Padengtas silicio karbidugrafito diskas skirtas paruošti apsauginį silicio karbido sluoksnį ant grafito paviršiaus fiziniu ar cheminiu garų nusodinimu ir purškimu. Paruoštas silicio karbido apsauginis sluoksnis gali būti tvirtai surištas su grafito matrica, todėl grafito pagrindo paviršius tampa tankus ir be tuštumų, suteikiant grafito matricai ypatingų savybių, įskaitant atsparumą oksidacijai, atsparumą rūgštims ir šarmams, atsparumą erozijai, atsparumą korozijai, ir tt Šiuo metu Gan danga yra vienas iš geriausių pagrindinių komponentų, skirtų silicio karbido epitaksiniam augimui.
Silicio karbido puslaidininkis yra naujai sukurto plataus diapazono puslaidininkio pagrindinė medžiaga. Jo prietaisai pasižymi atsparumu aukštai temperatūrai, aukštai įtampai, aukšto dažnio, didelės galios ir atsparumo spinduliuotei charakteristikomis. Jis turi greito perjungimo greičio ir didelio efektyvumo privalumus. Tai gali labai sumažinti gaminio energijos suvartojimą, pagerinti energijos konversijos efektyvumą ir sumažinti gaminio kiekį. Jis daugiausia naudojamas 5g komunikacijoje, krašto gynyboje ir karinėje pramonėje. RF sritis, atstovaujama aviacijos ir kosmoso, ir galios elektronikos sritis, kurią atstovauja naujos energijos transporto priemonės ir „nauja infrastruktūra“, turi aiškias ir nemažas rinkos perspektyvas tiek civilinėje, tiek karinėje srityse.
Silicio karbido substratas yra naujai sukurto plataus diapazono puslaidininkio pagrindinė medžiaga. Silicio karbido substratas daugiausia naudojamas mikrobangų elektronikoje, galios elektronikoje ir kitose srityse. Jis yra plačios juostos puslaidininkių pramonės grandinės priekinėje dalyje ir yra pažangiausia ir pagrindinė pagrindinė medžiaga. Silicio karbido substratas gali būti suskirstytas į du tipus: pusiau izoliuojantį ir laidus. Tarp jų, pusiau izoliacinis silicio karbido substratas turi didelę savitąją varžą (varža ≥ 105 Ω· cm). Pusiau izoliacinis substratas kartu su nevienalyčiu galio nitrido epitaksiniu lakštu gali būti naudojamas kaip RF prietaisų medžiaga, kuri daugiausia naudojama 5g ryšio, krašto apsaugos ir karinėje pramonėje aukščiau pateiktose scenose; Kitas yra laidus silicio karbido substratas, turintis mažą varžą (varžinės vertės diapazonas yra 15 ~ 30 m Ω· cm). Vienalytė laidžiojo silicio karbido substrato ir silicio karbido epitaksija gali būti naudojama kaip maitinimo įrenginių medžiaga. Pagrindiniai taikymo scenarijai yra elektrinės transporto priemonės, maitinimo sistemos ir kitos sritys
Paskelbimo laikas: 2022-02-21