SiC padengta grafito pusmėnulio dalisis a raktaskomponentas, naudojamas puslaidininkių gamybos procesuose, ypač SiC epitaksinei įrangai.Mes naudojame savo patentuotą technologiją, kad pagamintume pusmėnulio dalįypač didelio grynumo,gerasdangavienodumasir puikus tarnavimo laikas, taip pataukštos cheminio atsparumo ir terminio stabilumo savybės.
VET Energy yra įtikras individualių grafito ir silicio karbido gaminių su CVD danga gamintojas,gali tiektiįvairiųpritaikytos puslaidininkių ir fotovoltinės pramonės dalys. OJūsų techninė komanda ateina iš geriausių vietinių tyrimų institucijų, gali pasiūlyti profesionalesnius medžiagų sprendimustau.
Mes nuolat plėtojame pažangius procesus, kad galėtume teikti pažangesnes medžiagas,irsukūrė išskirtinę patentuotą technologiją, dėl kurios dangos ir pagrindo sukibimas tampa tvirtesnis ir mažiau linkęs atsiskirti.
Fmūsų gaminių savybės:
1. Atsparumas oksidacijai aukštoje temperatūroje iki 1700℃.
2. Didelio grynumo irterminis vienodumas
3. Puikus atsparumas korozijai: rūgštims, šarmams, druskoms ir organiniams reagentams.
4. Didelis kietumas, kompaktiškas paviršius, smulkios dalelės.
5. Ilgesnis tarnavimo laikas ir patvaresnis
| CVD SiC薄膜基本物理性能 Pagrindinės fizinės CVD SiC savybėsdanga | |
| 性质 / Turtas | 典型数值 / Tipinė vertė |
| 晶体结构 / Kristalinė struktūra | FCC β fazė多晶，主要为（111）取向 |
| 密度 / Tankis | 3,21 g/cm³ |
| 硬度 / Kietumas | 2500 维氏硬度 (500 g apkrova) |
| 晶粒大小 / Grūdų dydis | 2 ~ 10 μm |
| 纯度 / Cheminis grynumas | 99,99995 % |
| 热容 / Šilumos talpa | 640 J·kg-1·K-1 |
| 升华温度 / Sublimacijos temperatūra | 2700 ℃ |
| 抗弯强度 / Lanksčioji jėga | 415 MPa RT 4 taškų |
| 杨氏模量 / Young's Modulus | 430 Gpa 4pt lenkimas, 1300 ℃ |
| 导热系数 / ThermalLaidumas | 300 W · m-1·K-1 |
| 热膨胀系数 / Šiluminė plėtra (CTE) | 4,5 × 10-6K-1 |
Nuoširdžiai kviečiame apsilankyti mūsų gamykloje, aptarkime toliau!
