GaN Epitaxy ທີ່ອີງໃສ່ຊິລິໂຄນ

ຮູບພາບທີ່ໂດດເດັ່ນ GaN Epitaxy ທີ່ອີງໃສ່ Silicon

ລາຍລະອຽດສັ້ນ:

ສະຖານທີ່ຕົ້ນກໍາເນີດ:ຈີນ

ໂຄງປະກອບການໄປເຊຍກັນ:FCCβໄລຍະ

ຄວາມໜາແໜ້ນ:3.21 g/ຊມ

ຄວາມແຂງ:2500 Vickers

ຂະໜາດເມັດ:2-10 ມມ

ຄວາມບໍລິສຸດທາງເຄມີ:99.99995%

ຄວາມອາດສາມາດຄວາມຮ້ອນ:640J·kg-1·K-1

ອຸນຫະພູມ sublimation:2700℃

ຄວາມເຂັ້ມແຂງ Felexural:415 Mpa (RT 4 ຈຸດ)

ໂມດູລຂອງໜຸ່ມ:430 Gpa (4pt ງໍ, 1300℃)

ການຂະຫຍາຍຄວາມຮ້ອນ (CTE):4.5 10-6K-1

ການນໍາຄວາມຮ້ອນ:300 (W/mK)

ສົ່ງອີເມວຫາພວກເຮົາ ດາວໂຫຼດເປັນ PDF

ລາຍລະອຽດຜະລິດຕະພັນ

ປ້າຍກຳກັບສິນຄ້າ

ລາຍລະອຽດຜະລິດຕະພັນ

ບໍລິສັດຂອງພວກເຮົາໃຫ້ບໍລິການຂະບວນການເຄືອບ SiC ໂດຍວິທີການ CVD ເທິງຫນ້າດິນຂອງກາຟ, ເຊລາມິກແລະວັດສະດຸອື່ນໆ, ດັ່ງນັ້ນທາດອາຍຜິດພິເສດທີ່ມີຄາບອນແລະຊິລິຄອນ react ຢູ່ໃນອຸນຫະພູມສູງເພື່ອໃຫ້ໄດ້ໂມເລກຸນ SiC ຄວາມບໍລິສຸດສູງ, ໂມເລກຸນທີ່ຝາກໄວ້ໃນຫນ້າດິນຂອງວັດສະດຸເຄືອບ, ການສ້າງຊັ້ນປ້ອງກັນ SIC.

ຄຸນນະສົມບັດຕົ້ນຕໍ:

1. ການຕໍ່ຕ້ານການຜຸພັງຂອງອຸນຫະພູມສູງ:

ການຕໍ່ຕ້ານການຜຸພັງແມ່ນຍັງດີຫຼາຍເມື່ອອຸນຫະພູມສູງເຖິງ 1600 C.

2. ຄວາມບໍລິສຸດສູງ: ເຮັດໄດ້ໂດຍການປ່ອຍອາຍແກັສເຄມີພາຍໃຕ້ສະພາບການ chlorination ອຸນຫະພູມສູງ.

3. ການຕໍ່ຕ້ານການເຊາະເຈື່ອນ: ຄວາມແຂງສູງ, ພື້ນຜິວຫນາແຫນ້ນ, ອະນຸພາກດີ.

4. ຄວາມຕ້ານທານຕໍ່ການກັດກ່ອນ: ອາຊິດ, ດ່າງ, ເກືອແລະທາດປະສົມອິນຊີ.

ຂໍ້ມູນຈໍາເພາະຕົ້ນຕໍຂອງການເຄືອບ CVD-SIC

ຄຸນສົມບັດ SiC-CVD
ໂຄງປະກອບການໄປເຊຍກັນ	ໄລຍະ FCC β
ຄວາມຫນາແຫນ້ນ	g/ຊມ ³	3.21
ຄວາມແຂງ	Vickers ແຂງ	2500
ຂະໜາດເມັດພືດ	ມມ	2~10
ຄວາມບໍລິສຸດທາງເຄມີ	%	99.99995
ຄວາມອາດສາມາດຄວາມຮ້ອນ	J·kg-1 ·K-1	640
ອຸນຫະພູມ sublimation	℃	2700
ຄວາມເຂັ້ມແຂງ Felexural	MPa (RT 4 ຈຸດ)	415
ໂມດູລຂອງໜຸ່ມ	Gpa (4pt ງໍ, 1300℃)	430
ການຂະຫຍາຍຄວາມຮ້ອນ (CTE)	10-6K-1	4.5
ການນໍາຄວາມຮ້ອນ	(W/mK)	300