mūsų įmonė teikia SiC dengimo proceso paslaugas CVD metodu grafito, keramikos ir kitų medžiagų paviršiuje, kad specialios dujos, turinčios anglies ir silicio, reaguodamos aukštoje temperatūroje gautų didelio grynumo SiC molekules, molekules, nusėdusias ant dengtų medžiagų paviršiaus, suformuojantis SIC apsauginį sluoksnį. Susidaręs SIC yra tvirtai surištas su grafito pagrindu, suteikiant grafito pagrindui ypatingų savybių, todėl grafito paviršius tampa kompaktiškas, neporingas, atsparus aukštai temperatūrai, atsparumas korozijai ir atsparumas oksidacijai.

Pagrindinės savybės:

1. Atsparumas oksidacijai aukštoje temperatūroje:

atsparumas oksidacijai išlieka labai geras, kai temperatūra siekia net 1600 C.

2. Didelis grynumas: pagamintas cheminiu garų nusodinimu aukštoje temperatūroje chloruojant.

3. Atsparumas erozijai: didelis kietumas, kompaktiškas paviršius, smulkios dalelės.

4. Atsparumas korozijai: rūgštis, šarmai, druska ir organiniai reagentai.

Pagrindinės CVD-SIC dangų specifikacijos: